[发明专利]半导体元件及其制造方法无效
申请号: | 200810081976.0 | 申请日: | 2008-03-21 |
公开(公告)号: | CN101540322A | 公开(公告)日: | 2009-09-23 |
发明(设计)人: | 薛光博 | 申请(专利权)人: | 原景科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/085 | 分类号: | H01L27/085;H01L27/088;H01L23/528;H01L21/8232;H01L21/8234;H01L21/768 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 彭久云 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本发明公开了一种半导体元件包括带状多晶硅、漏极金属区块、源极金属区块、第一带状源极金属层、第一带状漏极金属层以及第一连接线。各个源极金属区块位于漏极金属区块之间,带状多晶硅则横跨漏极金属区块以及源极金属区块。第一带状源极金属层电性连接部分源极金属区块。第一带状漏极金属层则电性连接部分漏极金属区块。第一连接线耦接于带状多晶硅,其中第一连接线排列成网状。本发明还公开了一种半导体元件的制造方法。 | ||
搜索关键词: | 半导体 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种半导体元件,包含:多条带状多晶硅;多个漏极金属区块;多个源极金属区块,其中各个源极金属区块位于两漏极金属区块之间,该带状多晶硅则横跨该漏极金属区块以及该源极金属区块;第一带状源极金属层,电性连接部分该源极金属区块;第一带状漏极金属层,电性连接部分该漏极金属区块;以及多条第一连接线耦接于该带状多晶硅,其中该第一连接线排列成网状。
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- 许刚颖;余小强;李琴;唐波 - 成都启臣微电子有限公司
- 2013-07-12 - 2013-10-16 - H01L27/085
- 半导体器件,包括栅极、源极、漏极和沟道区,还包括包围漏极的漂移区,所述沟道区包围漂移区,所述沟道区外侧为源极,所述栅极和源极分为数量相同的至少两个。采用本发明所述的半导体器件,将两个或多个半导体器件的漏端和漂移区共用,使版图布局和芯片的连线得到优化,并且减少了器件面积,降低生产成本;满足开关电源系统对低待机功耗控制电路的需求,使芯片的功率损耗降低;在兼容CMOS工艺基础上开发了该器件,使该器件更具实用性。
- 用于具有线端延长的晶体管的结构和方法-201210192137.2
- 余绍铭;张长昀;张志豪;陈欣志;张开泰;谢铭峰;吕奎亮;林以唐 - 台湾积体电路制造股份有限公司
- 2012-06-11 - 2013-07-24 - H01L27/085
- 本发明提供了一种半导体结构。该半导体结构包括半导体衬底;形成在半导体衬底中的隔离部件;形成在所述半导体衬底中的第一有源区和第二有源区,其中所述第一有源区和第二有源区在第一方向延伸并且通过所述隔离部件彼此分隔;以及设置在隔离部件上的伪栅极,其中所述伪栅极在第一方向从一侧延伸至所述第一有源区并且从另一侧延伸至所述第二有源区。本发明还公开了用于具有线端延长的晶体管的结构和方法。
- 一种合成结构的高压器件-201220637863.6
- 李照华;林道明;赵春波;胡乔;戴文芳 - 深圳市明微电子股份有限公司
- 2012-11-28 - 2013-07-10 - H01L27/085
- 本实用新型实施例提出了一种合成结构的高压器件,包括高压功率管HVNMOS和JFET管,所述高压功率管HVNMOS管包括漏极、源极、栅极和衬底,导电沟道为源极和漏极之间的P型阱区Pwell;所述JFET管包括漏极、源极、栅极和衬底,导电沟道为源极和漏极之间的N型阱区Nwell;所述高压功率管HVNMOS和所述JFET管共用相同的漏极,所述漏极采用N型双扩散工艺。本实用新型实施例提出的上述方案,通过合成的高压器件结构,有效的节省了芯片的面积,降低芯片的成本。
- 提高载流子迁移率的PMOS器件的制作方法及器件结构-201210170354.1
- 刘格致;黄晓橹 - 上海华力微电子有限公司
- 2012-05-28 - 2012-09-12 - H01L27/085
- 本发明涉及集成电路制造领域,特别是涉及一种提高载流子迁移率的PMOS器件的制作方法及器件结构,包括:提供包含PMOS有源区和周边区域的衬底;在所述衬底的周边区域形成多个浅沟槽隔离结构;刻蚀相邻的浅沟槽隔离结构之间的衬底以形成拉应力凹槽;以及在所述拉应力凹槽内填充压应力材料。本发明制作方法不会对器件形状造成破坏,而且避免了制作工艺对器件性能的干扰,并且制造工艺要求低,也有利于器件尺寸的持续缩小,同时提高了载流子迁移率从而改善器件性能。
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的