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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]半导体装置的制造方法-CN202310651578.2在审
发明人：吴明园;冯家馨;焦闵;林大文;郑为元 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2023-06-02 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：提供半导体装置及其制造方法。在实施例中，方法包含提供工作件，工作件包含第一硬遮罩层位于基板的顶表面上，执行离子布植制程以形成掺杂区于基板中，在执行离子布植制程的步骤之后，在温度T1下对工作件进行退火。方法亦包含选择性地移除第一硬遮罩层，在选择性地移除第一硬遮罩层的步骤之后，在温度T2下执行预烘烤制程，以及在执行预烘烤制程的步骤之后，外延地成长多个通道层与多个牺牲层交替的垂直堆叠于基板上，其中温度T2小于温度T1。
半导体装置制造方法

[发明专利]制造鳍式场效晶体管的方法及半导体装置-CN202210619185.9在审
发明人： 冯家馨;谢振宇;许哲源;吴明园;郑旭傑 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-09-14 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种制造鳍式场效晶体管的方法及半导体装置。制造鳍式场效晶体管的方法包含在基板上形成鳍式结构，形成包覆鳍式结构的虚设栅极结构，在形成该虚设栅极结构之后，在鳍式结构上方沉积层间介电(ILD)层，移除虚设栅极结构以暴露鳍式结构的一部分，当量测的鳍式结构的宽度超过预定阈值宽度值时，对经暴露的鳍式结构的该部分执行蚀刻制程，以减小鳍式结构的该部分的宽度。
制造鳍式场效晶体管方法半导体装置

[发明专利]具有均匀阈值电压分布的FIN结构及半导体器件的形成方法-CN201711188055.X有效
发明人： 冯家馨 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-11-24 - 公布日： 2022-05-24 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供了一种形成半导体器件结构的方法。该方法包括：确定沿半导体衬底上方的硅锗(SiGe)鳍结构的高度的阈值电压分布曲线；根据SiGe鳍结构中的Ge浓度与阈值电压之间的相关性，确定锗(Ge)浓度曲线以抵消阈值电压分布曲线；沿着SiGe外延层的厚度形成具有Ge浓度曲线的SiGe外延层；对SiGe外延层进行蚀刻以形成SiGe鳍结构；以及在SiGe鳍结构上形成沿着SiGe鳍结构的高度具有均匀阈值电压的场效应晶体管。本发明还提供了具有均匀阈值电压分布的FIN结构。
具有均匀阈值电压分布 fin 结构半导体器件形成方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN202011022498.3在审
发明人： 冯家馨 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-09-25 - 公布日： 2021-03-26 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：半导体器件包括第一区域、第二区域、第三区域和第四区域。第一区域包括N阱的第一部分和形成在N阱的第一部分上方的多个P型晶体管。第一区域在第一方向上延伸。第二区域包括P阱的第一部分和形成在P阱的第一部分上方的多个N型晶体管。第二区域在第一方向上延伸。第三区域包括P阱的第二部分。第四区域包括N阱的第二部分。第一区域和第二区域设置在第三区域和第四区域之间。本发明的实施例涉及半导体器件的制造方法。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体装置的形成方法-CN202011023992.1在审
发明人： 冯家馨 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-09-25 - 公布日： 2021-03-26 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：一种半导体装置的形成方法，包括在半导体基底之上形成一含有介电质的基底；在含有介电质的基底之上形成包含第一半导体层及第二半导体层的堆叠，其中第一、第二半导体层具有不同的材料组成，且在堆叠中彼此交替设置；对含有第一、第二半导体层的堆叠进行图案化，而形成一鳍部结构，鳍部结构包括含有第一半导体层的牺牲层及含有第二半导体层的通道层；于邻近鳍部结构的通道层形成源极/漏极部件；去除鳍部结构的牺牲层，以露出鳍部结构的通道层；以及形成一栅极结构环绕露出的通道层，其中含有介电质的基底设置在栅极结构和半导体基底之间。
半导体装置形成方法

[发明专利]FINFET结构及其方法-CN201710385218.7有效
发明人： 冯家馨 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-05-26 - 公布日： 2020-06-12 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明实施例提供了用于FinFET S/D部件的独特结构的方法和结构，其描述了一种半导体器件，该器件包括具有从其延伸的鳍的衬底，鳍包括沟道区以及与沟道区的任一侧相邻并位于其上的源极区和漏极区。在各个实施例中，栅极结构设置在沟道区上方，并且栅极结构包括设置在介电层上方的金属层。在一些实例中，第一外延层至少部分地嵌入在源极区和漏极区内。此外，第二外延层设置在第一外延层上方，其中第二外延层的顶面在垂直于衬底的方向上高于金属层的顶面。在各个实例中，硅化物层还设置在第二外延层上方并与其接触。本发明实施例涉及FINFET结构及其方法。
finfet 结构及其方法

[发明专利]包括鳍结构的半导体器件及其制造方法-CN201610548348.3有效
发明人： 冯家馨;陈燕铭 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2016-07-13 - 公布日： 2020-05-22 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：半导体FET器件包括缓冲结构和鳍结构。缓冲结构具有鳍状，设置在衬底上方并且沿着第一方向延伸。鳍结构包括FET器件的沟道区，设置在缓冲结构上并且沿着第一方向延伸。沿着与第一方向垂直的第二方向的缓冲结构的宽度大于沿着第二方向在缓冲结构和鳍结构之间的界面处测量的鳍结构的宽度。本发明的实施例还涉及包括鳍结构的半导体器件及其制造方法。
包括结构半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201610663504.0有效
发明人： 冯家馨;江国诚;梁英强 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2016-08-12 - 公布日： 2020-03-31 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本公开提供半导体装置及其制造方法。半导体装置包含多个第一通道层设置于基底之上，第一源极/漏极区设置于基底之上，栅极介电层设置于每一个第一通道层之上，且包裹每一个第一通道层，栅极电极层设置于栅极介电层之上且包裹每一个第一通道层，以及衬垫半导体层设置于第一通道层与第一源极/漏极区之间。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]具有抗穿通层的高迁移率器件及其形成方法-CN201510122423.5有效
发明人：江国诚;冯家馨;吴志强 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2015-03-19 - 公布日： 2020-03-20 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：示例性半导体器件包括从半导体衬底向上延伸的鳍。该鳍包括具有APT掺杂剂的抗穿通(APT)层和位于APT层上方的沟道区。沟道区基本无APT掺杂剂。半导体器件还包括位于沟道区的侧壁和顶面上的导电栅极堆叠件。本发明涉及具有抗穿通层的高迁移率器件及其形成方法。
具有抗穿通层迁移率器件及其形成方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201611221320.5有效
发明人： 冯家馨 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2016-12-26 - 公布日： 2020-01-14 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种半导体器件，半导体器件包含隔离层、第一和第二鳍结构、栅极结构和源极/漏极结构。隔离绝缘层设置于衬底的上方。第一和第二鳍结构均设置于衬底的上方，并且沿平面图中的第一方向延伸。第一和第二鳍结构的上部暴露于隔离层。栅极结构设置于部分第一和第二鳍结构的上方，并且沿与第一方向交叉的第二方向延伸。源极/漏极结构形成于第一和第二鳍结构的上部上，其没有被第一栅极结构覆盖且暴露于隔离层，且包裹每个露出的第一和第二鳍结构的侧面和顶面。孔洞形成于源极/栅极结构和隔离层之间。本发明实施例涉及半导体器件及其制造方法。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]具有源极/漏极覆盖层的FinFET-CN201510172108.3有效
发明人：江国诚;冯家馨;吴志强 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2015-04-13 - 公布日： 2019-07-19 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种器件包括半导体衬底以及延伸至半导体衬底内的隔离区。半导体鳍位于隔离区的相对部分之间，其中，半导体鳍位于隔离区的顶面上方。栅极堆叠件与半导体鳍重叠。源极/漏极区位于栅极堆叠件的侧部上并且连接至半导体鳍。源极/漏极区包括比半导体鳍薄的内部以及位于内部外侧的外部。半导体鳍和源极/漏极区的内部具有相同的IV族半导体的组分。本发明还涉及具有源极/漏极覆盖层的FinFET。
有源覆盖层 finfet

[发明专利]非平面器件和应变产生沟道电介质-CN201410784304.1有效
发明人：江国诚;冯家馨;吴志强 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2014-12-16 - 公布日： 2019-04-05 - 主分类号： H01L27/04 文献下载
摘要：本发明提供了一种具有设置在沟道区下面的应变产生结构的非平面电路器件。在示例性实施例中，集成电路器件包括衬底，第一鳍结构和第二鳍结构设置在衬底上。隔离部件沟槽限定在第一鳍结构和第二鳍结构之间。该电路器件还包括设置在隔离部件沟槽内的衬底的水平面上的应变部件。应变部件可以配置成对在第一鳍结构上形成的晶体管的沟道区产生应变。电路器件还包括设置在隔离部件沟槽内的应变部件上的填充电介质。在一些这种实施例中，应变部件还设置在第一鳍结构的垂直面上以及第二鳍结构的垂直面上。本发明还涉及非平面器件和应变产生沟道电介质。
鳍结构应变部件电路器件隔离部件非平面衬底沟道电介质沟道区电介质垂直集成电路器件晶体管成对填充配置

[发明专利]制造鳍式场效晶体管的方法及半导体装置-CN201710827374.4在审
发明人： 冯家馨;谢振宇;许哲源;吴明园;郑旭傑 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-09-14 - 公布日： 2018-11-13 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种制造鳍式场效晶体管的方法及半导体装置。制造鳍式场效晶体管的方法包含在基板上形成鳍式结构，形成包覆鳍式结构的虚设栅极结构，在鳍式结构上方沉积层间介电(ILD)层，移除虚设栅极结构以暴露鳍式结构的一部分，及对鳍式结构的此部分执行蚀刻制程以减小鳍式结构的此部分的宽度。
鳍式结构鳍式场效晶体管虚设栅极结构半导体装置制造蚀刻制程沉积层包覆基板减小介电移除暴露

[发明专利]FinFET器件的结构和方法-CN201410439887.4有效
发明人：江国诚;冯家馨;张智胜;吴志强 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2014-09-01 - 公布日： 2018-09-14 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供了一种鳍式场效应晶体管(FinFET)器件。该器件包括具有第一区域、第二区域和第三区域的衬底。第一区域包括第一鳍结构、第一高k(HK)/金属栅(MG)叠件以及第一源极/漏极部件，第一HK/MG叠件环绕在第一鳍结构的上部的上方，而第一源极/漏极部件位于凹进的第一鳍结构上方并且由第一HK/MG叠件分隔开。第二区域包括第二鳍结构、位于凹进的第二鳍结构的一部分上方的第一源极/漏极部件。第三区域包括位于第二鳍结构上方的伪栅叠件，并且两个第一区域由第二区域或由第三区域分隔开。本发明还提供了FinFET器件的制造方法。
finfet 器件结构方法

[发明专利]用于FINFET器件的结构和方法-CN201410658546.6有效
发明人：江国诚;冯家馨;张智胜;吴志强 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2014-11-17 - 公布日： 2018-07-27 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供了鳍式场效应晶体管(FinFET)器件的实施例。该器件包括具有第一栅极区域的衬底、位于第一栅极区域中的衬底上方的第一鳍结构。第一鳍结构包括上部半导体材料构件、被氧化物部件环绕的下部半导体材料构件以及包裹在下部半导体材料构件的氧化物部件周围并且向上延伸以包裹在上部半导体材料构件的下部周围的衬层。该器件还包括与上部半导体材料构件的下部横向邻近的介电层。因此，上部半导体材料构件包括既不与介电层横向邻近也不被衬层包裹的中部。本发明还提供了形成鳍式场效应晶体管(FinFET)器件的方法。
用于 finfet 器件结构方法

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