[发明专利]用于冗余功率系统的有源或运算控制器无效

专利信息
申请号: 200480027367.7 申请日: 2004-08-17
公开(公告)号: CN1856754A 公开(公告)日: 2006-11-01
发明(设计)人: 范伟栋;G·斯托伊契奇;D·于姆 申请(专利权)人: 国际整流器公司
主分类号: G05F1/40 分类号: G05F1/40
代理公司: 北京纪凯知识产权代理有限公司 代理人: 程伟;王锦阳
地址: 美国加利*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 发明涉及一种或运算二极管,其用于功率冗余。为了减少由于二极管正向压降而引起的功率损耗,提出用有源或运算功率MOSFET(M1、M2)来代替二极管。利用有源或运算控制器(30)和功率MOSFET(M1、M2),功率损耗容易降低90%。为了使N沟道MOSFET(M)当其处于反向时象二极管一样工作,并且当处于正向时具有很小的正向压降,提供了一种或运算控制器(30)。针对速度、稳定性和抗扰性来优化它的偏移、滞后和传输延迟时间。在或运算示范板中测试它的或运算功能。它的FET校验特征对或运算功率MOSFET(M1、M2)进行有效检查,以提高冗余功率系统的可靠性。
搜索关键词: 用于 冗余 功率 系统 有源 运算 控制器
【主权项】:
1.一种用于控制冗余功率系统中功率MOSFET的有源或运算控制器,所述控制器包括:比较器电路,用于检测跨越功率MOSFET的第一主端子和第二主端子两端的电压差,且将所述的电压差与第一预定电平进行比较;以及控制电路,其接收所述比较器电路的输出,并且输出施加到所述功率MOSFET的栅极端的控制信号;所述控制信号具有一个值,使得响应落在所述预定电平以下的所述电压差而断开所述功率MOSFET,且在其它时间导通所述功率MOSFET。
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