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[发明专利]光学邻近校正方法、装置、计算机设备和存储介质-CN202310273123.1有效
发明人：孙书源;崔绍春;席娟;陈雪莲 -专利权人：墨研计算科学（南京）有限公司
申请日： 2023-03-21 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本申请提供了一种光学邻近校正方法、装置、计算机设备和存储介质，该方法包括：通过预设的边缘校正模型获取设计集成电路版图中各切分线段的初始偏移值；基于初始偏移值，通过MB‑OPC算法确定设计集成电路版图中各切分线段的目标偏移值；根据目标偏移值，对设计集成电路版图中各切分线段的分布位置进行调整，得到修正后的集成电路版图；按照修正后的集成电路版图在晶元上进行光刻工艺曝光后，得到的曝光图形与设计集成电路版图的图形边缘相同。如此，通过边缘校正模型和MB‑OPC算法执行两次偏移值预测操作，提高了切分线段偏移值预测结果的准确性。而且基于初始偏移值进行二次预测，缩短了MB‑OPC算法的处理时长，提高校正效率。
光学邻近校正方法装置计算机设备存储介质

[发明专利]一种基于轨道的版图自动接线方法、系统及装置-CN202310382121.6有效
发明人：沈忱;纪冬梅;陈雪莲;崔绍春;陈智卫;胡佩生 -专利权人：墨研计算科学（南京）有限公司
申请日： 2023-04-12 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： G06F30/394 文献下载
摘要：本申请涉及半导体制造工艺技术领域，具体而言，涉及一种基于轨道的版图自动接线方法、系统及装置，一定程度上可以解决通过李氏迷宫算法或顺序绕线算法进行布线规划在实际操作中效率低的问题。所述版图自动接线方法包括：获取被测器件及焊盘的配置信息，根据被测器件及焊盘的配置信息将被测器件和焊盘绘制在版图上；创建轨道对象，轨道对象预设在版图绘制的被测器件及焊盘的两侧，轨道对象为接线路径预设方位；根据被测器件的配置信息获取引出端口信息并添加至轨道对象，遍历轨道对象中被测器件及引出端口信息，建立用于描述被测器件连接关系的连接网络；遍历连接网络，获取实际接线路径，并根据实际接线路径绘制各个轨道对象中的接线路径。
一种基于轨道版图自动接线方法系统装置

[发明专利]自顶向下的版图层次结构处理方法、装置及存储介质-CN202211036609.5有效
发明人：俞一天;陈雪莲;周洁云;崔绍春;王亮;彭惠薪;周群博 -专利权人：苏州珂晶达电子有限公司;北京微电子技术研究所
申请日： 2022-08-29 - 公布日： 2022-12-02 - 主分类号： G06F30/398 文献下载
摘要：本申请涉及集成电路版图技术领域，具体而言，涉及一种自顶向下的版图层次结构处理方法、装置及存储介质，一定程度上可以解决集成电路版图的处理过程计算量大的问题。本申请实施例通过从初始集成电路版图中获得各初始单元的包围盒；可基于各包围盒的面积，实现从初始单元中筛选出目标单元实现；进一步从目标单元的各第一实例中筛选出有效实例，并满足有效实例位于目标单元的上层单元中，可基于有效实例的可复用区域，其中，可复用区域是有效实例中与上层单元中的第二实例的非重叠区域，实现确定目标集成电路版图。
向下版图层次结构处理方法装置存储介质

[发明专利]一种软件升级版本正确性的检测方法及装置-CN202210683196.3有效
发明人：陈智卫;周洁云;崔绍春 -专利权人：苏州培风图南半导体有限公司
申请日： 2022-06-17 - 公布日： 2022-09-23 - 主分类号： G06F11/36 文献下载
摘要：本申请提供一种软件升级版本正确性的检测方法及装置。所述方法包括：分别利用标准软件和待测软件对同一测试电路进行仿真，并对各自的仿真信号进行采样，利用插值函数分别对采样结果进行处理，获取各自对应的插值曲线，利用DP算法分别获取描述插值曲线的目标点，根据目标点确定对应插值曲线的形状标准值后，根据两条插值曲线的形状标准值确定第一相似度，如果第一相似度满足要求，则根据每条插值曲线上每个采样点的纵坐标值，确定两条插值曲线的第二相似度，如果第二相似度也满足要求，则确定待测软件通过正确性检测。整个过程中使用DP算法进行处理，因此参与运算的目标点的数量很少，进而可以极大地缩短正确性检测的耗时，检测成本也较低。
一种软件升级版本正确性检测方法装置

[发明专利]一种基于改进叉树算法的网格生成方法及装置-CN202210154111.2有效
发明人：贡顶;崔绍春;陈雪莲 -专利权人：墨研计算科学（南京）有限公司
申请日： 2022-02-21 - 公布日： 2022-05-10 - 主分类号： G06T17/00 文献下载
摘要：本申请提供一种基于改进叉树算法的网格生成方法及装置。所述方法包括：对半导体器件的外切立方体进行初始网格生成，如果目标体网格完全位于半导体器件内部且体积大于预设阈值，则继续进行细化，直至得到符合要求的最终内部体网格，如果目标体网格与半导体器件结构相交，且交多面体上的各个顶点不共球，则继续进行细化，直至得到最终边界体网格，运用整形的有理数运算获取各个网格节点的位置，最终生成的体网格包括四面体网格、金字塔网格、三棱柱网格等多种顶点共球的混合网格。整个生成过程运用整形的有理数运算生成各个网格节点的位置坐标，不仅可以节省网格节点的存储空间，而且位置表示较为精确，不存在浮点数误差，网格描述的准确性较高。
一种基于改进算法网格生成方法装置

[发明专利]一种计算光刻建模方法及装置-CN201910385455.2有效
发明人： 崔绍春 -专利权人：墨研计算科学（南京）有限公司
申请日： 2019-05-09 - 公布日： 2021-06-08 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本申请涉及集成电路制造技术领域，公开了一种计算光刻建模方法及装置，在该方法中，通过获取测试图形包含的图形单元的类型，确定光学模块组，然后根据光学模块组，获取物理光学模型的参数。计算光学模块组在光刻胶上的理想光强分布，并根据理想光强分布以及光学模块组在所述光刻胶上激发的光化学反应，获取光化学模型的参数。接着模拟测试图形在所述光刻胶上形成的边界位置，并获取所述测试图形的关键尺寸仿真数据，若关键尺寸测量数据与关键尺寸仿真数据之间的拟合误差不大于预设的容许误差，则建立计算光刻模型。本申请公开的计算光刻建模方法，通过建立不同的光学模块对不同的图形单元进行仿真，有效提高了计算光刻模型的精度。
一种计算光刻建模方法装置

[发明专利]一种基于极坐标矢量计算光刻模型的方法及装置-CN201911288282.9有效
发明人：陈雪莲;周洁云;崔绍春 -专利权人：墨研计算科学（南京）有限公司
申请日： 2019-12-16 - 公布日： 2020-04-17 - 主分类号： G02B27/00 文献下载
摘要：本申请涉及半导体生产的光刻工艺技术领域，具体而言，涉及一种基于极坐标矢量计算光刻模型的方法及装置。本申请提供一种基于极坐标矢量计算光刻模型的方法，包括：确定光源的极化类型；基于所述极化类型，建立进入光瞳的入射光线场强的传输矩阵，所述传输矩阵描述入射光线场强的传输变化；基于所述光源的极化类型和所述入射光线场强的传输关系，建立矢量计算光刻模型得到描述物理光学的多个交叉传递函数；基于所述物理光学的多个交叉传递函数计算矢量光刻模型在光阻层上的光强分布。
一种基于坐标矢量计算光刻模型方法装置

[发明专利]一种基于多目标优化的光刻工艺分辨率增强方法及装置-CN201911123888.7有效
发明人：周洁云;崔绍春;陈雪莲 -专利权人：墨研计算科学（南京）有限公司
申请日： 2019-11-18 - 公布日： 2020-03-17 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本申请涉及半导体生产的光刻工艺技术领域，具体而言，涉及一种基于多目标优化的光刻工艺分辨率增强方法及装置。本申请提供一种基于多目标优化的光刻工艺分辨率增强方法，包括以下步骤：通过划分多个圆重叠的方法得到照明光源的区域划分用于优化光源；确定亚分辨率辅助图形SRAF位置变量的初始位置用于优化掩膜；使用实数编码的方法建立优化变量的种群；对种群中单一染色体通过计算光刻模型确定多目标优化策略的评价标准函数；使用遗传进化算法对当前种群重复进行“评价‑选择‑交叉‑变异”计算，获得评价标准函数的迭代更新；通过解码最终种群得到多目标优化策略的解集帕累托支撑解。
一种基于多目标优化光刻工艺分辨率增强方法装置

[发明专利]光刻掩模光学修正的方法、装置及计算机可读存储介质-CN201910849892.5有效
发明人： 崔绍春;陈雪莲 -专利权人：墨研计算科学(南京)有限公司
申请日： 2019-09-10 - 公布日： 2019-12-24 - 主分类号： G03F1/36 文献下载
摘要：本发明涉及制备光学临近校正(OPC)设计工艺技术领域，具体而言，涉及一种光刻掩模光学修正的方法、装置及计算机可读存储介质。本发明提供一种光刻掩模光学修正的方法，包括：对修正前数据进行处理，得到基于多个分类的修正前数据；对所述基于多个分类的修正前数据进行光学临近修正，得到多个分类的修正后数据；使用修正模块对修正后数据进行确定，得到修正后数据。
修正光刻掩模光学修正计算机可读存储介质分类工艺技术领域光学临近修正修正模块校正制备

[发明专利]计算光刻系统模型中混叠现象的处理方法-CN201910443195.X有效
发明人：阎江;崔绍春;陈雪莲;梁文清 -专利权人：墨研计算科学（南京）有限公司
申请日： 2019-05-27 - 公布日： 2019-09-03 - 主分类号： G06K9/00 文献下载
摘要：本申请公开了一种计算光刻系统模型中混叠现象的处理方法，该方法包括：根据有效采样范围和预先设定的空间采样间隔，确定对掩模函数离散采样的采样点数量，掩模函数用于表示掩模版的几何形状；根据空间采样间隔，建立抗混叠滤波函数，抗混叠滤波函数用于限制掩模函数在频域空间上的带宽；根据抗混叠滤波函数和采样点数量，针对抗混叠滤波函数和掩模函数采取卷积运算，获取对掩模函数滤波后的空间采样讯号；卷积运算空间采样讯号和核函数，确定光强分布。在本申请中，通过抗混叠滤波函数，在对掩模函数进行滤波采样来限制掩模函数的带宽，从而避免出现混叠现象导致光强计算失真，能够提高计算光刻模型的准确性。
掩模函数抗混叠滤波混叠空间采样间隔采样讯号光刻系统卷积运算采样点滤波带宽有效采样范围光强分布光强计算离散采样频域空间核函数掩模版采样光刻申请失真

[发明专利]一种半导体器件的数值模拟数据处理方法-CN201510556321.4有效
发明人： 崔绍春;贡顶;深忱 -专利权人：苏州珂晶达电子有限公司
申请日： 2015-09-02 - 公布日： 2018-10-12 - 主分类号： G06F17/50 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体器件的数值模拟数据处理方法，其特征在于，基本步骤包括：1、建立半导体器件数值模拟全隐式方法中的大型线性方程组，并分裂系数矩阵A＝[aij]为非负矩阵A+和负矩阵A‑；2、分裂非负矩阵A+为简单矩阵A1，对称矩阵A2，非对称矩阵A3；3、建立简单矩阵A1的稀疏子矩阵T1；4、建立对称矩阵A2及非对称A3的稀疏子矩阵T23；5、建立非负矩阵A+的稀疏子矩阵M+；6、重复步骤2‑5建立对应非负矩阵‑A‑的稀疏子矩阵M‑；7、建立预处理矩阵M的非对角子阵M′；8、建立预处理矩阵M的对角子阵M"，预处理矩阵M＝M′+M"。本发明建立大型线性方程组的预处理技术，使得其对应方程组的计算量小、精度高和仿真稳定性好，从而使半导体器件的数值模拟全隐式方法能够满足工业应用的需求。
一种半导体器件数值模拟数据处理方法

[发明专利]基于极坐标采样的交叉传递函数快速分解方法-CN201710820290.8在审
发明人：贡顶;沈忱;崔绍春;陈雪莲;鄢丽萍 -专利权人：苏州珂晶达电子有限公司
申请日： 2017-09-13 - 公布日： 2018-01-30 - 主分类号： G06F17/50 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于极坐标采样的交叉传递函数快速分解方法，其包括以下步骤1)获取成像系统的光学参数；2)采用极坐标采样方法获得空间域上采样点的坐标(ri,θj)；3)通过非均匀傅里叶逆变换计算采样点对应的光源互强度函数及光瞳函数4)计算采样点对应空间域的交叉传递函数值并建立采样矩阵5)在空间域上建立一组正交基函数计算正交基函数在相应极坐标采样位置上的函数值并建立矩阵Q＝[q1,q2,…qk]；6)对矩阵Q进行QR矩阵分解7)计算投影矩阵并对投影矩阵P进行奇异值分解得到P＝UU*；8)获得空间域上交叉传递函数的核函数为本发明能够快速解析获得TCC核函数，使得光强分布计算快速而高效，从而满足实际的光刻工艺设计需求。
基于坐标采样交叉传递函数快速分解方法

[发明专利]一种基于指示函数的交叉传递函数快速分解方法-CN201710820278.7在审
发明人：贡顶;沈忱;崔绍春;陈雪莲;鄢丽萍 -专利权人：苏州珂晶达电子有限公司
申请日： 2017-09-13 - 公布日： 2018-01-23 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于指示函数的交叉传递函数快速分解方法，其包括1)获取成像系统的光源函数J(f,g)；2)将描述光源的区域Ω进行划分得到一组正交子区域Ωij，并用正交子区域上的指示函数Iij(f,g)描述所述光源函数J(f,g)；3)计算所述指示函数Iij(f,g)的傅里叶逆变换，获得空间上域的基函数Lij(x,y)，并将空间域上的光源互强度函数投影到一组基函数上，获得对光源互强度函数的分解；4)建立空间域上的交叉传递函数的核函数c；5)计算核函数与掩膜板图形的卷积，获得像平面上的曝光图案本发明利用正交区域上的指示函数Iij(f,g)表述光源函数，利用指示函数的正交关系，及光源的投影系数直接获得光源互强度函数的分解，容易获得交叉传递函数的核函数使得光强分布计算快速而高效。
一种基于指示函数交叉传递函数快速分解方法

[发明专利]基于光源互强度函数分解的光学成像快速计算方法-CN201710820261.1在审
发明人：贡顶;沈忱;崔绍春;毛智彪 -专利权人：苏州珂晶达电子有限公司
申请日： 2017-09-13 - 公布日： 2017-12-15 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于光源互强度函数分解的光学成像快速计算方法，其包括以下步骤1)获取成像系统的光源函数及光瞳函数将光源函数投影到频域上的一组正交基函数上；3)求解空间域上光源互强度函数对应基函数的投影系数αpq,st；4)由投影系数apq,st建立对称正定的投影矩阵A＝[αpq,st]，并进行特征向量分解A＝UU*；5)对光源互强度函数进行分离变量，并建立空间域上的交叉传递函数的核函数6)计算核函数与掩膜板图形的卷积，获得像平面上的曝光图案本发明利用一组空间域和频域上的傅立叶函数变换对，并根据卷积定义来计算复杂的积分变换，从而快速的获得相应的核函数，使得光强分布计算快速而高效，从而满足实际的光刻工艺设计需求。
基于光源强度函数分解光学成像快速计算方法

[发明专利]半导体器件SEU翻转概率的数值模拟方法-CN201510102446.X有效
发明人：沈忱;贡顶;郑丽桑;崔绍春 -专利权人：苏州珂晶达电子有限公司
申请日： 2015-03-09 - 公布日： 2017-10-24 - 主分类号： G06F9/455 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体器件SEU翻转概率的数值模拟方法，本发明通过SEU替代模型把SEU问题中基本变量的维度高且离散问题转化为一维较连续的问题，进而在此基础上使用改进的MCMC子集抽样方法模拟出SEU的小翻转概率；且在子集抽样方法的中间失效事件的阈值选择上采用改进的自适应方法，减少中间失效事件的条件概率计算误差，以利于能够高效地得出半导体器件的SEU翻转概率。本发明适用于半导体器件SEU数值模拟以及半导体器件小概率事件的数值模拟。
半导体器件 seu 翻转概率数值模拟方法

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