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[发明专利]一种大尺寸芯片烧焊质量检验装置-CN202310556141.0在审
发明人：谭爽;周嵘;张亮;赵冲冲;江加丽;冉龙玄;吴俊德;王海锐;莫宏康;王博 -专利权人： 中国振华集团永光电子有限公司（国营第八七三厂）
申请日： 2023-05-17 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： G01N3/24 文献下载
摘要：本发明提供的一种大尺寸芯片烧焊质量检验装置，包括底座、安装板、夹具、折弯组件；所述安装板固定在底座上，夹具固定在安装板上，折弯组件铰接在夹具上，所述夹具包括装夹块,装夹块内加工有装夹槽,装夹槽内安装有推板,推板与螺纹推杆垂直连接，螺纹推杆通过螺纹装配在装夹块上，所述折弯组件包括连杆,连杆的一端通过转轴铰接在装夹块上，转轴上安装有第二滚筒,连杆上相邻于第二滚筒处安装有第一滚筒。本发明通过两个滚筒对芯片进行完全，使芯片在完全过程中均匀受力，所以能够对大于10mm2的芯片进行测试；通过推板可以调节芯片的高度，可以调节覆铜板的弯曲度和弯曲起始点，使装置能够适应多种规格的芯片。
一种尺寸芯片烧焊质量检验装置

[发明专利]一种氢氧合成点火器-CN202310775319.0在审
发明人：龙沛武;王智;王博;张云超;付航军;王宏;周嵘;黄亮;黄河源;莫宏康 -专利权人： 中国振华集团永光电子有限公司（国营第八七三厂）
申请日： 2023-06-28 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： F23Q7/10 文献下载
摘要：本发明提供的一种氢氧合成点火器，包括点火腔,点火腔通过上罩和引线闭合形成；陶瓷罩，两个陶瓷罩分别安装在上罩和引线内，陶瓷罩为半圆形，其上设有圆弧面；电阻丝，两条电阻丝分别设在陶瓷罩的圆弧面上，接线盘,接线盘固定在引线外壁底部，接线盘通过引线将电阻丝与控制装置连接；电偶，电偶伸入引线。本发明通过可以开合的上、下罩，点火器容易加工制作，并且上罩或下罩损坏可以直接取下更换，减少加工和维护成本，热电偶垂直设在点火腔的侧壁内，不会影响气体的流通。
一种合成点火器

[发明专利]一种IGBT功率循环试验方法及其试验电路-CN202311051123.3在审
发明人：廖从勇;黄河源;林闽;付立荣 -专利权人： 中国振华集团永光电子有限公司（国营第八七三厂）
申请日： 2023-08-21 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：一种IGBT功率循环试验方法及其试验电路，属于半导体器件测试领域。采用电流源I1提供恒定电流IC1作为加热电流对IGBT进行加热，采用电流源I2提供恒定电流IC2作为测量电流对IGBT的结电压VCE进行测量；电流源I1通过开关器件对IGBT进行加热，电流源I2产生的测量电流Ic2一直加载在IGBT的CE结通路中。在测量结温前，对结温与VCE压降关系进行标定，与VCE压降对应的结温即为IGBT的工作环境的温度；在设定的加热时长结束瞬间，测量IGBT的VCE压降，与VCE压降对应的结温即为设定加热电流下的最高结温。解决了现有技术中结温测量准确性较差的问题。可广泛应用于功率器件的功率循环试验中。
一种 igbt 功率循环试验方法及其电路

[发明专利]一种高稳定性稳压集成电路-CN202311055881.2在审
发明人：曹威;袁明雄;周嵘;王智;王博;陈江;杜先兵;梅青;袁桂英 -专利权人： 中国振华集团永光电子有限公司（国营第八七三厂）
申请日： 2023-08-22 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： G05F1/569 文献下载
摘要：一种高稳定性稳压集成电路，属于半导体集成电路领域。包括开启偏置电路模块、放大补偿输出电路模块、温度保护模块、安全工作区保护电路模块、静电保护模块。启动偏置电路模块正端与电源端连接，负端与输出端连接；安全工作区保护电路模块包括过流保护和过过压保护模块；温度保护模块、过流保护模块的负端与基准端连接，过压保护模块负端接地，放大补偿输出电路模块的基准电压输出端通过可调取样网络接地；偏置电流输出端分别与各电路模块对应的偏置电流输入端连接；温度保护模块、电流保护电路模块的输出端与放大补偿输出电路模块相应的端口连接。解决了现有稳压电路体积大、结构复杂、元器件种类数量繁多的问题。广泛应用于复杂环境中。
一种稳定性稳压集成电路

[发明专利]一种可调线性稳压集成电路-CN202311055184.7在审
发明人：曹威;袁明雄;王智;周嵘;王博;陈江;杜先兵;梅青;袁桂英 -专利权人： 中国振华集团永光电子有限公司（国营第八七三厂）
申请日： 2023-08-22 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： G05F1/569 文献下载
摘要：一种可调线性稳压集成电路，属于半导体集成电路领域。包括开启偏置电路模块、放大补偿输出电路模块、温度保护模块、安全工作区保护电路模块、静电保护模块。启动偏置电路模块正端与电源端连接，负端与输出端连接；温度保护模块、安全工作区保护电路模块的负端与基准端连接，安全工作区保护电路模块的电压取样端通过输出电压可调取样网络与输出端连接；偏置电流输出端分别与各电路模块对应的偏置电流输入端连接；温度保护模块、电流保护电路模块的输出端与放大补偿输出电路模块相应的端口连接，放大补偿输出电路模块的基准电压输出端通过可调取样网络接地。解决了现有稳压电路体积大、结构复杂、元器件种类数量繁多的问题。广泛应用于复杂环境中。
一种可调线性稳压集成电路

[发明专利]一种半导体器件的多功能腐蚀装置-CN201711404625.4有效
发明人：袁鹏;古进;郭荣;简青青;寿强亮 -专利权人： 中国振华集团永光电子有限公司（国营第八七三厂）
申请日： 2017-12-22 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体器件的多功能腐蚀装置，包括提手、篮架、酸洗盘、支架；所述支架安装在支架内，所述支架安装在篮架内，所述提手安装在篮架的上端，所述酸洗盘在支架内上下水平布置有若干排。本发明将酸、碱腐蚀工艺在一个腐蚀盘内进行，大大简化了酸碱腐蚀过程中产品的流转，其设计满足了酸腐蚀工艺中喷淋清洗工艺的需求，同时满足了碱腐蚀过程中提挂式的腐蚀清洗要求，该腐蚀盘同时满足两种生产工艺。同时腐蚀盘的设计与后续涂覆的设备兼容，大大简化了后续产品的流转方式，该发明提高了生产效率，具有较高的市场推广价值。
一种半导体器件多功能腐蚀装置

[实用新型]一种IGBT芯片-CN202321326223.8有效
发明人：江加丽;石文坤;冉龙玄;王智;莫宏康;赵冲冲 -专利权人： 中国振华集团永光电子有限公司（国营第八七三厂）
申请日： 2023-05-29 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本实用新型提供的一种IGBT芯片，包括漂移区；漂移区的正面中部加工有元胞组，元胞组的端面通过正面电极覆盖，漂移区的边缘加工有P+ring区,P+ring区的端面通过依次堆叠有场氧化层、SIN钝化层、PI钝化层，所述漂移区的背面依次加工有场截止区、P+背集电区、背部电极。本实用新型芯片背面的高能质子H+会形成具有电活性的杂质，结合芯片正面的低掺杂的Pbase和多晶硅栅、边缘的P+ring区，在不影响芯片静态参数的情况下，能有效减少载流子寿命，降低反向关断时间，缩短拖尾电流时间，降低器件关断损耗，从而提高芯片的高频开关表现。
一种 igbt 芯片

[实用新型]一种复合MPT结构的高频IGBT芯片-CN202321340530.1有效
发明人：莫宏康;冉龙玄;石文坤;王智;江加丽;赵冲冲 -专利权人： 中国振华集团永光电子有限公司（国营第八七三厂）
申请日： 2023-05-29 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本实用新型提供的一种复合MPT结构的高频IGBT芯片，包括漂移区。本实用新型通过微沟槽结构，将元胞尺寸缩小至2.4μm，同时在有源栅元胞中引入发射沟槽元胞，在不改变沟道长度等器件结构的基础上，通过合理分配有源栅元胞和发射沟槽元胞的比例，降低器件的米勒电容(Cres)，增大输入电容(Cies)与米勒电容(Cres)的比例，从而增加高频应用下IGBT的开通关断的可控性，提升高频表现。
一种复合 mpt 结构高频 igbt 芯片

[实用新型]一种分立电子元件保温盒-CN202321146874.9有效
发明人：张育坤;王庭豪;孙佳良;王丛超;严昌友 -专利权人： 中国振华集团永光电子有限公司（国营第八七三厂）
申请日： 2023-05-13 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： B65D81/18 文献下载
摘要：本实用新型提供一种分立电子元件保温盒，包括盒体、盒盖、金属载具和金属保温板，盒体上端开口，盒体开口端设有滑槽，盒盖设有滑台，滑台套合于滑槽内，金属载具固连于盒体内，金属保温板与盒盖固连，并且金属保温板与金属载具彼此上下对置。采用本实用新型的技术方案，在对电子元件进行耐高温或耐低温测试时，金属载具、金属保温板和电子元件同时放入高温烘箱或低温冷冻箱内，当将金属载具、金属保温板和电子元件取出后，由于金属载具、金属保温板和电子元件均是热的良导体，金属载具、金属保温板与电子元件均积聚了大量的热能，使电子元件表面积聚的热能不易散发，减缓了电子元件表面热能的散发速度，从而提高了对电子元件的保温效果。
一种分立电子元件保温

[发明专利]一种开关功率器件的叠层式封装结构-CN202310824392.2在审
发明人：吴俊德;周嵘;王智;陆超;江加丽;冉龙玄;张亮;赵冲冲;莫宏康;谭爽 -专利权人： 中国振华集团永光电子有限公司（国营第八七三厂）
申请日： 2023-07-06 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：本发明提供的一种开关功率器件的叠层式封装结构，包括：功率电极，功率电极之间呈叠层式排布，相邻层之间通过连接板连接；芯片，若干芯片安装在底部或中部的功率电极上，芯片的侧面有信号电极安装在功率电极上；所述芯片与功率电极之间通过功率导线连接，所述芯片与信号电极之间通过信号导线连接。DC+相、交流相、DC‑相竖直排布，电流路径较短，使得杂散电感、引线电阻等寄生参数较小，系统电性能更好；并且使得整个结构更加紧凑，尺寸更小；信号端子和功率端子由两侧引出，互不干扰；交流相夹在平行的两块大板DC+和DC‑之间，也有利于信号的抗干扰，系统具有更好的的抗干扰性能。
一种开关功率器件叠层式封装结构

[发明专利]一种集成反并联JBS的SiC槽栅MOSFET的制造方法-CN202310678076.9在审
发明人：易波;石文坤;向勇;周嵘;徐艺;朱枝勇;李歆伟 -专利权人： 中国振华集团永光电子有限公司（国营第八七三厂）;中国振华电子集团有限公司
申请日： 2023-06-08 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明属于碳化硅功率半导体技术领域，具体涉及一种集成反并联JBS的SiC槽栅MOSFET的制造方法，本方法提供一种高击穿电压、高栅氧可靠性、低比导通电阻以及低反向导通压降的SiC槽栅MOSFET。成功将不兼容的SiC MOSFET以及JBS制作工艺结合在一起，降低制造成本，并且实现了栅氧化层以及肖特基结的P型电场屏蔽层单元胞内接地，提高了接地效果。通过集成JBS，避免了功率SiC MOSFET器件寄生体PN结的导通，降低了反向导通压降以及抑制了双极性退化效应。
一种集成并联 jbs sic 槽栅 mosfet 制造方法

[发明专利]一种IGBT高抗振性能的封装-CN202310793564.4在审
发明人：吴俊德;石文坤;张亮;江加丽;冉龙玄;洪杜桥;陈侃;赵冲冲;莫宏康;谭爽 -专利权人： 中国振华集团永光电子有限公司（国营第八七三厂）
申请日： 2023-06-30 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H01L25/18 文献下载
摘要：本发明提供的一种IGBT高抗振性能的封装，包括陶瓷覆铜板,陶瓷覆铜板上印刷有三个图案相同的焊接区；其特征在于：底板,底板贴合固定在陶瓷覆铜板下端；塑料框架,塑料框架固定在底板上从侧面将盖板包围；功率端子和信号端子,多个功率端子和多个信号端子设在塑料框架的边缘上。本发明通过使用集成封装的六单元全桥IGBT模块代替三个并排安装的半桥模块投入使用，降低由于模块公差或装配误差导致的散热不稳定性；每个功率端子背面都有底板完全支撑，背面螺钉均匀分布，外界引起的振动很快可以传导到底板上，而底板是刚性的金属材料，抗振性能极佳，提高模块的抗振性能和可靠性提高。
一种 igbt 高抗振性能封装

[发明专利]一种微型轴向二极管自动固化装置-CN202310775320.3在审
发明人：曾令军;张荣荣;许修发 -专利权人： 中国振华集团永光电子有限公司（国营第八七三厂）
申请日： 2023-06-28 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： B23K3/08 文献下载
摘要：本发明提供的一种微型轴向二极管自动固化装置，包括：框架支撑座,框架支撑座中心设有下加热底座，下加热底座中心放置芯片，框架支撑座对金属框架进行支撑；上履带和下料履带分别设在框架支撑座的两端；引线盒,引线盒在框架支撑座两侧分别设有一个，框架支撑座和两个引线盒之间均安装有一个牵引线夹，两个牵引线夹分别固定在两个X、Z轴运动模组上。本发明通过牵线组件实现引线的自动上料，吸附嘴、焊料嘴实现了芯片的自动上料，加热底座实现芯片自动焊接，并且通过将芯片和引线固定在金属框架上，防止芯片在后续运行过程中引线被拉扯而脱离芯片。
一种微型轴向二极管自动固化装置

[发明专利]一种电子元器件自动高低温测试设备-CN202310634090.9在审
发明人：廖从勇;张荣荣;周发 -专利权人： 中国振华集团永光电子有限公司（国营第八七三厂）
申请日： 2023-05-31 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： B07C5/34 文献下载
摘要：本发明提供的一种电子元器件自动高低温测试设备，包括高低温箱；本发明通过堆叠的存储盘可以同时进行较多器件的高低温测试，上下料机构可有效实现产品高低温测试工序的自动化，并有效的降低工作人员的劳动强度、提高生产效率、降低生产成本。出料口出料时立即对产品进行电参数测试，避免了现有因人工取出到电参数测试工序的过程中产品温度变化而导致的电参数测试偏差，有效提高温循试验后产品测试的时效性、准确性，保证产品一致性、稳定性。
一种电子元器件自动低温测试设备

[发明专利]一种恒流二极管阵列可靠性试验评估方法及其电路-CN202211609785.3在审
发明人：潘朋涛;王曾;马路遥;罗健明;邓丹;李珏;杨超平 -专利权人： 中国振华集团永光电子有限公司（国营第八七三厂）
申请日： 2022-12-12 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：一种恒流二极管阵列可靠性试验评估方法及其电路，属于半导体器件可靠性试验领域。包括：电路状态为断路/接触不良、正常、板上电路异常、短路等四种状态；电路组成为电源模块、异常指示模块、恒流二极管阵列老炼模块、正常指示模块、保护电路模块；电源模块为异常指示模块、恒流二极管阵列老炼模块、正常指示模块、保护电路模块提供所需电源；异常指示模块、恒流二极管阵列老炼模块、正常指示模块按顺序串联两端分别接电源模块的两端，保护电路模块与异常指示模块、正常指示模块相配合。解决了现有恒流二极管阵列可靠性试验电路不能对恒流二极管阵列产品质量进行有效判定的问题。泛应用于不同电流值下的恒流二极管阵列的可靠性筛选试验评估。
一种二极管阵列可靠性试验评估方法及其电路

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