“衬底材料”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果2216055个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]制造衬底材料的方法以及半导体衬底材料-CN200510083281.2有效
发明人：斯蒂芬·W·贝德尔;陈华杰;基斯·E·福格尔;德温德拉·K·萨达纳;哈瓦姆·G·沙西迪 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2005-07-08 - 公布日： 2006-01-18 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明的方法包括：在含硅衬底的表面上形成应变的含锗层；在含锗层/含硅衬底界面处或此界面下方注入离子；以及进行加热，以便形成面缺陷密度降低了的基本上弛豫的SiGe合金层。还提供了具有面缺陷密度降低了的SiGe层的基本上弛豫的绝缘体上SiGe衬底材料以及包含此衬底材料的异质结构。
制造衬底材料方法以及半导体

[发明专利]一种二维材料的转移方法-CN202310792288.X在审
发明人：庄萍萍;林伟毅;叶添 -专利权人：集美大学
申请日： 2023-06-30 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： H10K71/80 文献下载
摘要：本发明提供了一种二维材料的转移方法，属于二维材料技术领域。本发明将金属衬底/二维材料器件与目标衬底叠层放置，且使二维材料与所述目标衬底接触，进行键合，得到金属衬底/二维材料/目标衬底器件；所述目标衬底为半导体衬底；将所述金属衬底/二维材料/目标衬底器件依次进行冷却处理与热退火处理，将所得器件中金属衬底剥离，得到目标衬底/二维材料器件，实现二维材料的转移。本发明通过键合技术将二维材料与目标衬底紧密结合，然后利用金属衬底与二维材料的热膨胀系数差异，基于冷却处理与热退火处理实现温度差从而使得二维材料与金属衬底分离，整个过程中不需要采用有机薄膜作为转移载体，不会在二维材料中引入杂质
一种二维材料转移方法

[发明专利]氧化硅的选择性沉积-CN201810154686.8在审
发明人：卡普·瑟里什·雷迪;梅里哈·歌德·兰维尔;纳格拉杰·尚卡尔;丹尼斯·M·豪斯曼;大卫·查尔斯·史密斯;卡西克·希瓦拉马克里斯南;大卫·W·波特 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2018-02-23 - 公布日： 2018-11-02 - 主分类号： H01L21/84 文献下载
摘要：提供了用于通过在半导体衬底上选择性沉积材料而在该衬底上进行沉积的方法。所述衬底具有多种衬底材料，每一种具有对应于在其上所沉积的所述材料的不同核化延迟。具体而言，根据成核延迟差值，与第一衬底材料相关联的成核延迟小于与第二衬底材料相关的成核延迟，其中在所述第一衬底材料上预期进行沉积，而在所述第二衬底材料上预期不进行沉积，所述成核延迟差值随着所述沉积的进行而减小蚀刻所沉积的所述材料的一部分以重设所述第一衬底材料和所述第二衬底材料之间的成核延迟差值。所述材料进一步在所述衬底上选择性沉积。
衬底材料选择性沉积沉积延迟成核衬底蚀刻氧化硅原子层核化减小重设重置半导体关联

[发明专利]绝缘体上硅锗(SGOI)和绝缘体上锗(GOI)衬底的制造方法-CN200480031953.9有效
发明人：陈自强;盖伊·科恩;亚历山大·雷茨尼采克;德温得拉·萨达纳;加瓦姆·沙赫迪 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2004-10-28 - 公布日： 2006-12-06 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：一种制作绝缘体上锗(GOI)衬底材料的方法，提供了用此方法生产的GOI衬底材料以及能够包括至少本发明的GOI衬底材料的各种结构。此GOI衬底材料至少包括衬底、位于衬底顶部上的埋置绝缘层、以及位于埋置绝缘层顶部上的优选为纯锗的含锗层。在本发明的GOI衬底材料中，含锗层也可以被称为GOI膜。此GOI膜是本发明衬底材料的层，其中能够制作器件。
绝缘体上硅锗 sgoi goi 衬底制造方法

[发明专利]制备双层SOI材料的方法-CN202310331894.1在审
发明人：陈国兴;汪聪颖;刘燕 -专利权人：上海新傲科技股份有限公司
申请日： 2023-03-30 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本申请提供了一种制备双层SOI材料的方法，所述方法包括如下步骤：提供一第一衬底；在所述第一衬底的表面注入起泡离子；提供一第二衬底，将所述第一衬底注入起泡离子的表面与第二衬底进行键合；剥离远离所述第二衬底的部分第一衬底得到单层SOI材料；提供一第三衬底；在所述第三衬底的表面注入起泡离子；将所述第三衬底注入起泡离子的表面与所述单层SOI材料进行键合；剥离远离所述单层SOI材料的部分第三衬底得到双层SOI材料。通过本方法可以得到均匀性良好的双层SOI材料。
制备双层 soi 材料方法

[发明专利]一种利用光刻胶固定柔性材料衬底的方法-CN201510204102.X有效
发明人：杨小天;王超;高晓红;赵春雷;郭亮;迟耀丹;初学峰;常玉春;朱慧超;杨佳;吕卅;王锐;任伟 -专利权人：吉林建筑大学
申请日： 2015-04-28 - 公布日： 2016-11-16 - 主分类号： H01L51/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种利用光刻胶固定柔性材料衬底的方法，属于微电子技术领域。选取平的硬质衬底和柔性衬底，清洗、吹干、烘干，所述硬质衬底材料为石英片，所述柔性衬底材料为聚酰亚胺PI、对苯二甲酸乙二醇酯PET、或聚丙烯己二脂PPA；衬底粘合，利用粘合材料将硬质衬底和柔性衬底较好地粘合、固定，所述衬底粘合材料为光刻胶。本发明解决了柔性衬底材料在工艺过程中的弯曲、翘曲问题，同时，解决了衬底间产生气泡的问题。保证了柔性衬底在功能材料生长与器件制备过程中的平整度，可以应用于柔性可穿戴电子技术、柔性显示、柔性传感器、柔性太阳能电池等技术领域中。
一种利用光刻固定柔性材料衬底方法

[发明专利]显示装置及其封装工艺-CN201610933255.2在审
发明人：曹朝干;祝晓钊 -专利权人：昆山国显光电有限公司
申请日： 2016-10-31 - 公布日： 2017-01-04 - 主分类号： H01L51/52 文献下载
摘要：本发明提供一种显示装置及其封装工艺，显示装置包括：显示衬底；密封衬底，与所述显示衬底相对设置；显示单元，位于所述显示衬底与所述密封衬底之间；密封材料，用于粘接所述显示衬底与所述密封衬底并且围绕所述显示单元的四周；所述显示衬底表面具有多个通孔，所述密封材料通过所述多个通孔与所述显示衬底接触。本发明中，密封材料将显示衬底与密封衬底封装的过程中，通孔能够增加密封材料与显示衬底之间的接触面积，增加密封材料的粘合性，使得显示衬底与密封衬底之间的粘合更牢固。
显示装置及其封装工艺

[发明专利]一种半导体材料图形衬底、材料薄膜及器件的制备方法-CN201910667824.7有效
发明人：姜涛 -专利权人：乂馆信息科技（上海）有限公司
申请日： 2019-07-23 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体材料图形衬底、材料薄膜及器件的制备方法，半导体材料图形衬底的制备方法包括选取衬底层；在所述衬底层上形成若干凸起结构和若干凹陷结构；在具有所述凸起结构的所述衬底层的一侧生长外延层；去除所述衬底层上每个凹陷结构上方的外延层直至暴露所述衬底层，并保留所述衬底层上每个凸起结构上方的至少一部分外延层，形成若干籽晶结构，完成半导体材料图形衬底的制备。本发明的半导体材料图形衬底制备方法能够最大程度的减少由于异质衬底的晶格失配和热失配所带来的材料缺陷问题，获得高结晶质量的半导体材料薄膜和器件。
一种半导体材料图形衬底材料薄膜器件制备方法

[发明专利]显示面板及卷轴式显示装置-CN202010678473.2在审
发明人：姚柏宏;王耀常;谢而铭 -专利权人：四川龙华光电薄膜股份有限公司
申请日： 2020-07-15 - 公布日： 2022-01-18 - 主分类号： G09F9/30 文献下载
摘要：一种显示面板包括第一衬底、第二衬底、显示材料层、主动组件层、彩色滤光层以及光源。第二衬底与第一衬底相对。显示材料层设于第一衬底和第二衬底之间。主动组件层和彩色滤光层设于第一衬底和显示材料层之间。光源设于第二衬底的一侧，光源用于发射光，光通过第二衬底和彩色滤光层入射至第一衬底，并经第一衬底反射后进入彩色滤光层，光通过彩色滤光层进入显示材料层，并经显示材料层输出至外界。
显示面板卷轴式显示装置

[发明专利]半导体封装结构和工艺-CN201410068916.0有效
发明人：何冠霖;陈衿良;林韦廷;刘育志;林士砚 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2014-02-27 - 公布日： 2017-12-19 - 主分类号： H01L21/56 文献下载
摘要：在实施例中，将第一衬底接合至第二衬底，将第二衬底接合至第三衬底。在应用底部填充材料之前将热界面材料放置在第二衬底上。可以将环形件放置在热界面材料上，以及在第二衬底和第三衬底之间分配底部填充材料。通过在放置底部填充材料之前放置热界面材料和环形件，使得底部填充材料不能干扰热界面材料和第二衬底之间的界面，并且热界面材料和环形件可以用作底部填充材料的物理屏障，从而防止溢流。
半导体封装结构工艺

[发明专利]用于衬底涂层的底漆材料-CN201610054937.6在审
发明人：刘朕与;张庆裕 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2016-01-27 - 公布日： 2016-10-05 - 主分类号： C09D7/12 文献下载
摘要：提供了涂布技术和底漆材料。在示例性实施例中，涂布技术包括接收衬底和识别其上将形成层的衬底的材料。底漆材料分配在衬底的材料上，以及将成膜材料施加至底漆材料。底漆材料包括包含基于衬底材料的属性的第一基团和基于成膜材料的属性的第二基团的分子。衬底材料和成膜材料的合适的属性包括水亲和力和极性程度，并且第一基团和第二基团可以选择为具有分别与衬底材料和成膜材料的水亲和力或极性程度对应的水亲和力或极性程度。本发明的实施例还涉及用于衬底涂层的底漆材料。
用于衬底涂层底漆材料

[发明专利]用于衬底涂层的底漆材料-CN202111234698.X在审
发明人：刘朕与;张庆裕 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2016-01-27 - 公布日： 2022-01-21 - 主分类号： C09D7/63 文献下载
摘要：提供了涂布技术和底漆材料。在示例性实施例中，涂布技术包括接收衬底和识别其上将形成层的衬底的材料。底漆材料分配在衬底的材料上，以及将成膜材料施加至底漆材料。底漆材料包括包含基于衬底材料的属性的第一基团和基于成膜材料的属性的第二基团的分子。衬底材料和成膜材料的合适的属性包括水亲和力和极性程度，并且第一基团和第二基团可以选择为具有分别与衬底材料和成膜材料的水亲和力或极性程度对应的水亲和力或极性程度。本发明的实施例还涉及用于衬底涂层的底漆材料。
用于衬底涂层底漆材料

[发明专利]一种分子束外延用衬底材料的清洗方法-CN201710638802.9有效
发明人：王经纬;巩锋;周立庆 -专利权人：中国电子科技集团公司第十一研究所
申请日： 2017-07-31 - 公布日： 2019-11-26 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种分子束外延用衬底材料的清洗方法，包括以下步骤：将衬底材料在有机溶剂中进行表面去油脂处理；将表面去油脂处理后的衬底材料浸入到第一溴甲醇溶液中进行第一次腐蚀；将第一次腐蚀后的衬底材料放入盐酸溶液中进行清洗；将经盐酸溶液清洗后的衬底材料浸入到第二溴甲醇溶液中进行第二次腐蚀。本发明提供的分子束外延用衬底表面清洗方法能够较好的解决衬底材料表面过于粗糙及氧化层残留的问题，同时易于操作，可以将衬底材料以简单的方式尽快转移安装到分子束外延设备中；同时在衬底材料转移过程中可以避免衬底表面的污染
一种分子外延衬底材料清洗方法

[发明专利]在立式炉中移动衬底的衬底载具系统和处理衬底的方法-CN201510446903.7在审
发明人： A·斯蒂法纳;G·德尼弗尔;R·门尼希;H·希尔德;A·G·温克勒 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2015-07-27 - 公布日： 2016-02-03 - 主分类号： H01L21/673 文献下载
摘要：公开了在立式炉中移动衬底的衬底载具系统和处理衬底的方法。在一些实施例中，一种用于氧化材料或沉积材料的方法包括通过衬底载具承载多个衬底和将衬底载具插入立式炉内，其中多个衬底由衬底载具保持在预定位置，其中多个衬底中的在预定位置中的一个位置处的衬底的主表面与竖直方向之间测得的角度小于方法进一步包括氧化多个衬底上的材料或将材料沉积到多个衬底上。
立式移动衬底系统处理方法

[发明专利]具有扩散在显示元件的衬底中的过滤材料的显示元件-CN200580032162.2无效
发明人：威廉·J·卡明斯;布莱恩·加利 -专利权人： IDC公司
申请日： 2005-09-14 - 公布日： 2007-08-29 - 主分类号： G02B26/00 文献下载
摘要：本发明将光学过滤器功能性并入到一显示元件的一衬底中，藉此减少对于一单独的薄膜过滤器的需要，且相应地减小一过滤显示元件的一总厚度。例如，过滤器功能性可由例如颜料材料、光致发光材料和不透明材料的任何过滤材料提供。所述过滤材料可在形成所述衬底时并入在所述衬底中，或可通过一如下工艺选择性地扩散在所述衬底中：掩蔽所述衬底；将所述衬底暴露于所述过滤材料；并加热所述衬底以便将所述过滤材料扩散在所述衬底中。
具有扩散显示元件衬底中的过滤材料

1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
下一页»
尾页
共 100000 条