“赵秋森”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果7个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种复合型TMBS器件及其制造方法-CN201810397917.8有效
发明人：陈晓伦;徐永斌;赵秋森;韩笑 -专利权人：江苏新顺微电子股份有限公司
申请日： 2018-04-28 - 公布日： 2023-07-07 - 主分类号： H01L21/77 文献下载
摘要：本发明涉及一种复合型TMBS器件结构，它包括作为基片的第一导电类型浓掺衬底；在第一导电类型的浓掺衬底上设置有第一导电类型的轻掺杂外延层；在第一导电类型的轻掺杂外延层上刻蚀形成一定间距的硅沟槽阵列，在硅沟槽的下半部分硅内侧壁上形成一定厚度的SiO2层，硅沟槽的上半部分外侧壁形成一薄层的第二导电类型的浓掺杂区；在整个硅沟槽填充满第二导电类型的浓掺杂Poly，Poly顶部表面与外延层表面齐平；在外延层和硅沟槽填充的Poly表面设置有形成肖特基结的肖特基势垒层；在肖特基势垒层上设置有作为电极金属的金属层。本发明使得TMBS器件在高反向工作电压领域相比平面肖特基二极管，仍然能够保持足够的优势或者竞争力。
一种复合型 tmbs 器件及其制造方法

[发明专利]一种高压VDMOS器件的制造方法-CN201810397906.X有效
发明人： 赵秋森;陈晓伦;许柏松;徐永斌 -专利权人：江苏新顺微电子股份有限公司
申请日： 2018-04-28 - 公布日： 2021-10-15 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明涉及一种高压VDMOS器件的制造方法，其特征在于所述方法通过在正面工艺前进行背面注入，对背面进行掺杂，并生长Si3N4对圆片背面进行保护，然后进行圆片正面工艺，从而提高背面掺杂浓度，降低接触电阻，得到更低的器件二极管正向压降和导通电阻。
一种高压 vdmos 器件制造方法

[发明专利]一种功率器件老化考核用加热装置-CN202010842750.9在审
发明人： 赵秋森 -专利权人：无锡摩斯法特电子有限公司
申请日： 2020-08-20 - 公布日： 2020-11-24 - 主分类号： G05D23/24 文献下载
摘要：本发明实施例涉及一种功率器件老化考核用加热装置，所述装置包括：所述装置包括：控制电路和一个或多个独立控制单元；每个独立控制单元包括：继电器、恒温加热器和温度探头；所述恒温加热器与所述继电器相连接，所述继电器与所述控制电路相连接，所述温度探头与所述控制电路相连接；被考核器件的背面设置于恒温加热器上；温度探头与被考核器件的正面相接触，用以检测器件表面温度，并生成温度检测信号；所述控制电路根据每一温度探头发送的温度检测信号，生成对相应独立控制单元的控制输出信号，用以控制各个独立控制单元的继电器的通断，从而控制恒温加热器对该独立控制单元中的被考核器件的加热时间。
一种功率器件老化考核加热装置

[发明专利]一种用于沟槽栅VDMOS器件老化的方法和老化设备-CN202010843626.4在审
发明人： 赵秋森 -专利权人：无锡摩斯法特电子有限公司
申请日： 2020-08-20 - 公布日： 2020-11-24 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明实施例涉及一种用于沟槽栅VDMOS器件老化的方法和老化设备，所述方法包括：控制电路输出第一控制信号，控制可控电压源向待老化VDMOS器件的漏极施加正电压至达到待老化VDMOS器件的击穿电压；在设定老化时间内，控制电路获取待老化VDMOS器件的漏源电流的第一实时监测信号，并且获取待老化VDMOS器件的器件表面温度的第二实时监测信号，根据第一实时监测信号和第二实时监测信号输出第二控制信号；可控电压源根据第二控制信号调整输出电压，使得待老化VDMOS器件的漏源电流在第一预设范围内且器件表面温度在第二预设范围内；计时结束后，对待老化VDMOS器件进行降温处理后从老化设备中取出，得到老化处理后的沟槽栅VDMOS器件。
一种用于沟槽 vdmos 器件老化方法设备

[实用新型]一种复合型TMBS器件-CN201820625140.1有效
发明人：陈晓伦;徐永斌;赵秋森;韩笑 -专利权人：江阴新顺微电子有限公司
申请日： 2018-04-28 - 公布日： 2018-11-20 - 主分类号： H01L27/08 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种复合型TMBS器件，它包括作为基片的第一导电类型浓掺衬底；在第一导电类型的浓掺衬底上设置有第一导电类型的轻掺杂外延层；在第一导电类型的轻掺杂外延层上刻蚀形成一定间距的硅沟槽阵列，在硅沟槽的下半部分硅内侧壁上形成一定厚度的SiO₂层，硅沟槽的上半部分外侧壁形成一薄层的第二导电类型的浓掺杂区；在整个硅沟槽填充满第二导电类型的浓掺杂Poly，Poly顶部表面与外延层表面齐平；在外延层和硅沟槽填充的Poly表面设置有形成肖特基结的肖特基势垒层；在肖特基势垒层上设置有作为电极金属的金属层。本实用新型使得TMBS器件在高反向工作电压领域相比平面肖特基二极管，仍然能够保持足够的优势或者竞争力。
硅沟槽第一导电类型轻掺杂外延层肖特基势垒层本实用新型导电类型衬底反向工作电压肖特基二极管外延层表面表面设置电极金属顶部表面肖特基结掺杂区金属层内侧壁外侧壁外延层薄层刻蚀齐平填充掺杂

[发明专利]一种平面型VDMOS多晶栅极的形成方法-CN201810397481.2在审
发明人： 赵秋森;陈晓伦;陈兆萍;徐永斌 -专利权人：江阴新顺微电子有限公司
申请日： 2018-04-28 - 公布日： 2018-09-18 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明涉及一种平面型VDMOS多晶栅极的形成方法，主要是通过使用多夹层的原位掺杂工艺来形成栅电极，所述方法包括以下步骤：步骤1，在完成栅氧氧化的圆片上开始原位掺杂淀积，先只通SiH4，不通PH3，生长未掺杂α‑Si；步骤2，在步骤1之上，同时通入SiH4和PH3，生长掺杂α‑Si；步骤3，接着步骤2，只通SiH4，不通PH3，生长未掺杂α‑Si；步骤4，在步骤3之上，同时通入SiH4和PH3，生长掺杂α‑Si；步骤5，接着步骤4，只通SiH4，不通PH3，生长未掺杂α‑Si；步骤6，在步骤5之上，同时通入SiH4和PH3，生长掺杂α‑Si；步骤7，完成圆片的后续工艺，利用后续工艺中的高温热过程完成夹层中的原位掺杂α‑Si POLY的掺杂元素扩散。
生长原位掺杂未掺杂掺杂多晶栅极后续工艺平面型夹层圆片高温热过程掺杂元素栅电极淀积栅氧扩散

[发明专利]P型DMOS器件及其制造方法-CN201010551341.X无效
发明人： 赵秋森;邓小社 -专利权人：无锡华润上华半导体有限公司;无锡华润上华科技有限公司
申请日： 2010-11-19 - 公布日： 2012-05-23 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种P型DMOS器件及其制造方法，所述方法包括：提供基底，所述基底包括本体层和外延层；在所述外延层上形成厚度为的掩蔽层；以所述掩蔽层为注入阻挡层在所述外延层内进行离子注入。所述P型DMOS器件包括：基底，所述基底包括本体层和外延层；其中，所述外延层包括由位于所述外延层上的厚度为的掩蔽层阻挡进行离子注入工艺而形成的离子注入层。本发明所提供的P型DMOS器件制造方法，能够在使用较小电阻率衬底的情况下，解决衬底背面自掺杂问题，因此，可以减小产品面积，降低产品成本，增加竞争力。
dmos 器件及其制造方法

1
共 7 条