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[发明专利]一种低正向电压TVS器件及其制造方法-CN201710891229.2有效
发明人：邹有彪;徐玉豹;刘宗贺;廖航 -专利权人：富芯微电子有限公司
申请日： 2017-09-27 - 公布日： 2023-06-13 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明公开一种低正向电压TVS器件，包括N+型半导体基体、位于N+型半导体基体上方的N‑型外延层和P+型扩散区，N‑型外延层上表面设有氧化层和肖特基势垒，N‑型外延层和P+型扩散区上方用于连接电极T1的金属层，位于N+型半导体基体下方用于连接电极T2的金属层；一种低正向电压TVS器件的制造方法，包括以下步骤：衬底准备、外延生长、氧化、P+扩散区光刻、硼掺杂、肖特基金属区光刻、溅射势垒金属、金属刻蚀、合金、引线孔光刻、蒸铝、铝反刻、铝合金、减薄和背面金属化。本发明通过将TVS二极管和肖特基二极管并联制作在同一芯片上，利用肖特基二极管进行电源反接保护并利用TVS二极管进行瞬态过压保护,可降低TVS器件的正向压降，提高TVS器件的性能。
一种正向电压 tvs 器件及其制造方法

[发明专利]一种图像处理方法、装置及设备方法-CN202111369280.X在审
发明人： 刘宗贺 -专利权人：中移（苏州）软件技术有限公司;中国移动通信集团有限公司
申请日： 2021-11-18 - 公布日： 2023-05-19 - 主分类号： G06V40/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种图像处理方法、装置及设备，其中，所述方法包括：获取待检测图像的多个灰度区域；根据所述多个灰度区域中的每一个灰度区域中的像素点，获取所述像素点对应的空间点的三维坐标；根据所述空间点的三维坐标，获取所述待检测图像的空间梯度直方图；根据所述空间梯度直方图，识别所述待检测图像中的目标对象。通过上述方法，本发明能够更全面提取图像特征，提高图像识别的精确度。
一种图像处理方法装置设备

[发明专利]超低压低容单向保护器及其制作方法-CN202210413913.0有效
发明人： 刘宗贺 -专利权人：深圳长晶微电子有限公司
申请日： 2022-04-20 - 公布日： 2022-12-02 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明提供一种超低压低容单向保护器及其制作方法，该一种超低压低容单向保护器设置有电极衬底，电极衬底上依次连接有第一掺杂区、第二掺杂区、第三掺杂区、第四掺杂区、第五掺杂区、第六掺杂区，连通电极连接于第六掺杂区的一端。第二掺杂区与第一掺杂区之间连接有第一正向PN结，第三掺杂区与第二掺杂区之间连接有第一反向PN结，第四掺杂区与第三掺杂区之间连接有第二正向PN结，第五掺杂区与第四掺杂区之间连接有第二反向PN结，第六掺杂区与第五掺杂区之间连接有第三正向PN结。第四掺杂区与第五掺杂区的外侧设置有第一金属层，第二掺杂区与第三掺杂区的外侧设置有第二金属层。
压低单向保护及其制作方法

[实用新型]超低压低容单向保护器-CN202220919960.8有效
发明人： 刘宗贺 -专利权人：深圳长晶微电子有限公司
申请日： 2022-04-20 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： H01L23/58 文献下载
摘要：本实用新型提供一种超低压低容单向保护器，该一种超低压低容单向保护器设置有电极衬底，电极衬底上依次连接有第一掺杂区、第二掺杂区、第三掺杂区、第四掺杂区、第五掺杂区、第六掺杂区，连通电极连接于第六掺杂区的一端。第二掺杂区与第一掺杂区之间连接有第一正向PN结，第三掺杂区与第二掺杂区之间连接有第一反向PN结，第四掺杂区与第三掺杂区之间连接有第二正向PN结，第五掺杂区与第四掺杂区之间连接有第二反向PN结，第六掺杂区与第五掺杂区之间连接有第三正向PN结。第四掺杂区与第五掺杂区的外侧设置有第一金属层，第二掺杂区与第三掺杂区的外侧设置有第二金属层。
压低单向保护

[发明专利]一种大跨度斜拉桥机械切割拆除的施工方法-CN202210184928.4在审
发明人：任军伟;党永长;胡书豪;刘宗贺;董斌;刘潘潘 -专利权人：中电建十一局工程有限公司;中国水利水电第十一工程局有限公司
申请日： 2022-02-28 - 公布日： 2022-04-22 - 主分类号： E01D24/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种大跨度斜拉桥机械切割拆除的施工方法，包括如下步骤：S1：在河道下游修筑施工便道，对照明设备及电缆等河道边坡上原有设施进行保护，其中便道满足行车条件；S2：河道中心处设置导流沟，导流方式为明渠导流；S3：拆迁前应先支撑，以保证拆除安全，通过计算拆除桥梁斜拉索后，桥梁主跨及面板受力情况，保证拆除斜拉索后桥梁桥跨结构稳定，需在桥梁主跨底部加设支撑架以形成临时支撑体系，满足桥梁体系受力体系转换等；该发明大跨度斜拉桥机械切割拆除的施工方法安全、高效，适用于多种斜拉桥，在拆桥过程中振动小，污染小，对周围环境影响较小，安全性高，且施工周期短，节约成本。
一种跨度斜拉桥机械切割拆除施工方法

[实用新型]一种桥梁体外预应力转向构造-CN202121267195.8有效
发明人：任军伟;党永长;刘宗贺;孙文川;董斌;胡书豪;刘浩浩 -专利权人：中电建十一局工程有限公司;中国水利水电第十一工程局有限公司
申请日： 2021-06-08 - 公布日： 2022-01-07 - 主分类号： E01D19/00 文献下载
摘要：一种桥梁体外预应力转向构造，它包括:箱梁，所述的箱梁的内壁与底壁铰接处间隔对称设置有多组荷载传递机构，所述的箱梁顶部设置有固定机构，还包括多组预应力钢束，多组所述的预应力钢束的底端固定在多组所述的荷载传递机构上，多组所述的预应力钢束的顶端设置在所述的固定机构上。与现有技术相比，本实用新型预应力钢束的两端分别固定连接在荷载传递机构和固定机构上，预应力钢束的底端将荷载传递给固定块，固定块将荷载传递给U型板，U型板的两端将荷载给箱梁的侧壁和底部，有效的将预应力钢束转向时的荷载传递给箱梁，其具有结构简单，结构稳固的优点。
一种桥梁体外预应力转向构造

[实用新型]一种用于贫瘠土壤治理的肥料混合装置-CN202022914381.8有效
发明人：任军伟;焦红武;党永长;张培培;刘宗贺;董斌;刘浩浩 -专利权人：中电建十一局工程有限公司;中国水利水电第十一工程局有限公司
申请日： 2020-12-08 - 公布日： 2021-10-08 - 主分类号： B01F9/10 文献下载
摘要：一种用于贫瘠土壤治理的肥料混合装置，它包括:基座、设置在所述的基座一侧的伸缩机构、可转动设置在所述的基座上的混料机构和设置在所述的伸缩机构顶部的进料机构，所述的进料机构底部设置有输料端口，所述的混料机构顶部设置有进料管，所述的输料端口通过所述的伸缩机构可升降对接所述的进料管。与现有技术相比，本实用新型提出了一种用于贫瘠土壤治理的肥料混合装置，与现有技术相比，本实用新型通过进料机构上料、混料机构混合，能够根据不同的土壤需求混合肥料，避免施肥不均匀的现象，提高了对贫瘠土壤改良的效果。
一种用于贫瘠土壤治理肥料混合装置

[实用新型]一种透水道路切割灌封一体机-CN202022924216.0有效
发明人：任军伟;焦红武;何彩云;王耀华;孙文川;胡书豪;刘宗贺 -专利权人：中电建十一局工程有限公司;中国水利水电第十一工程局有限公司
申请日： 2020-12-09 - 公布日： 2021-10-08 - 主分类号： E01C23/09 文献下载
摘要：一种透水道路切割灌封一体机，它包括:机座，所述机座上自下而上依次设置有切割机、清理机和填缝机，所述切割机包括第一电机、设置在所述第一电机输出端的转盘、设置在所述转盘上的支杆、设置在所述支杆端部的第二电机和设置在所述第二电机输出端的切割盘；所述清理机包括收集箱、设置在所述收集箱腔体内的微型泵机和通过所述微型泵机设置在所述收集箱一侧的回收管；所述填缝机包括料箱、设置在所述料箱一侧的下料管和设置在所述下料管上的电控阀。与现有技术相比，本实用新型在对道路切割的同时进行路面清理，清理后可立即填缝，其简化了施工流程，提高了施工效率，减少了人工介入，杜绝了二次清理施工，降低了施工成本，具有较强实用性。
一种透水道路切割一体机

[实用新型]一种生态保护坡的护坡砖输送轨道-CN202022911299.X有效
发明人：焦红武;任军伟;张冠鑫;陈淑;朱培雯;刘宗贺;孙文川 -专利权人：中电建十一局工程有限公司;中国水利水电第十一工程局有限公司
申请日： 2020-12-08 - 公布日： 2021-08-24 - 主分类号： B65G13/00 文献下载
摘要：一种生态保护坡的护坡砖输送轨道，它包括:由斜面输送部和平面存储部连接形成的轨道主体，所述输送部与所述存储部均包括多组输送轮和设置在所述输送轮两侧的轨道板，所述输送部轨道板相对内侧上依次设置有多组第一缓冲结构，所述存储部轨道板外缘间设置有第二缓冲结构。本实用新型通过输送辊输送护坡砖，护坡砖在输送时依次抵接多组第一缓冲结构，大大降低了护坡砖的输送速度，避免了护坡砖输送速度过快出现损坏；当护坡砖输送到轨道主体底部时，抵接第二缓冲结构，避免了护坡砖下落碰撞造成的破损。本实用新型提供了双重缓冲结构，降低了护坡砖的输送速度，减少或避免了护坡砖下落碰撞造成的破损，提高了的输送效率，降低了人工投入。
一种生态护坡输送轨道

[发明专利]一种低过冲电压单向TVS及其制造方法-CN201810812187.3有效
发明人：邹有彪;刘宗贺;薛战 -专利权人：富芯微电子有限公司
申请日： 2018-07-23 - 公布日： 2021-07-20 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种低过冲电压单向TVS，包括P型衬底和扩散于P型衬底上、下表面的N+浓磷区，N+浓磷区分别覆盖P型衬底上、下表面积的2/3‑5/6；TVS器件上表面氧化有二氧化硅钝化层，TVS器件上表面设有金属电极K，TVS器件下表面设有金属电极A；本发明还公开了所述低过冲电压单向TVS的制造方法，包括如下步骤：步骤S1、衬底制备；步骤S2、氧化；步骤S3、浓磷区光刻；步骤S4、浓磷区扩散；步骤S5、引线孔光刻；步骤S6、蒸铝；步骤S7、铝反刻；步骤S8、蒸铝合金；步骤S9、蒸Ti‑Ni‑Ag合金；步骤S10、Ti‑Ni‑Ag反刻。本发明相对于传统结构的单向TVS在结构上多了一个浓磷扩散区、少了一个浓硼扩散区，在P型衬底下表面扩散浓磷区，能够有效地降低过冲电压，增强器件的浪涌能力。
一种电压单向 tvs 及其制造方法

[实用新型]具有异常持续过压保护功能的保护电路-CN202021957179.7有效
发明人：吴沛东;刘宗贺;姚秀珍 -专利权人：深圳长晶微电子有限公司
申请日： 2020-09-09 - 公布日： 2021-04-30 - 主分类号： H02H9/04 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种具有异常持续过压保护功能的保护电路，包括其分别并联于电源及负载两端，该电路包括用于泄放瞬时浪涌电压的瞬时过压保护电路及用于泄放电路中异常持续过压的异常持续过压保护电路，所述瞬时过压保护电路分别与电源及负载两端并联，异常持续过压保护电路分别与电源及负载两端并联且与瞬时过压保护电路的输出端连接。本实用新型可实现对负载进行过压保护的同时，还对瞬时过压保护电路进行异常持续过压保护。此外，本实用新型还设置过流保护电路，当流过负载的电流超过设定电流时，过流保护电路断路，以保护负载。本实用新型具有安全可靠、结构简单等特点。
具有异常持续保护功能电路

[实用新型]相同电压不同浪涌功率的双路双向TVS保护芯片-CN202021991582.1有效
发明人： 刘宗贺;吴沛东;马海军;李长林;吴宏达 -专利权人：深圳长晶微电子有限公司
申请日： 2020-09-11 - 公布日： 2021-03-30 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本实用新型提供一种相同电压不同浪涌功率的双路双向TVS保护芯片，其包括N型衬底、第一P型杂质、第二P型杂质、第一表面结构、第三P型杂质和第二表面结构，第一P型杂质和第二P型杂质并列设置在N型衬底同一端，第一表面结构设置在N型衬底一端，与第一P型杂质在同一侧，用于导电，第三P型杂质设置在N型衬底远离第一P型杂质的一端，第二表面结构设置在N型衬底远离第一P型杂质的一端，用于导电。本实用新型的相同电压不同浪涌功率的双路双向TVS保护芯片，可以实现双向双路相同电压的保护，整体结构简单，成本低，节约线路板资源，一致性好。
相同电压不同浪涌功率双向 tvs 保护芯片

[实用新型]非对称电压的双路双向TVS保护器件-CN202021992735.4有效
发明人： 刘宗贺;吴沛东;王涛;廖泽华;姚秀珍 -专利权人：深圳长晶微电子有限公司
申请日： 2020-09-11 - 公布日： 2021-03-30 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本实用新型提供一种非对称电压的双路双向TVS保护器件，其包括N型衬底、第一P型杂质、第二P型杂质、N型掺杂、第一表面结构、第三P型杂质和第二表面结构，第一P型杂质和第二P型杂质并列设置在N型衬底同一端，N型掺杂设置在第一P型杂质上，第一表面结构设置在N型衬底一端，与第一P型杂质在同一侧，用于导电，第三P型杂质设置在N型衬底远离第一P型杂质的一端，第二表面结构设置在N型衬底远离第一P型杂质的一端，用于导电。本实用新型的非对称电压的双路双向TVS保护器件，可以实现双向双路非对称电压的保护，整体结构简单，应对双向双路且需要不同保护电压值的电路时的保护能力较好。
对称电压双向 tvs 保护器件

[实用新型]相同电压不同浪涌功率的双路单向TVS保护芯片-CN202021996498.9有效
发明人： 刘宗贺 -专利权人：深圳长晶微电子有限公司
申请日： 2020-09-11 - 公布日： 2021-03-30 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本实用新型提供一种相同电压不同浪涌功率的双路单向TVS保护芯片，其包括N型衬底、第一P型杂质、第二P型杂质、表面结构和第一金属电极，第一P型杂质和第二P型杂质并列设置在N型衬底同一端，外侧被N型衬底包裹，一端露出N型衬底，另一端沉入N型衬底中，且第二P型杂质比第一P型杂质的横截面面积大，表面结构设置在N型衬底一端，与第一P型杂质在同一侧，用于导电，第一金属电极，设置在N型衬底远离第一P型杂质的一端，用于导电。本实用新型的相同电压不同浪涌功率的双路单向TVS保护芯片，可以实现单向双路相同电压的不同功率保护，整体结构简单，成本低，节约线路板空间。
相同电压不同浪涌功率单向 tvs 保护芯片

[实用新型]集成保护芯片结构-CN202022052283.8有效
发明人： 刘宗贺;吴沛东;姚秀珍 -专利权人：深圳长晶微电子有限公司
申请日： 2020-09-17 - 公布日： 2021-03-30 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：本实用新型提供一种集成保护芯片结构，其包括N型衬底、双向TVS结构、双向TSS结构、第一表面结构和第二表面结构，双向TVS结构设置在N型衬底上，用于线路保护，包括第一P型杂质和第二P型杂质，第一P型杂质和第二P型杂质分别设置在N型衬底两端，双向TSS结构设置在N型衬底上，用于泄放掉双向TVS结构不能承载的大电流，第一表面结构设置在N型衬底一端，用于芯片封装焊接，第二表面结构设置在N型衬底远离第一表面结构的一端，用于芯片封装焊接。本实用新型的集成保护芯片结构成本低，占用线路板空间小。
集成保护芯片结构

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