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[发明专利]多相电力转换器的带引线框岛的电力方形扁平无引线半导体封装-CN201410038717.5在审
发明人：迪安·费尔南多;罗埃尔·巴尔博萨 -专利权人： 国际整流器公司
申请日： 2014-01-27 - 公布日： 2014-09-10 - 主分类号： H01L23/495 文献下载
摘要：本发明涉及用于多相电力转换器的带引线框岛的电力方形扁平无引线半导体封装。根据示例性实现，电力方形扁平无引线（PQFN）封装包括位于引线框的第一引线框岛上的U-相输出节点、位于所述引线框的第二引线框岛上的V-相输出节点、和位于所述引线框的W-相管芯垫上的W-相输出节点。第一引线框岛可以在引线框的第一引线框条上，其中第一引线框条被连接到引线框的U-相管芯垫上。第二引线框岛可以在引线框的第二引线框条上，其中第二引线框条被连接到引线框的V-相管芯垫上。第一W-相电力开关位于W-相管芯垫上。而且，至少一条键合线被连接到W-相管芯垫和连接到第二W-相电力开关的源极。W-相管芯垫可以是PQFN封装的W-相输出端子。
多相电力转换器引线方形扁平半导体封装

[发明专利]开源极电力方形扁平无引线(PQFN)引线框-CN201410039091.X在审
发明人：迪安·费尔南多;罗埃尔·巴尔博萨;T·塔卡哈施 -专利权人： 国际整流器公司
申请日： 2014-01-27 - 公布日： 2014-09-10 - 主分类号： H01L23/495 文献下载
摘要：公开了开源极电力方形扁平无引线(PQFN)引线框。根据示例性实现，电力方形扁平无引线（PQFN）引线框包括位于PQFN引线框上的U-相电力开关、V-相电力开关、和W-相电力开关。U-相电力开关的漏极被连接到PQFN引线框的U-相输出条。U-相电力开关的源极被连接到U-相电流感测端子。U-相输出条实质上可以贯穿PQFN引线框。另一个U-相电力开关位于PQFN引线框上，而另一个U-相电力开关的源极被连接到PQFN引线框的U-相输出条。PQFN引线框可以包括U-相输出条内的引线框岛。至少一条键合线可以被连接到U-相输出条。
开源极电力方形扁平引线 pqfn

[发明专利]利用引线框实现电互连的多芯片模块(MCM)功率四方扁平无引线(PQFN)半导体封装-CN201110126379.7有效
发明人：迪安·费尔南多;罗埃尔·巴尔博萨 -专利权人： 国际整流器公司
申请日： 2011-05-13 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： H01L23/495 文献下载
摘要：在此公开了一些典型的利用引线框实现电互连的多芯片模块(MCM)功率四方扁平无引线(PQFN)半导体封装的实施方式。一个典型的实施方式包括一种PQFN半导体封装，该半导体封装包括引线框、耦合在引线框上的驱动集成电路(IC)、耦合在引线框上的多个垂直传导功率器件，以及提供电互连的多个线键合，所述的线键合包括从多个垂直传导功率器件中的一个的顶部表面电极到引线框的部分的至少一个线键合，其中引线框的部分被电连接到多个垂直传导功率器件中的另一个的底部表面电极。以此方式，有效的多芯片电路互连能够以使用低成本的引线框的PQFN封装来实现。
利用引线实现互连芯片模块 mcm 功率四方扁平 pqfn 半导体封装

[发明专利]用于制造浅且窄沟槽FET以及相关结构的方法-CN201110085341.X有效
发明人：蒂莫西·D·汉森;玲·马;雨果·伯克;戴维·P·琼斯;卡皮尔·科尔卡;尼拉吉·兰詹 -专利权人： 国际整流器公司
申请日： 2011-04-02 - 公布日： 2011-11-23 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：公开了一种用于制造浅且窄沟槽场效应晶体管(沟槽FET)的方法。该方法包括在第一导电型的半导体基底内形成沟槽，所述沟槽包括侧壁和底部部分。该方法还包括在所述沟槽中形在成实质上一致的栅极绝缘层，并且在所述沟槽内和所述栅极绝缘层上形成栅电极。该方法还包括对所述半导体基底进行掺杂，以便在形成所述沟槽之后形成第二导电型的沟道区域。在一个实施方式中，在形成了栅极绝缘层之后，并且在形成了栅电极之后执行掺杂步骤。在另一个实施方式中，在形成栅极绝缘层之后，但在形成栅电极之前执行掺杂步骤。还公开了通过本发明的方法形成的结构。
用于制造沟槽 fet 以及相关结构方法

[发明专利]在降压变换器中耗尽型器件的栅极驱动方案-CN200880015972.0无效
发明人：杨博;詹森·张;迈克尔·布莱伊尔 -专利权人： 国际整流器公司
申请日： 2008-06-27 - 公布日： 2010-03-24 - 主分类号： H04N7/01 文献下载
摘要：一种用于驱动开关级的电路，该开关级包括串联连接在开关节点处的控制和同步开关，所述控制和同步开关中的至少一个为标准接通耗尽型器件，该电路包括：栅极驱动器，其包括用于分别为同步和控制开关产生栅极驱动信号的第一和第二开关级，第一开关级具有第一驱动器输出节点，而第二开关级具有第二驱动器输出节点，来自第一节点的信号驱动同步开关，而来自第二节点的信号驱动控制开关；以及连接到第一和第二开关级的电路，该电路包括提供第一电压源的第一电路，第一电路耦合到第一开关级和同步开关。
降压变换器耗尽器件栅极驱动方案

[发明专利]用于半导体器件电极的保护阻挡层-CN200680040886.6无效
发明人：马丁·卡罗尔;大卫·P·琼斯;安德鲁·N·萨乐;马丁·斯坦丁 -专利权人： 国际整流器公司
申请日： 2006-09-05 - 公布日： 2009-09-02 - 主分类号： H01L21/44 文献下载
摘要：一种半导体器件，包括：模具，在其表面上具有至少一个电极；形成在电极上的至少一个可焊接触点；以及钝化层，其形成在电极之上，并包括使可焊接触点暴露的开口。钝化层开口可比可焊接触点更宽，从而使间隙在触点和钝化层之间延伸。器件还包括阻挡层，其在电极的顶面上设置、沿可焊接触点的下侧设置、且跨越间隙设置。阻挡层也可在钝化层之下延伸，并且可覆盖电极的整个顶面。阻挡层也可沿电极的侧壁延伸。阻挡层可包括钛层或者钛层和镍层。阻挡层保护电极以及下面的模具免受无铅焊料中存在的酸性焊剂的影响。
用于半导体器件电极保护阻挡

[发明专利]半导体设备的制作方法-CN200680036623.8无效
发明人：马凌 -专利权人： 国际整流器公司
申请日： 2006-08-16 - 公布日： 2009-08-12 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：公开了一种功率半导体设备的制作方法。
半导体设备制作方法

[发明专利]具有单个势垒的沟槽型肖特基器件-CN200680038726.8无效
发明人：乔瓦尼·里基耶罗;罗萨罗·卡尔塔 -专利权人： 国际整流器公司
申请日： 2006-10-18 - 公布日： 2009-08-12 - 主分类号： H01L27/095 文献下载
摘要：用于形成沟槽型肖特基势垒器件的工艺包括：在硅晶片表面中的沟槽内形成氧化物层，然后在该晶片的全部上表面上沉积完全连续的金属势垒层，该全部上表面包括沟槽内部以及沟槽间的台，势垒只与台接触。可以使用钛、钯和任何传统的势垒金属。
具有单个沟槽型肖特基器件

[发明专利]简化封装中的混合式镇流器控制电路-CN200810180856.6无效
发明人：托马斯·J·里巴里希 -专利权人： 国际整流器公司
申请日： 2004-09-17 - 公布日： 2009-08-05 - 主分类号： H05B41/24 文献下载
摘要：一种混合式电子镇流器电路，包括在单个封装中的镇流器控制器、半桥驱动器和功率开关半桥。所述镇流器电路包括多种故障防护和安全特性并且是自振荡的，用以驱动包括荧光灯的谐振电路。内部反馈和控制信号被提供以用于多种操作模式，包括启动、预热、正常运行模式和故障防护响应模式。压控振荡器调节所述开关半桥的开关频率以保持零伏开关操作和最小电流开关操作。整个镇流器控制器可仅带有三个外部连接，并可在TO220封装中实现。
简化封装中的混合式镇流器控制电路

[发明专利]改进的脉宽调制控制电路-CN200810009524.1无效
发明人： W·吴;G·许莱因 -专利权人： 国际整流器公司
申请日： 2008-01-07 - 公布日： 2009-07-15 - 主分类号： H03K7/08 文献下载
摘要：一种根据本发明的实施方式的用于提供脉宽调制信号的脉宽调制控制电路包括比较器，该比较器用于将第一输入与第二输入进行比较，并且根据该比较提供脉宽调制信号，其中所述第一输入是误差信号并且所述第二输入是斜变信号，其中该斜变信号的第一部分是具有第一转换速率的递减斜变信号，并且该斜变信号的第二部分是具有第二转换速率的递增斜变信号。
改进脉宽调制控制电路

[发明专利]同步DC/DC转换器-CN200710196525.7无效
发明人： M·A·布里埃;J·张 -专利权人： 国际整流器公司
申请日： 2007-11-28 - 公布日： 2009-06-03 - 主分类号： H02M3/315 文献下载
摘要：公开了一种同步DC/DC转换器，该转换器中的控制开关和同步开关中的一者或两者为基于三价氮化物的耗尽模式。增强模式开关被连接到基于三价氮化物的开关中的一者或两者，并用于防止由基于三价氮化物的开关产生的电流导通，直至正常运行的全部偏压被建立。
同步 dc 转换器

[发明专利]同步DC/DC转换器-CN200710187790.9无效
发明人： M·A·布里埃;J·张 -专利权人： 国际整流器公司
申请日： 2007-11-30 - 公布日： 2009-06-03 - 主分类号： H02M3/155 文献下载
摘要：公开了一种同步DC/DC转换器，该转换器中的控制开关和同步开关中的一者或两者为基于三价氮化物的耗尽模式。增强模式开关被连接到基于三价氮化物的开关中的一者或两者，并用于防止由基于三价氮化物的开关产生的电流导通，直至正常运行的全部偏压被建立。
同步 dc 转换器

[发明专利]通过监控半桥或全桥式电路中的VS电压进行的双向电流检测-CN200580025304.2无效
发明人： X·C·程;J·本田;D·威廉 -专利权人： 国际整流器公司
申请日： 2005-06-02 - 公布日： 2009-05-13 - 主分类号： G01R31/28 文献下载
摘要：一种在包含高端和低端晶体管开关的桥接开关晶体管输出电路，特别是MOSFET中，确定输出电流的装置和方法。检测高端开关和低端开关之间公共节点的电压，对第一电路中的电压偏移固定量以使得该电压对所关注的所有正负输出电流来说都是正的。实际中第二电路仅在与低端开关开启时间相关的预定时间内接收偏移电压信号，在第二电路中确定输出电流。第一电路包括电流参考源/电平位移器和由特定电路配置的多个晶体管组成的电流镜电路。第二电路在所需时间内通过栅控NMOS晶体管耦合到第一电路的输出端以提供电流测量信号。第二电路包括具有与第一电流参考源相同电子特性的第二电流参考源，以及多个第二晶体管，分别匹配于输入端电路晶体管并且在相同的电路结构中连接。在第二电路中，将偏移信号与高低参考信号进行比较，如果输出电流超过过电流限制，则提供正的或负的指示。优选的，将检测电路与输出电路栅极驱动器集成于单个IC中。
通过监控全桥式电路中的 vs 电压进行双向电流检测

[发明专利]汽车的高强度放电灯镇流器电路-CN200680007088.3无效
发明人： T·J·里巴里希;P·格林 -专利权人： 国际整流器公司
申请日： 2006-03-06 - 公布日： 2009-05-06 - 主分类号： H05B37/02 文献下载
摘要：提供了一种用于驱动高强度放电(HID)灯的电子镇流器。所述电子镇流器包括用于接收DC输入电压并输出具有被控电流的升高的DC输出电压的升压级。该电子镇流器进一步包括用于将所述升高的DC输出电压转换为能够驱动所述HID灯的转换的AC电压的开关级。集成电路(IC)耦合至所述升压级和所述开关级并且用于控制两者。所述IC包括灯功率控制电路，该灯功率控制电路包括感测电路，该感测电路用于感测来自所述开关级的输出电流和升高的DC输出电压，电流控制回路，用于如果所述灯电流处于最大级别，控制所述灯的功率，以及功率控制回路，用于如果所述灯电流低于最大级别，控制所述灯的功率。所述IC还包括控制器单元接口，并提供点火模式和常规运行模式。
汽车强度电灯镇流器电路

[发明专利]沟槽器件的自对准接触结构-CN200580006793.7无效
发明人： D·P·琼斯 -专利权人： 国际整流器公司
申请日： 2005-02-28 - 公布日： 2009-04-29 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种沟槽型功率半导体器件的制造流程，包括在半导体表面上形成具有开口的掩膜层。通过掩膜层的开口，在半导体本体中形成具有栅极的沟槽。之后，在栅极的顶上以及掩膜层的开口内形成绝缘插块。然后移除该掩膜层，留下在半导体表面上延伸的绝缘插块。在沟槽之间形成源极注入区域。然后，沿着绝缘插块的侧壁形成间隔物，覆盖源极注入区域邻接沟槽的部分。使用这些间隔物作为掩膜，然后蚀刻和移除源极注入区域的暴露部分。然后驱动在间隔物之下的剩余源极注入区域以形成源极区域。然后，在蚀刻区域内形成浅的高传导率接触区域。因此在器件上形成了源极和漏极接触。
沟槽器件对准接触结构

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