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[实用新型]VDMOS管芯的单脉冲雪崩击穿能量的测量电路-CN202121727016.4有效
发明人：葛伟坡;潘建峰;王丽高 -专利权人：杭州士兰集成电路有限公司;杭州士兰集昕微电子有限公司
申请日： 2021-07-27 - 公布日： 2022-03-15 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：公开了一种VDMOS管芯的单脉冲雪崩击穿能量的测量电路，包括：从第一测试端到第二测试端依次连接的直流电源和储能元件；第一VDMOS管芯，第一VDMOS管芯连接于储能元件和第二测试端之间；第二VDMOS管芯，第二VDMOS管芯的源极和漏极分别与测量电路的第一测试端和第二测试端连接；以及脉冲电源，脉冲电源连接于第一测试端以及第二VDMOS管芯的栅极之间。本实用新型的VDMOS管芯的单脉冲雪崩击穿能量的测量电路增加一个第一VDMOS管芯，通过第一VDMOS管芯实现第二VDMOS管芯的漏极的连接，以实现所述VDMOS管芯的测试。
vdmos 管芯脉冲雪崩击穿能量测量电路

[发明专利]一种具备SJ SBD的SJ VDMOS及制备方法-CN202311035966.4在审
发明人：吴龙江 -专利权人：深圳天狼芯半导体有限公司
申请日： 2023-08-17 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供一种具备SJ SBD的SJ VDMOS及制备方法，该SJ VDMOS包括：SJ SBD；所述SJ SBD的阳极与SJ VDMOS的源极连接；所述SJ SBD的阴极与所述SJ VDMOS的漏极连接本发明的SJ VDMOS不仅具有常规超结功率器件的高耐压和低导通电阻的特性，还能够通过与SJ SBD的整合，使得本发明的SJ VDMOS的开关速度远远大于常规SJ VDMOS，并且由于关闭时的浪涌电流不经过本发明的SJ VDMOS的体二极管，还能够增加本发明的SJ VDMOS的可靠度。
一种具备 sj sbd vdmos 制备方法

[发明专利]一种具有温度采样和过温保护功能的复合VDMOS器件-CN201110399904.2无效
发明人：李泽宏;任敏;张灵霞;邓光敏;刘小龙;谢加雄;李婷;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2011-12-06 - 公布日： 2012-03-28 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：一种具有温度采样和过温保护功能的复合VDMOS器件，属于功率半导体器件领域。本发明集成了VDMOS器件、多晶硅热敏二极管和过温保护电路，利用多晶硅热敏二极管正向压降的负温度特性，将其制作于VDMOS器件表面的绝缘层上以实现VDMOS器件工作温度的采样；过温保护电路基于多晶硅热敏二极管的温度采样信号对整个复合VDMOS器件的栅输入电压Vin进行分压得到VDMOS器件的栅控电压VG，进而对VDMOS器件实现过温保护：即当VDMOS器件工作温度达到TH时，关断VDMOS器件；当VDMOS器件关断后内部温度降到TL时，启动VDMOS器件；其中ΔT＝TH-TL为温度回差。本发明能够实现对VDMOS器件温度的精确采样和过温保护，以防止器件的热失效和增加器件使用寿命，具有结构简单、采样精确度高、与VDMOS器件工艺兼容、单片集成等优点。
一种具有温度采样保护功能复合 vdmos 器件

[发明专利]VDMOS电磁脉冲效应的仿真方法、系统及设备-CN202210158028.2在审
发明人：杨静琦;周洁;姜来;马喆;朱云亮;肖柯;王智斌 -专利权人：中国航天科工集团第二研究院
申请日： 2022-02-21 - 公布日： 2022-06-17 - 主分类号： G06F30/36 文献下载
摘要：本发明公开了VDMOS电磁脉冲效应的仿真方法、系统、仿真设备及存储介质。涉及仿真技术领域。将ESD防护加入VDMOS器件的仿真结构中，使得VDMOS应对外界电磁脉冲的自身条件更接近现实，可有效指导VDMOS电磁脉冲防护设计。仿真方法包括：构建模型，模型包括仿真模型和对比模型，仿真模型包括第一VDMOS以及与第一VDMOS电连接的静电防护结构，对比模型包括第二VDMOS；对对比模型所包括的第二VDMOS施加电磁脉冲，并获得脉冲曲线，以仿真第二VDMOS栅氧层峰值电场与电磁脉冲的关系；对对比模型所包括的第二VDMOS所包括的栅氧层击穿的电磁脉冲阈值条件进行仿真，确定电磁脉冲阈值。对仿真模型所包括的电极施加电流脉冲，获得脉冲曲线，以仿真第一VDMOS栅氧层峰值电场与电磁脉冲的关系。
vdmos 电磁脉冲效应仿真方法系统设备

[实用新型]整流器件及肖特基二极管-CN201820914767.9有效
发明人：全新;谭林山;范新愿 -专利权人：深圳市晶导电子有限公司
申请日： 2018-06-13 - 公布日： 2019-04-12 - 主分类号： H01L23/52 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种肖特基二极管，包括VDMOS管，VDMOS管的正面覆盖有将VDMOS管的源极和栅极短接的金属层、且该金属层作为肖特基二极管正极，VDMOS管的漏极金属电极作为肖特基二极管负极；还涉及一种整流器件，包括引线框架和芯片，引线框架包括承载芯片的本体以及第一管脚、第二管脚、第三管脚，第二管脚与本体电连接，芯片包括第一VDMOS芯片和第二VDMOS芯片，第一VDMOS芯片和第二VDMOS芯片均形成上述肖特基二极管结构，且第一VDMOS芯片和第二VDMOS芯片采用共阴连接结构或共阳连接结构以实现整流。上述肖特基二极管和整流器件，均是通过对VDMOS改进所得，可有效地降低器件的功耗。
肖特基二极管整流器件连接结构引线框架芯片第二管金属层管脚肖特基二极管结构漏极金属电极正极本实用新型负极降低器件电连接有效地短接功耗源极承载覆盖改进

[实用新型]一种功率VDMOS器件远程测试系统-CN201821116551.4有效
发明人：徐辉;王春林;高见头;赵发展;罗家俊;张刚 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2018-07-13 - 公布日： 2019-02-26 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本申请公开一种功率VDMOS器件远程测试系统，所述系统包括：位于辐照空间内的测试机箱、数字源表、VDMOS器件测试开发板，以及位于辐照空间外的第一控制装置；所述VDMOS器件测试开发板上安插有VDMOS器件；所述第一控制装置与所述测试机箱连接；所述测试机箱与所述VDMOS器件测试开发板连接，用于向所述VDMOS器件提供栅极测试电压，并采集所述VSMOS器件的栅极工作电压和所述VDMOS器件的栅极工作电流，反馈至所述测试机箱；所述数字源表分别与所述测试机箱、所述VDMOS器件测试开发板连接，用于在所述测试机箱控制下向所述VDMOS器件提供漏极测试电压，并采集所述VDMOS器件的漏极工作电压和所述VDMOS
测试机箱测试开发板功率VDMOS器件远程测试系统测试电压控制装置数字源表辐照漏极漏极工作电流栅极工作电压采集测试数据工作电流工作电压反馈安插申请保证

[发明专利]一种基于光伏应用的VDMOS旁路开关-CN201610171579.7有效
发明人：刘建;刘青;税国华;张剑乔 -专利权人：重庆中科渝芯电子有限公司
申请日： 2016-03-24 - 公布日： 2017-06-13 - 主分类号： H01L31/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于光伏应用的VDMOS旁路开关，由N沟道的具有超低导通压降的VDMOS、驱动控制模块和电容组成，VDMOS为核心部分，C+接电容正端，C‑接电容负端，G接VDMOS栅级，D+接VDMOS阳极，D‑接VDMOS阴级，该电路具有旁路开关能力。电容和驱动控制模块用于VDMOS的驱动控制，而该结构包括光伏电池元胞的旁路开关的VDMOS，当光伏电池元胞中出现热点时，电流就会经旁路开关流过而不会阻断，在一切都正常的情况下旁路开关不会起作用的。本设计的VDMOS，仿真得出旁路开关的导通压降可以降低到50mV以下，反向漏电流更小，功耗更低，温度特性更好，寿命更长和特性更稳定。
一种基于应用 vdmos 旁路开关

[实用新型]一种磁敏VDMOS器件-CN201020246052.4有效
发明人：王开 -专利权人：王开
申请日： 2010-07-01 - 公布日： 2011-02-02 - 主分类号： H01L27/22 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种磁敏VDMOS器件，包括VDMOS芯片和磁敏电阻，所述VDMOS芯片上设有绝缘介质，所述绝缘介质上设有磁敏电阻。本实用新型既可用外加磁场来控制VDMOS的通断，也可以利用VDMOS导通时产生的磁场来控制VDMOS的导通功率(电流)，去除了外界干扰信号的影响及可高速驱动，不产生任何额外的电能消耗，节约了能源。当温度变化时，此磁敏电阻的阻值也发生变化，因而也可以作为功率VDMOS的温度采样。
一种 vdmos 器件

[发明专利]具有温度及电压检测功能的功率半导体器件及制作方法-CN202011224004.X在审
发明人：王凡 -专利权人：上海若坝思特半导体有限公司
申请日： 2020-11-05 - 公布日： 2021-02-09 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明提供一种具有温度及电压检测功能的功率半导体器件及其制作方法，器件包括集成在同一衬底上的功率VDMOS器件、检测VDMOS器件及检测二极管；功率VDMOS器件与检测VDMOS器件的栅极相连及漏极相连，检测VDMOS器件的源极与检测二极管的正极相连，检测二极管的负极与功率VDMOS器件的源极相连并接地。本发明仅需在VDMOS集成一个或多个检测二极管，通过VDMOS开启和关闭两种状态、利用分时复用的方式采集检测二极管两端电压，从而对功率VDMOS器件同时进行温度、电压及电流监测，器件几乎没有额外功耗，同时无需额外外接检测电路或器件
具有温度电压检测功能功率半导体器件制作方法

[发明专利]低导通电阻功率VDMOS晶体管的制造方法-CN200710092960.5有效
发明人：张正元;冯志成;刘玉奎;胡明雨;郑纯 -专利权人：中国电子科技集团公司第二十四研究所
申请日： 2007-11-09 - 公布日： 2008-03-26 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明涉及一种低导通电阻功率VDMOS晶体管的制造方法。该方法是从降低两个VDMOS元胞之间正对漏端通道的导通电阻入手，在满足VDMOS管耐压的情况下，在N⁺硅片上的第一层N^－外延层中的VDMOS晶体管栅(即两个VDMOS元胞之间)的正下方的区域，增加一个重掺杂N⁺区，从根本上直接降低了导通电阻，实现了降低VDMOS晶体管导通电阻的目的。本发明有效地解决了VDMOS工艺制造领域中功率VDMOS晶体管的导通电阻难于降低的瓶颈问题。
通电功率 vdmos 晶体管制造方法

[实用新型]一种含有ESD保护结构的VDMOS器件-CN202120066830.X有效
发明人：王新强;王丕龙;秦鹏海;张永利;刘文 -专利权人：深圳佳恩功率半导体有限公司
申请日： 2021-01-12 - 公布日： 2021-08-03 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种含有ESD保护结构的VDMOS器件，属于VDMOS器件技术领域。该含有ESD保护结构的VDMOS器件包括基础组件和散热组件。所述基础组件包括VDMOS器件本体、ESD器件本体和引脚，所述ESD器件本体和所述引脚均设在所述VDMOS器件本体上，所述ESD器件本体和所述引脚均与所述VDMOS器件本体电性连接在一起，所述散热组件包括导热外壳、隔热外壳、气管、防护外壳、进气连接头和排气连接头，使用时，吸收热量后的气体通过排气连接头被排出，吸收热量后的气体再通过制冷设备被排出，该VDMOS器件的散热性能好，大大的提高了VDMOS器件本体和ESD
一种含有 esd 保护结构 vdmos 器件

[实用新型]一种用于单粒子激光脉冲试验的功率VDMOS器件-CN201320739599.1有效
发明人：高博;丁凯凯;刘刚;王立新;韩郑生;张彦飞;孙博韬 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2013-11-20 - 公布日： 2014-05-07 - 主分类号： H01L23/04 文献下载
摘要：本实用新型属于半导体试验测试技术领域，公开了一种用于单粒子激光脉冲试验的功率VDMOS器件；包括：VDMOS芯片以及表贴管壳；所述VDMOS芯片封装在所述表贴管壳内；在所述表贴管壳背面，对应VDMOS芯片漏极位置设置通孔本实用新型通过在VDMOS管的管壳上设置通孔，实现VDMOS管功率芯片的双向单粒子激光脉冲试验，从而更好的模拟功率器件的单粒子效应。
一种用于粒子激光脉冲试验功率 vdmos 器件

[发明专利]高压VDMOS器件结构及其制造方法-CN201010277296.3有效
发明人：张邵华;李敏;张凤爽 -专利权人：杭州士兰微电子股份有限公司
申请日： 2010-09-09 - 公布日： 2011-01-19 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提出的高压VDMOS器件结构在原有的VDMOS器件上增加栅极电阻，从而增强VDMOS器件的栅极抗电流冲击能力，大大增加对VDMOS器件栅极的保护，该器件结构简单，简化设计复杂度。同时本发明提出的高压VDMOS器件的制造方法可以在原有的工艺基础上实现，不需要改动工艺，制造简单。
高压 vdmos 器件结构及其制造方法

[发明专利]高压VDMOS器件结构及其制造方法-CN201210070588.9有效
发明人：张邵华;李敏;张凤爽 -专利权人：杭州士兰微电子股份有限公司
申请日： 2010-09-09 - 公布日： 2012-07-18 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本发明提出的高压VDMOS器件结构在原有的VDMOS器件上增加栅极电阻，从而增强VDMOS器件的栅极抗电流冲击能力，大大增加对VDMOS器件栅极的保护，该器件结构简单，简化设计复杂度。同时本发明提出的高压VDMOS器件的制造方法可以在原有的工艺基础上实现，不需要改动工艺，制造简单。
高压 vdmos 器件结构及其制造方法

[发明专利]一种集成VDMOS芯片及其制作方法-CN201210260934.X有效
发明人：马万里 -专利权人：北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司
申请日： 2012-07-25 - 公布日： 2014-02-12 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开了一种集成VDMOS芯片及其制作方法，用以制作集成有高阻值电阻、二极管和VDMOS的集成VDMOS芯片。该方法为：在多晶硅层上生长第一绝缘介质层，刻蚀形成电阻区、二极管区和VDMOS区；注入第一离子，形成二极管的第一电极区，以及形成VDMOS的体区；注入第二离子，形成二极管的第二电极区，以及形成VDMOS的源区；生长氮化硅层，在VDMOS区形成侧墙为氮化硅的凹槽后，注入第一离子，在凹槽对应的外延层的第四预定区域形成深体区；生长第二绝缘介质层，刻蚀形成各接触孔后制作金属层，形成集成VDMOS芯片。
一种集成 vdmos 芯片及其制作方法

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