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[发明专利]一种基于笼目结构的MgB3-CN202211017509.8有效
发明人： 安义鹏;李丹;朱明甫;孙爱丽;康军帅;武大鹏;武志强;马传琦;刘尚鑫;王金凤;宋桂林;张娜 -专利权人：河南师范大学
申请日： 2022-08-24 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： C01B35/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于笼目结构的MgB3超导体材料，所述MgB3超导体材料是由笼目结构的硼原子层和菱形结构的镁原子层交错堆叠而成的范德华层状材料，该MgB3超导体材料晶格结构信息为：镁原子处于两个笼目结构的硼原子层的六元环的中心位置，晶体空间群为P6/mmm，晶格常数为a=3.465Å，c=3.593Å，B‑B原子键长为1.733Å。本发明所述的基于笼目结构的MgB3超导体材料具有结构简单、质量轻及本征超导转变温度高的特点，是已知的笼目结构超导体中最高的；该基于笼目结构的MgB3超导体材料的超导转变温度可通过外部应力应变微调。
一种基于结构 mgb base sub

[发明专利]一种基于MnBi2-CN202010889708.2有效
发明人： 安义鹏;朱明甫;武大鹏;马传琦;刘尚鑫;康军帅;焦照勇;贾光瑞;董晓 -专利权人：河南师范大学
申请日： 2020-08-28 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于MnBi2Te4单层的纳米尺度PN结二极管整流器，属于纳米尺度电子器件技术领域。本发明的技术方案要点为：一种基于MnBi2Te4单层的纳米尺度PN结二极管整流器，其由MnBi2Te4材料的单层结构构成，该MnBi2Te4材料的单层结构一端进行P型掺杂，另一端进行N型掺杂，构成PN结结构，在PN结结构两端分别施加漏极电极和源极电极，并放置于诸如二氧化硅等衬底上，构成二极管结构，在二极管结构两端分别施加正向偏压和反向偏压时，该二极管结构表现出整流特性。本发明具有结构超薄、尺寸可调、整流效果显著等优良特点。
一种基于 mnbi base sub

[发明专利]一种基于MnBi2-CN202010888248.1有效
发明人： 安义鹏;朱明甫;武大鹏;马传琦;刘尚鑫;康军帅;焦照勇;徐国亮;王永永 -专利权人：河南师范大学
申请日： 2020-08-28 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于MnBi2Te4单层的纳米尺度场效应晶体管结构，属于纳米尺度电子器件技术领域。本发明的技术方案要点为：一种基于MnBi2Te4单层的纳米尺度场效应晶体管，其由MnBi2Te4材料的单层结构构成；该MnBi2Te4材料的单层结构一端进行P型掺杂，另一端进行N型掺杂，中间区为其本征结构，构成一个PIN结结构；再在PIN结结构两端分别施加漏极电极和源极电极，上下两侧一次施加二氧化硅电介质和栅极，构成场效应晶体管，在场效应晶体管两端分别施加正向偏压和反向偏压时，该场效应晶体管表现出整流特性，进一步通过栅极电压来调控其整流作用。本发明具有结构超薄、尺寸可调、性能优良等优点。
一种基于 mnbi base sub

[发明专利]一种基于MoSi2-CN202211017513.4在审
发明人： 安义鹏;高怡帆;朱明甫;武大鹏;武志强;马传琦;刘尚鑫;王金凤;宋桂林;张娜 -专利权人：河南师范大学
申请日： 2022-08-24 - 公布日： 2022-12-06 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于MoSi2N4单层的纳米二极管器件，该纳米二极管器件是基于MoSi2N4材料的单层结构，在其两端分别进行P型半导体掺杂和N型半导体掺杂，并保留中间区为其本征结构，构造成MoSi2N4单层的PN结结构，并在其两端分别施加漏极（D）电极和源极（S）电极，构造成PN结纳米二极管器件。本发明设计的基于MoSi2N4材料的单层PN结纳米二极管器件呈现出强整流效应，且具有高整流比并表现出强的电各向异性。
一种基于 mosi base sub

[发明专利]一种基于MnBi2-CN202010888234.X有效
发明人： 安义鹏;朱明甫;武大鹏;马传琦;刘尚鑫;赵永;康军帅;焦照勇;张达崴 -专利权人：河南师范大学
申请日： 2020-08-28 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： H01L31/105 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于MnBi2Te4单层的纳米尺度光电传感器，属于纳米尺度光电器件技术领域。本发明的技术方案要点为：一种基于MnBi2Te4单层的纳米尺度光电传感器，其由MnBi2Te4材料的单层结构构成；该MnBi2Te4材料的单层结构一端进行P型掺杂，中间区为MnBi2Te4单层的本征结构，另一端进行N型掺杂，构造成PIN结结构；将该PIN结结构放置于诸如二氧化硅等衬底上，并在其两端施加漏极电极和源极电极，构造成光电传感器，当在光电传感器中间区域施加可见光照射时，该光电传感器发生相应光电响应。本发明具有结构超薄、尺寸可调、能耗低等优点。
一种基于 mnbi base sub

[发明专利]基于硒化铜单层的具有负微分电阻和开关作用的纳米器件-CN201811549341.9有效
发明人： 安义鹏;康军帅;焦聚涛;王天兴;焦照勇;张朝晖;笪海霞 -专利权人：河南师范大学
申请日： 2018-12-18 - 公布日： 2021-08-27 - 主分类号： H01L29/24 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于硒化铜单层的具有负微分电阻和开关作用的纳米器件，属于纳米尺度电子器件技术领域。本发明的技术方案要点为：一种基于硒化铜单层的具有负微分电阻和开关作用的纳米器件，该纳米器件由具有六角蜂窝状结构的硒化铜单层构成，通过设计在具有类石墨烯结构的六角蜂窝状硒化铜单层上分别沿着扶手椅型和锯齿型方向搭建四电极双电路系统，实现负微分电阻和开关作用。
基于硒化铜单层具有微分电阻开关作用纳米器件

[发明专利]一种基于过渡金属二硫化物侧面异质结的光子探测器-CN201911290347.3在审
发明人： 安义鹏;朱明甫;马传琦;马天里;刘尚鑫;赵永;武大鹏;赵传熙;康军帅;焦照勇 -专利权人：河南师范大学
申请日： 2019-12-16 - 公布日： 2020-05-12 - 主分类号： H01L31/109 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于过渡金属二硫化物侧面异质结的光子探测器，属于纳米尺度电子器件技术领域。本发明的技术方案要点为：一种基于过渡金属二硫化物侧面异质结的纳米尺度光子探测器，由具有金属特性的1T相结构的二硫化钒单层与呈现半导体特性的2H相结构的二硫化钼单层组成的单层侧面异质结构成。本发明所述的光子探测器三极管结构超薄，厚度不足4埃，大小尺寸可据实际需要灵活调控定制且功耗较低。本发明具有结构超薄、尺寸可调、蓝光探测效果显著及功耗低等优良特点。
一种基于过渡金属二硫化物侧面异质结光子探测器

[发明专利]一种基于过渡金属二硫化物侧面异质结的纳米尺度整流器-CN201911202739.X在审
发明人： 安义鹏;朱明甫;马传琦;马天里;刘尚鑫;赵永;武大鹏;赵传熙;康军帅;焦照勇 -专利权人：河南师范大学
申请日： 2019-11-29 - 公布日： 2020-04-03 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于过渡金属二硫化物侧面异质结的纳米尺度整流器，属于纳米尺度电子器件技术领域。本发明的技术方案要点为：一种基于过渡金属二硫化物侧面异质结的纳米尺度整流器，由具有1T相结构的二硫化钒及2H相的二硫化钼单层构成一个侧面异质结结构，且漏极施加在1T相的二硫化钒单层区域，源极施加在2H相的二硫化钼单层区域，构成一个二极管结构，其施加有限偏压时，正向电压在超过0.4V阈值时可以导通，而反向电压则始终保持不导通状态，表现出极好的整流性质，整流比率高达107数量级，整流二极管结构超薄，厚度不足4埃，大小尺寸可据实际需要灵活调控定制，且功耗较低。本发明具有结构超薄、尺寸可调、整流比率极高、功耗低的优良特点。
一种基于过渡金属二硫化物侧面异质结纳米尺度整流器

[发明专利]离子交换法制备氯氧化铋/碘氧化铋复合超薄纳米片的方法-CN201710721493.1有效
发明人：武大鹏;王晓璐;安义鹏;徐芳;高志永;蒋凯 -专利权人：河南师范大学
申请日： 2017-08-22 - 公布日： 2020-01-14 - 主分类号： B01J27/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种离子交换法制备氯氧化铋/碘氧化铋复合超薄纳米片的方法，将五水合硝酸铋和聚乙烯吡咯烷酮溶于乙二醇溶液中，室温搅拌至完全溶解，取饱和氯化钠溶液加入到上述溶液中，继续搅拌得到白色浑浊溶液，转移至水热反应釜中于140‑180℃反应，再于60℃真空干燥制得产物氯氧化铋超薄纳米片，将氯氧化铋超薄纳米片分散到饱和碘化钾溶液中，于25‑50℃搅拌3‑12h制得目标产物氯氧化铋/碘氧化铋复合超薄纳米片。本发明操作简单易行且重复性好，合成的氯氧化铋/碘氧化铋复合超薄纳米片具有超薄二维结构，比表面积大，且氯氧化铋/碘氧化铋复合超薄纳米片带隙合适，光响应范围较宽，因而在光学、电学和热学等相关领域具有较好的应用前景。
离子交换法制备氧化复合超薄纳米方法

[发明专利]一种超声法制备具有氧缺陷的氯氧化铋片状晶体的方法-CN201710721475.3有效
发明人：武大鹏;王晓璐;安义鹏;徐芳;高志永;蒋凯 -专利权人：河南师范大学
申请日： 2017-08-22 - 公布日： 2019-11-01 - 主分类号： C01G29/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种超声法制备具有氧缺陷的氯氧化铋片状晶体的方法，属于无机纳米材料氯氧化铋的合成技术领域。本发明的技术方案要点为：一种超声法制备具有氧缺陷的氯氧化铋片状晶体的方法，具体包括采用溶剂热法制备氯氧化铋超薄纳米片和采用超声法制备具有氧缺陷的氯氧化铋片状晶体等步骤。本发明引入氧缺陷的操作工艺简便易行，重复性好，引入的氧缺陷分布均匀，易于调控，可有效提高其对可见光的吸收。另外，氧空位的引入在材料表面形成缺陷，暴露大量不饱和配位键，可作为催化活性位点提高材料的催化效率。
氯氧化铋氧缺陷片状晶体超声引入催化活性位点技术方案要点无机纳米材料超薄纳米片操作工艺催化效率合成技术可见光不饱和配位键溶剂热氧空位暴露调控吸收

[发明专利]一种基于氢化硼烯的纳米尺度电流限制器-CN201811077750.3有效
发明人： 安义鹏;康军帅;焦聚涛;武大鹏;刘志勇;王天兴;焦照勇 -专利权人：河南师范大学
申请日： 2018-09-16 - 公布日： 2019-07-26 - 主分类号： H02H9/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于氢化硼烯的纳米尺度电流限制器，属于纳米尺度电子器件技术领域。本发明的技术方案要点为：一种基于氢化硼烯的纳米尺度电流限制器，由具有类石墨烯结构的蜂窝状氢化饱和单层硼烯构成，氢化饱和单层硼烯上根据原子排列位置在相互垂直的锯齿型方向和扶手椅型方向分别搭建电路组建四电极双电路系统，无论电路在锯齿型方向还是扶手椅方向导通，电路均表现出各向同性的电流限制作用。该氢化硼烯纳米尺度电流限制器性能优良，当电压达到0.6伏特阈值时即可实现电流限制作用。本发明具有结构超薄、尺寸可调、功耗低的优良特点。
纳米尺度电流限制器氢化硼扶手椅电流限制作用电路饱和单层锯齿型氢化技术方案要点类石墨烯结构双电路系统尺寸可调电子器件原子排列垂直的蜂窝状四电极阈值时导通功耗组建表现

[发明专利]一种基于硼烯的纳米开关器件-CN201810339107.7在审
发明人： 安义鹏;焦聚涛;康军帅;武大鹏;刘志勇;赵永;丁兴东;焦照勇 -专利权人：河南师范大学
申请日： 2018-04-16 - 公布日： 2018-11-06 - 主分类号： H01L27/085 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于硼烯的纳米开关器件，属于纳米开关器件技术领域。本发明的技术方案要点为：一种基于硼烯的纳米开关器件，由具有褶皱型的双面氢化饱和的单层硼烯构成，硼烯上根据原子排列位置在相互垂直的L型方向和Z型方向分别搭建电路组建四电极双电路系统，当开关旋转至L型方向电路并构成闭合回路时电路处于开态，当开关旋转至Z型方向并构成回路时电路处于关态。本发明具有结构超薄、尺寸可调、性能优良的特点，该硼烯纳米开关器件性能优良，在0.5V偏压附近可保持较高的开/关比率。
纳米开关电路褶皱技术方案要点器件技术领域双电路系统闭合回路尺寸可调方向电路器件性能原子排列垂直的四电极单层关态开态氢化饱和组建

[发明专利]一种柔性敏化太阳能电池对电极的制备方法-CN201510805063.9在审
发明人：武大鹏;高志永;安义鹏;徐芳;王红菊;蒋凯 -专利权人：河南师范大学
申请日： 2015-11-21 - 公布日： 2016-02-24 - 主分类号： H01G9/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种柔性敏化太阳能电池对电极的制备方法，属于太阳能电池技术领域。本发明的技术方案要点为：将金属丝用砂纸打磨干净后依次用蒸馏水、乙醇和丙酮超声清洗，干燥备用；将上述处理过的金属丝浸泡于硫源溶液中，于120-150℃水热反应4-8h，降至室温后将金属丝清洗干净并干燥，然后置于惰性气氛中于200-300℃热处理30-60min得到表面包覆一层纳米片状金属硫化物的金属丝即柔性敏化太阳能电池对电极。本发明制备的对电极在金属丝上原位生长金属硫化物纳米片具有较高的比表面积和原子级的片层厚度而表现出较强的催化性能，同时在金属丝上生长的柔性对电极材料有利于电子的快速传输，从而促进电解液还原再生提高电池的电化学性能。
一种柔性太阳能电池电极制备方法

[发明专利]一种基于硼氮原子链的负微分电阻原子尺度纳米器件-CN201510654878.1在审
发明人： 安义鹏;张梦君;刘海瑞;刘志勇;王天兴;付召明;焦照勇 -专利权人：河南师范大学
申请日： 2015-10-12 - 公布日： 2016-02-24 - 主分类号： H01L29/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于硼氮原子链的负微分电阻纳米器件，由左电极、右电极及左电极和右电极之间的硼氮原子链构成，其中左电极和右电极分别为锯齿型硼氮石墨烯纳米条带，硼氮原子链根据硼原子和氮原子个数不同分为以下三类B_nN_n+1、B_nN_n-1和B_nN_n，硼氮原子链中硼原子与氮原子交替连接并且该硼氮原子链的两端分别连接左电极和右电极。本发明通过调控硼氮原子链中硼氮原子个数来实现不同的电子输运性质，得到不同的负微分电阻行为，可作为负微分电阻原子尺度纳米器件的候选材料。
一种基于原子微分电阻尺度纳米器件

[发明专利]一种硫硒化合物复合阵列的制备方法-CN201510807408.4在审
发明人：武大鹏;王红菊;高志永;徐芳;安义鹏;蒋凯 -专利权人：河南师范大学
申请日： 2015-11-21 - 公布日： 2016-01-27 - 主分类号： H01G9/042 文献下载
摘要：本发明公开了一种硫硒化合物复合阵列的制备方法，属于太阳能电池技术领域。本发明的技术方案要点为：一种硫硒化合物复合阵列的制备方法，具体包括表面覆盖有碱式碳酸铁或碱式碳酸钴的导电玻璃片的制备和硫硒化合物复合阵列的制备等步骤。本发明制备方法简单，反应条件温和，制得的硫硒化合物复合阵列具有良好的电子传输通道和催化活性，因而表现出良好的电化学特性和催化性能，能够很好地应用于量子点敏化太阳能电池的对电极，在太阳能电池中具有广阔的应用前景。
一种化合物复合阵列制备方法

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