专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种进料机构及物料输送设备-CN202311007492.2在审
  • 张千;陈从鑫;盛况;宁录;邓思博 - 湖北中烟工业有限责任公司;湖北中烟卷烟材料厂
  • 2023-08-09 - 2023-10-27 - B65G47/80
  • 本发明提供了一种进料机构,其包括安装体、驱动件、转盘、进料组件、出料组件;驱动件设置于安装体上;转盘与驱动件连接,且能在驱动件的驱动下转动;转盘周向表面开设有用以容纳物料的容纳腔,容纳腔设置有多个,多个容纳腔沿转盘的周向依次间隔设置;进料组件设置于安装体上;其中,进料组件设置有两个,两进料组件沿转盘的周向依次间隔设置;一个进料组件用以正向将物料送入容纳腔,另一个进料组件用以反向将物料送入容纳腔;出料组件对应转盘设置,用以在出料位将容纳腔中的物料送出。同时,还提供了一种物料输送设备。与现有技术相比,本发明提供的进料机构及物料输送设备在输送物料时能改变物料的向序。
  • 一种进料机构物料输送设备
  • [发明专利]一种退火载盘的制备方法及退火载盘-CN202310873238.4在审
  • 任娜;冉飞荣;盛况;徐弘毅 - 浙江大学杭州国际科创中心
  • 2023-07-14 - 2023-10-13 - H01L21/687
  • 本发明涉及半导体领域,特别涉及一种退火载盘的制备方法及退火载盘。包括载盘圆环和透光率小于待加工晶圆的载盘晶圆片,载盘晶圆片具有尺寸略大于待加工晶圆工作区域和外侧的载盘圆环区域,将载盘圆环通过粘合层与载盘圆环区域相键合后,形成退火载盘。将载盘圆环设置于工作区域的外侧,避免待加工晶圆与载盘之间的相互滑动,也降低了待加工晶圆在退火时由于气流的影响导致的滑落;同时,待加工晶圆本身具有一定的透光率,热辐射或者红外辐射的能量不能很好的吸收,导致升温速度慢,选用透光率低于待加工晶圆的载盘晶圆片,通过载盘晶圆片吸收热辐射或者红外辐射的能量,再将热量传递给待加工晶圆,从而快速、有效的达到待加工晶圆的退火温度。
  • 一种退火制备方法
  • [发明专利]一种评估离子注入工艺的监测方法-CN202310887411.6在审
  • 谭学仕;任娜;盛况;徐弘毅 - 浙江大学杭州国际科创中心
  • 2023-07-18 - 2023-09-22 - H01L21/265
  • 本发明提供了一种评估离子注入工艺的监测方法,包括:提供晶圆衬底,在所述晶圆衬底表面依次形成二氧化硅层和多晶硅层,形成离子注入的陪片;将若干陪片和待检测的正片一同完成离子注入工艺,对所述陪片进行激活退火;对不同陪片刻蚀至不同厚度,获取不同厚度的方阻监测数据;获取相同离子注入工艺条件下的基准样品以及对应的基准方阻值;根据陪片多晶硅层中不同厚度的方阻监测数据与基准方阻值的偏差,评估待检测的正片在相同离子注入工艺条件下不同时间和批次间的偏差及判定结果。本发明实现了生产现场便捷对离子注入品质的评估与控制,并解决了一些量测所需加工工艺对待检测的正片带来的不利影响。
  • 一种评估离子注入工艺监测方法
  • [发明专利]冷却集成的碳化硅模块及其制备方法、芯片的改造方法-CN202310489547.1在审
  • 吴赞;唐苇羽;盛况 - 浙江大学杭州国际科创中心
  • 2023-04-28 - 2023-09-12 - H01L23/473
  • 本申请涉及一种冷却集成的碳化硅模块及其制备方法、芯片的改造方法,冷却集成的碳化硅模块包括:DBC板,包括覆铜层,覆铜层包括层叠设置的密封层及歧管层,密封层开设有进液孔、出液孔、第一流体槽,歧管层包括歧管状的第二流体槽,第二流体槽与进液孔、出液孔、第一流体槽相连通;芯片,包括衬底及漏极,衬底具有微流道,且与漏极欧姆接触,芯片封装于DBC板,且微流道与第一流体槽相连通;芯片的换热途径仅包括漏极有源区‑微流道‑冷却液体,换热途径较短,显著缩减漏极有源区至冷却流体之间的总热阻,并且由于微通道的冷却换热面积较大,换热效率较高,有效带走芯片热量,以使得芯片能够快速降温,大幅度提高冷却集成的碳化硅模块的散热能力。
  • 冷却集成碳化硅模块及其制备方法芯片改造
  • [发明专利]沟槽型绝缘栅场效应管器件及其制造方法、电子元件-CN202310948875.3在审
  • 任娜;盛况;林超彪;徐弘毅 - 浙江大学
  • 2023-07-31 - 2023-08-29 - H01L21/336
  • 本公开涉及沟槽型绝缘栅场效应管器件及其制造方法、电子元件。该方法包括:形成依次堆叠的预制复合衬底、预制沟道层及预制第一源接触区,预制第一源接触区具有第一掺杂类型;形成贯穿预制第一源接触区的第二源接触区;形成图案化的第一掩膜;通过第一掩膜刻蚀形成第一沟槽段,第一沟槽段贯穿预制第一源接触区及预制沟道层,并延伸入预制复合衬底,第一沟槽段与第二源接触区沿第一方向相对并被预制第一源接触区间隔;通过第一掩膜对第一沟槽段的沿第一方向相对两个侧壁面中的第一侧壁面进行第一离子注入工艺,形成第一保护区,第一保护区具有第二掺杂类型;以及去除掩膜。该方法可以较容易地制造可靠性较好的沟槽型绝缘栅场效应管器件。
  • 沟槽绝缘场效应器件及其制造方法电子元件
  • [发明专利]集成低势垒二极管的沟槽型绝缘栅场效应管及其制造方法-CN202310492983.4有效
  • 徐弘毅;盛况;任娜 - 浙江大学
  • 2023-04-27 - 2023-08-29 - H01L21/336
  • 本公开涉及集成低势垒二极管的沟槽型绝缘栅场效应管及其制造方法。该方法包括:在预制半导体结构形成第一槽,预制半导体结构包括叠层结构和第二源接触区,第一槽与第二源接触区被第一源接触区隔开,第一槽贯穿第一源接触区和沟道层并延伸入第一扩散区;形成具有第一掺杂类型的第二扩散区,第二扩散区至少自第一槽的底面沿堆叠方向贯穿保护层并延伸入复合衬底;在预制半导体结构形成第二槽,第二槽贯穿第一源接触区及沟道层,第二槽暴露出第一扩散区;形成位于第一槽内的栅氧结构;以及形成位于第二槽内的源极延伸部,其中,源极延伸部与第一扩散区实现电性接触。该方法可以制造退化风险较低的集成低势垒二极管的沟槽型绝缘栅场效应管。
  • 集成低势垒二极管沟槽绝缘场效应及其制造方法
  • [发明专利]一种碳化硅器件制备方法-CN201910145356.7有效
  • 朱家从;蒋正勇;计建新;张伟民;盛况;郭清 - 无锡华润微电子有限公司;浙江大学
  • 2019-02-27 - 2023-08-25 - H01L21/04
  • 本发明涉及一种碳化硅器件制备方法,包括:提供碳化硅基底,碳化硅基底具有第一导电类型,在碳化硅基底的正面上形成硬掩膜,硬掩膜上开设有注入窗口;对碳化硅基底进行第二导电类型离子注入,使部分碳化硅基底晶格结构被破坏,形成具有预设形貌的晶格损伤区,第二导电类型与第一导电类型具有相反的导电性能;利用腐蚀液对碳化硅基底进行湿法刻蚀,以去除晶格损伤区内的碳化硅,形成具有预设形貌的沟槽。通过离子注入形成晶格损伤区,再利用湿法刻蚀晶格损伤区形成沟槽,该刻蚀方法形成的沟槽不会出现微沟槽,且选择离子注入的导电类型与基底的导电类型相反,可避免离子注入对基底掺杂浓度的影响。
  • 一种碳化硅器件制备方法
  • [发明专利]一种半导体器件制备方法-CN201910147136.8有效
  • 魏峰;陈蕾;甘新慧;蒋正勇;盛况;郭清 - 无锡华润微电子有限公司;浙江大学
  • 2019-02-27 - 2023-08-25 - H01L29/78
  • 本申请涉及一种半导体器件制备方法,包括:提供第一导电类型碳化硅衬底;在碳化硅衬底上形成硬掩膜,对碳化硅衬底进行第一次离子注入形成多个第二导电类型埋层;去除硬掩膜,在碳化硅衬底上形成光刻胶层,对碳化硅衬底进行第二次离子注人以在埋层上方的碳化硅衬底的表层形成多个与埋层连接的第二导电类型阱区,第二次离子注入为倾斜注入;垂直对阱区进行第三次离子注入,在阱区内形成源区,源区具有第一导电类型。通过上述三次离子注入,并在第二次离子注入时控制注入角度,自对准地形成沟道,制备工艺简单且灵活性更高。
  • 一种半导体器件制备方法
  • [发明专利]一种碳化硅沟槽栅MOSFET器件及制造方法-CN202310590650.5在审
  • 任娜;孔令旭;盛况 - 浙江大学
  • 2023-05-24 - 2023-08-22 - H01L29/78
  • 本发明涉及半导体技术领域中的一种碳化硅沟槽栅MOSFET器件及制造方法,包括若干组第一元胞结构以及至少一组带有电极引出结构的第二元胞结构,第一元胞结构和第二元胞结构包含有共同的衬底层、缓冲层和漂移层,第一元胞结构还包括源极结构以及位于源极结构两侧的半个栅极结构,栅极结构和源极结构相间排布在漂移层上,栅极结构设置在第一元胞结构的边缘位置,每间隔一定数量的第一元胞结构与相邻的第一元胞结构之间插入设置有第二元胞结构,且若干组第一元胞结构与第二元胞结构均为紧密排布的多边形元胞结构,通过对栅极保护用P型屏蔽区的电位进行单独控制,提高对器件栅氧层的保护能力,同时实现器件的可靠开通与关断。
  • 一种碳化硅沟槽mosfet器件制造方法

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