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[发明专利]三维半导体结构及其制作方法-CN201910862593.5有效
发明人：邱永振;薛胜元;李国兴;吴建良;康智凯;黄冠凯 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2019-09-12 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H01L27/085 文献下载
摘要：本发明公开一种三维半导体结构及其制作方法，其中该三维半导体装置包含一缓冲层、一n型高电子移动率晶体管设置在该缓冲层的第一表面上、以及一p型高空穴移动率晶体管设置在该缓冲层与该第一表面相对的第二表面上。
三维半导体结构及其制作方法

[发明专利]一种石墨烯导电的高电子迁移率晶体管逻辑电路及其制备方法-CN202310573183.5在审
发明人：苌凤义 -专利权人：中科苏州微电子产业技术研究院
申请日： 2023-05-22 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： H01L27/085 文献下载
摘要：本发明公开了一种石墨烯导电的高电子迁移率晶体管逻辑电路及其制备方法，它包括绝缘衬底、形成在所述绝缘衬底任一表面上的金刚石buffer层以及形成在所述金刚石buffer层另一表面上的第一栅极、电源电级和输出电极，它还包括：石墨烯层，所述石墨烯层形成在所述金刚石buffer层的另一表面上；第二栅极，所述第二栅极形成在所述石墨烯层的外表面上；所述石墨烯层在与所述第一栅极、所述第二栅极对应处分别形成第一石墨烯调制区、第二石墨烯调制区；地电极，所述地电极形成在所述石墨烯层的外表面上。可以突破实现异质结HEMT中二维电子气的迁移率，进而提高器件速率。
一种石墨导电电子迁移率晶体管逻辑电路及其制备方法

[发明专利]互补式高电子迁移率晶体管-CN202111587039.4在审
发明人：侯信铭 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2021-12-23 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： H01L27/085 文献下载
摘要：本发明公开一种互补式高电子迁移率晶体管，其包含一基底，一N型高电子迁移率晶体管和一P型高电子迁移率晶体管设置于基底上，N型高电子迁移率晶体管包含一第一未掺杂氮化镓层、一第一量子局限沟道、一第一未掺杂III‑V族氮化物层和一N型III‑V族氮化物层由下至上堆叠，一第一栅极、一第一源极和一第一漏极设置在第一未掺杂氮化镓层的上方，P型高电子迁移率晶体管包含一第二未掺杂氮化镓层、一第二量子局限沟道、一第二未掺杂III‑V族氮化物层和一P型III‑V族氮化物层由下至上堆叠，一第二栅极、一第二源极和一第二漏极设置在第二未掺杂氮化镓层的上方。
互补电子迁移率晶体管

[发明专利]高电子迁移率晶体管芯片及其制备方法-CN202110739073.2有效
发明人：李瑶;吴志浩;王江波 -专利权人：华灿光电（浙江）有限公司
申请日： 2021-06-30 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： H01L27/085 文献下载
摘要：本发明公开了一种高电子迁移率晶体管芯片及其制备方法，属于半导体光电技术领域。高电子迁移率晶体管芯片包括衬底与n个相互间隔地层叠在衬底上的外延结构，衬底包括依次层叠的绝缘导热层、导电金属层及衬底主体。n个外延结构中存在相互独立的两个外延结构之间的互联。衬底主体起到支撑及源极连接作用。导电金属层导电并键合到绝缘导热层，便于制备。绝缘导热层、导电金属层及衬底主体的制备要求以及成本较低。导电金属层用于引出引脚，不需要额外从高电子迁移率晶体管芯片上剥离衬底，也可以后续封装等操作。减少制备手续，可以降低最终得到的HEMT的成本的同时保证HEMT的质量。
电子迁移率晶体管芯片及其制备方法

[发明专利]一种自补偿的气敏集成场效应管结构-CN202110084730.4有效
发明人：袁震;太惠玲;蒋亚东;梁俊阁;赵秋妮;段晓辉 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2021-01-21 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： H01L27/085 文献下载
摘要：本发明公开了气敏集成场效应管结构，属于气体传感器技术领域，具体涉及一种自补偿的气敏集成场效应管结构，该结构包括主敏感单元场效应管与补偿单元场效应管，采用双同型场效应管共极结构，利用主敏感单元与补偿单元场效应管敏感栅的吸附敏感功能，调制双场效应管分压，实现气敏场效应管结构对主测试气体的选择性自补偿信号输出。本发明所述的自补偿气敏集成场效应管结构可消除特定干扰气体对气敏场效应管敏感特性的影响，提升气敏场效应管的气敏选择性，提高气敏场效应管输出信号可靠性，在环境监测、食品安全及军事等领域均具有广泛的应用前景。
一种补偿集成场效应结构

[实用新型]电子组件和电子结构-CN202220776918.5有效
发明人： M·诺恩盖拉德;T·欧埃克斯 -专利权人：埃克斯甘公司
申请日： 2022-04-06 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： H01L27/085 文献下载
摘要：本公开涉及一种电子组件和电子结构。该电子组件包括：至少两个基本模块，沿着堆叠方向堆叠；至少两个第一接触层，分别对应于至少两个基本模块，其中至少两个基本模块中的每个基本模块包括：沿着堆叠方向从该基本模块的第二侧到第一侧，第二高电子迁移率HEMT晶体管和第一HEMT晶体管，第一HEMT晶体管和所述第二HEMT晶体管共同具有源极电极、漏极电极和栅极电极；绝缘层，在第一HEMT晶体管与第二HEMT晶体管之间；以及其中至少两个第一接触层中的每个第一接触层在相应基本模块的第一侧与相应基本模块的栅极电极接触，并且每个第一接触层包括出现在相应基本模块的边缘表面之外的电接触点。
电子组件结构

[发明专利]一种集成反相器及其制备方法-CN202211066704.X在审
发明人：王霄;王东;黄永;杨旭豪;陈财;陈兴;吴勇 -专利权人：西安电子科技大学芜湖研究院
申请日： 2022-08-30 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： H01L27/085 文献下载
摘要：本发明公开了一种集成反相器及其制备方法，器件包括：具有第一区域和第二区域的衬底；衬底在第一区域的厚度大于在第二区域的厚度；缓冲结构层，设置于第二区域的衬底上；第一导电结构层和第二导电结构层，依次设置于缓冲结构层上，且第一导电结构层和第二导电结构层具有间隔的第一子区域和第二子区域，第一子区域的第一导电结构层和第二导电结构层形成异质结；第三导电结构层，设置于第二子区域的第二导电结构层上；第一源极和第二栅极之间以及第一漏极和第二源极之间电连接，第一栅极和第三栅极电连接为集成反相器的输入端，第二漏极和第三源极电连接为集成反相器的输出端；第三漏极为集成反相器的驱动电源连接端。本发明中的器件，集成度高。
一种集成反相器及其制备方法

[实用新型]电子设备及结构-CN202220789092.6有效
发明人： M·诺恩盖拉德;T·欧埃克斯 -专利权人：埃克斯甘公司
申请日： 2022-04-06 - 公布日： 2023-04-21 - 主分类号： H01L27/085 文献下载
摘要：本公开涉及电子设备及结构。该电子设备设置有两个高电子迁移率晶体管，这两个高电子迁移率晶体管彼此堆叠并且共同具有源极电极、漏极电极和栅极电极。例如，这些电极中的每一个垂直于两个晶体管延伸。例如，源极电极和漏极电极电接触每个晶体管的导电沟道，使得上述沟道并联地电连接。通过本公开的实施例，可以例如增加可能流过上述设备的电流密度。
电子设备结构

[发明专利]在部分栅极下有硅锗层的延伸漏极金属氧化物半导体装置-CN202211066095.8在审
发明人： F·霍尔兹穆勒;R·杰恩;P·巴尔斯 -专利权人：格芯（美国）集成电路科技有限公司
申请日： 2022-09-01 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H01L27/085 文献下载
摘要：本发明涉及在部分栅极下有硅锗层的延伸漏极金属氧化物半导体装置，揭示用于延伸漏极金属氧化物半导体装置的结构以及形成用于延伸漏极金属氧化物半导体装置的结构的方法。该结构包括包含第一半导体材料的半导体衬底、位于该半导体衬底中的源极区及漏极区、在该源极区与该漏极区间沿横向方向设置的栅极电极、以及设置于该半导体衬底上的半导体层。该半导体层包含成分不同于该第一半导体材料的第二半导体材料。该栅极电极包括在该半导体层上方沿垂直方向设置的第一段以及在该半导体衬底上方沿该垂直方向设置的第二段。
部分栅极下有硅锗层延伸金属氧化物半导体装置

[发明专利]半导体装置-CN202211083129.4在审
发明人：王业宏;川崎贤人 -专利权人：住友电工光电子器件创新株式会社
申请日： 2022-09-06 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： H01L27/085 文献下载
摘要：本公开提供一种能抑制基板的破损的半导体装置。半导体装置具备：基板(10)，表面(15)具有在第一方向延伸并对置的第一长边(32a)和第二长边(32b)以及在与所述第一方向交叉的第二方向延伸并对置的第一短边(30a)和第二短边(30b)；源极指(12)，设于所述表面；漏极指(16)，设于所述表面；以及栅极指(14)，设于所述表面，夹在所述源极指与所述漏极指之间，在所述基板设有贯通所述基板的过孔(22)，在所述表面，所述过孔与所述源极指连接的区域容纳在所述源极指内，所述过孔的所述第一方向上的最大宽度比所述过孔的所述第二方向上的最大宽度大。
半导体装置

[发明专利]栅极阵列结构一体化器件及其制备方法-CN202211223119.6在审
发明人：张濛;邹旭;马晓华;杨凌;侯斌;武玫;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2022-10-08 - 公布日： 2023-02-24 - 主分类号： H01L27/085 文献下载
摘要：本发明公开了一种栅极阵列结构一体化器件及其制备方法，涉及半导体器件技术领域，包括：衬底；缓冲层，位于衬底的一侧；沟道层，位于缓冲层背离衬底的一侧；势垒层，位于沟道层背离衬底的一侧；钝化层，位于势垒层背离衬底的一侧；第一沟槽，沿垂直于衬底的方向贯穿钝化层和势垒层，以及至少部分沟道层；第二沟槽，沿垂直于衬底的方向贯穿钝化层和势垒层；第二沟槽位于第一沟槽之间；第一栅极作为射频栅，第一栅极包括第一支部和第二支部，第一支部位于沟道层的第一沟槽内，第二支部位于第二沟槽内，第一支部和第二支部形成阵列结构；第二栅极为直流栅；第二栅极与第一栅极沿第二方向间隔排布。本申请能够有效保证一体化器件信号的高线性度。
栅极阵列结构一体化器件及其制备方法

[发明专利]一种堆叠式增强型GaN HEMT器件及其制备方法-CN202211257095.6在审
发明人：沈玲燕;程新红;郑理;俞文杰 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2022-10-14 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： H01L27/085 文献下载
摘要：本发明涉及一种堆叠式增强型GaN HEMT器件及其制备方法，所述器件采用背栅SOILDMOS与D‑mode GaN HEMT形成堆叠式Cascode结构，实现增强型。本发明的阈值电压由背栅SOILDMOS决定，可以通过调节硅离子注入和BOX层厚度实现增强型，同时相比于传统系统级封装(SystemInaPackage，SIP)的cascade增强型GaN器件，本发明提出的堆叠式结构实现了SOC(SystemOnaChip)，减小了寄生参数，节约了芯片面积，降低了器件成本，更有利于器件的高频、小型化应用。
一种堆叠增强 gan hemt 器件及其制备方法

[发明专利]GaN基开关集成单元与GaN基开关管的晶圆结构的制备方法-CN202110111817.6有效
发明人：徐敏;张卫;王晨;徐赛生 -专利权人：复旦大学
申请日： 2021-01-27 - 公布日： 2023-01-24 - 主分类号： H01L27/085 文献下载
摘要：本发明提供了一种GaN基开关集成单元与GaN基开关管的晶圆结构的制备方法，其中的制备方法，包括：在所述P型衬底上形成若干N阱；在所述P型衬底上依次外延多个外延层；基于所述多个外延层，形成每个GaN基开关管的器件层；其中的第一GaN基开关管的器件层形成在所述N阱上，第二GaN基开关管的器件层形成在所述N阱外的所述P型衬底上；在所述第一GaN基开关管的器件层与所述第二GaN基开关管的器件层上分别形成第一衬底连接部与第二衬底连接部。本发明兼顾了高侧管、低侧管的集成需求，以及高侧管、低侧管衬底电压变化的一致性。
gan 开关集成单元结构制备方法

[发明专利]一种功率器件以及相应的制作方法-CN202211055320.8在审
发明人：施雯;李茂林;银发友 -专利权人：杭州云镓半导体科技有限公司
申请日： 2022-08-31 - 公布日： 2022-12-20 - 主分类号： H01L27/085 文献下载
摘要：本发明涉及半导体制造技术领域，公开了一种功率器件以及相应的制作方法，包括多个基本器件单元，每一个基本器件单元包括栅极、位于栅极两侧的源极和漏极；其中，至少一个基本器件单元的源极包括第一源极和第二源极，其他基本器件单元的源极仅包括第一源极；所述第一源极和第二源极隔离设置，且所述第一源极和对应基本器件单元的栅极、漏极构成MainFET，所述第二源极和对应基本器件单元的栅极、漏极构成SenseFET；本发明提出的一个新型的分布式的功率器件电流采样结构，和传统电流采样结构相比，在提高SenseFET电流检测准确定度的同时又能减少因SenseFET引起的功耗。
一种功率器件以及相应制作方法

[发明专利]半导体装置及制造半导体装置的方法-CN201610943990.1有效
发明人：傅淑芳;黄崎峰;陈家忠;梁其翔;蔡辅桓 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2016-11-02 - 公布日： 2022-12-20 - 主分类号： H01L27/085 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种半导体装置，包括由衬底延伸的鳍片、第一源极/漏极特征、第二源极/漏极特征以及在鳍片上的栅极结构。栅极结构以及第一源极/漏极特征之间的距离不同于栅极结构以及第二源极/漏极特征之间的距离。
半导体装置制造方法

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