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[发明专利]一种肖特基势垒接触的超势垒整流器及其制造方法-CN201710052574.7在审
发明人：陈文锁;张培健;钟怡;刘建 -专利权人：重庆中科渝芯电子有限公司;中国电子科技集团公司第二十四研究所
申请日： 2017-01-24 - 公布日： 2018-04-20 - 主分类号： H01L29/812 文献下载
摘要：本发明公开了一种肖特基势垒接触的超势垒整流器及其制造方法。所述肖特基势垒接触的超势垒整流器包括重掺杂第一导电类型衬底层、轻掺杂第一导电类型外延层、第二导电类型体区、栅介质层、栅电极层、肖特基势垒接触区、上电极金属层和下电极金属层。所述肖特基势垒接触的超势垒整流器属于超势垒整流器类型，其可调节的肖特基势垒接触区可以采用常规肖特基势垒的制造工艺形成，能够依据具体应用条件方便的调节反向漏电水平和正向导通能力之间的匹配关系。从而该肖特基势垒接触的超势垒整流器具有制造工艺简单和方便应用的优点。
一种肖特基势垒接触超势垒整流器及其制造方法

[实用新型]一种肖特基势垒接触的超势垒整流器-CN201720104249.6有效
发明人：陈文锁;张培健;钟怡;刘建 -专利权人：重庆中科渝芯电子有限公司;中国电子科技集团公司第二十四研究所
申请日： 2017-01-24 - 公布日： 2017-10-20 - 主分类号： H01L29/812 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种肖特基势垒接触的超势垒整流器。所述肖特基势垒接触的超势垒整流器包括重掺杂第一导电类型衬底层、轻掺杂第一导电类型外延层、第二导电类型体区、栅介质层、栅电极层、肖特基势垒接触区、上电极金属层和下电极金属层。所述肖特基势垒接触的超势垒整流器属于超势垒整流器类型，其可调节的肖特基势垒接触区可以采用常规肖特基势垒的制造工艺形成，能够依据具体应用条件方便的调节反向漏电水平和正向导通能力之间的匹配关系。从而该肖特基势垒接触的超势垒整流器具有制造工艺简单和方便应用的优点。
一种肖特基势垒接触超势垒整流器

[发明专利]一种肖特基势垒接触的沟槽型超势垒整流器及其制造方法-CN201710101799.7在审
发明人：陈文锁;张培健;钟怡;刘建;陆泽灼 -专利权人：重庆中科渝芯电子有限公司
申请日： 2017-02-24 - 公布日： 2018-04-20 - 主分类号： H01L27/07 文献下载
摘要：本发明公开了一种肖特基势垒接触的沟槽型超势垒整流器及其制造方法；所述肖特基势垒接触的沟槽型超势垒整流器包括上电极层、重掺杂第一导电类型衬底层、轻掺杂第一导电类型外延层、第二导电类型体区、第二导电类型埋层、栅介质层、栅电极层、肖特基势垒接触区和下电极层。所述肖特基势垒接触的沟槽型超势垒整流器属于超势垒整流器类型，其可调节的肖特基势垒接触区可以采用常规肖特基势垒的制造工艺形成，能够依据具体应用条件方便的调节反向漏电水平和正向导通能力之间的匹配关系。从而该肖特基势垒接触的沟槽型超势垒整流器具有制造工艺简单和方便应用的优点。
一种肖特基势垒接触沟槽型超势垒整流器及其制造方法

[实用新型]一种肖特基势垒接触的沟槽型超势垒整流器-CN201720168934.5有效
发明人：陈文锁;张培健;钟怡;刘建;陆泽灼 -专利权人：重庆中科渝芯电子有限公司
申请日： 2017-02-24 - 公布日： 2017-11-21 - 主分类号： H01L27/07 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种肖特基势垒接触的沟槽型超势垒整流器；所述肖特基势垒接触的沟槽型超势垒整流器包括上电极层、重掺杂第一导电类型衬底层、轻掺杂第一导电类型外延层、第二导电类型体区、第二导电类型埋层、栅介质层、栅电极层、肖特基势垒接触区和下电极层。所述肖特基势垒接触的沟槽型超势垒整流器属于超势垒整流器类型，其可调节的肖特基势垒接触区可以采用常规肖特基势垒的制造工艺形成，能够依据具体应用条件方便的调节反向漏电水平和正向导通能力之间的匹配关系。从而该肖特基势垒接触的沟槽型超势垒整流器具有制造工艺简单和方便应用的优点。
一种肖特基势垒接触沟槽型超势垒整流器

[发明专利]一种耗尽型沟道超势垒整流器及其制造方法-CN201410311136.4有效
发明人：陈文锁;肖添;钟怡;胡镜影;张培健;刘嵘侃 -专利权人：重庆中科渝芯电子有限公司
申请日： 2014-07-01 - 公布日： 2017-03-15 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供一种耗尽型沟道超势垒整流器及其制造方法，所述超势垒整流器采用耗尽型沟道形成超势垒区，正向导通时的阳极欧姆接触由阳极金属和强反型的超势垒区自动形成。该耗尽型沟道超势垒整流器包括第一导电类型衬底、轻掺杂第一导电类型漂移区、第二导电类型体区、场介质层、栅介质层、多晶硅层、金属层和化合物金属层，以及下电极金属层和上电极金属层。
一种耗尽沟道超势垒整流器及其制造方法

[发明专利]氮化镓基半导体器件及其制作方法-CN201910888407.5有效
发明人：林科闯;房育涛;刘波亭;毛张文;李健;张恺玄;杨健 -专利权人：厦门市三安集成电路有限公司
申请日： 2019-09-19 - 公布日： 2020-12-18 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本申请提供一种氮化镓基半导体器件及其制作方法，该氮化镓基半导体器件包括衬底、基于衬底一侧形成的氮化物半导体层以及基于氮化物半导体层远离衬底一侧形成的复合势垒层。其中，该复合势垒层包括至少两组层叠设置的超晶格势垒层，每组超晶格势垒层包括层叠设置的第一势垒层和第二势垒层，该第一势垒层中的Al组分含量高于第二势垒层中的Al组分含量。如此，通过较高Al组分含量的第一势垒层保证沟道的二维电子气浓度，以改善器件导通特性，并利用较低Al组分含量的第二势垒层降低超晶格势垒层的等效压电极化系数，从而减小器件高压下的逆压电形变，以提高器件的可靠性
氮化半导体器件及其制作方法

[发明专利]包含具有含超晶格电子平均自由程控制层的共振隧穿二极管结构的半导体器件及相关方法-CN201780059913.2有效
发明人： R·J·梅尔斯;武内英树;M·伊萨 -专利权人：阿托梅拉公司
申请日： 2017-08-08 - 公布日： 2022-04-05 - 主分类号： H01L29/88 文献下载
摘要：一种半导体器件，包含至少一个双势垒共振隧穿二极管(DBRTD)。该至少一个DBRTD可以包含第一掺杂半导体层，以及在第一掺杂半导体层上且包含超晶格的第一势垒层。DBRTD还可以包含在第一势垒层上的第一本征半导体层、在第一本征半导体层上的且同样包含超晶格的第二势垒层、在第二势垒层上的第二本征半导体层、在第二本征半导体层上的且同样包含超晶格的第三势垒层。第三本征半导体层可以位于第三势垒层上，第四势垒层可以位于第三本征半导体层上且同样包含超晶格，第二掺杂半导体层位于第四势垒层上。
包含具有晶格电子平均自由程控制共振二极管结构半导体器件相关方法

[实用新型]一种氮化镓基高电子迁移率晶体管外延结构-CN201621416681.0有效
发明人：孔欣 -专利权人：成都海威华芯科技有限公司
申请日： 2016-12-22 - 公布日： 2017-06-13 - 主分类号： H01L29/201 文献下载
摘要：本实用新型提供一种氮化镓基高电子迁移率晶体管外延结构，从下到上依次包括衬底、AlN成核层、GaN缓冲层、GaN沟道层、AlN插入层和InN/AlN超晶格势垒层，所述InN/AlN超晶格势垒层包括多个垂直生长的势垒单元，每个势垒单元包括InN层和生长于InN层上的AlN层。本实用新型采用InN/AlN超晶格势垒层，可以达到势垒层与GaN缓冲层的晶格完全匹配，消除压电效应，改善器件可靠性；并且具备更强的自发极化效应，可以产生高密度二维电子气，器件电流密度将会高于采用AlGaN势垒的器件；低厚度的InN/AlN超晶格势垒也可产生较高密度的二维电子气，非常适合GaN的毫米波器件应用。
一种氮化镓基高电子迁移率晶体管外延结构

[实用新型]红外探测器-CN202022761132.X有效
发明人：张立群;黄勇 -专利权人：苏州晶歌半导体有限公司
申请日： 2020-11-25 - 公布日： 2022-01-11 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种红外探测器，其P型超晶格势垒层(14)为P型InPSb/GaSb超晶格。本实用新型采用InPSb/GaSb超晶格制作形成电子势垒层，其势垒高度高于传统的InAs/GaSb超晶格电子势垒，从而改善电子阻挡效果。本实用新型还公开了一种红外探测器，其N型超晶格势垒层(12)为N型InPSb/GaSb超晶格。本实用新型采用InPSb/GaSb超晶格制作形成空穴势垒层，由于不含有Al，因此避免了含Al材料的氧化，降低了材料生长和加工的难度，提升了器件稳定性和可靠性。
红外探测器

[发明专利]一种超势垒整流器及其制备方法-CN201610540473.X有效
发明人：陈茜;胡玮;黄晓橹 -专利权人：华润微电子（重庆）有限公司
申请日： 2016-07-11 - 公布日： 2019-05-21 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：本发明涉及功率半导体整流器，尤其涉及一种超势垒整流器及其制备方法。本发明中超势垒整流器SBR开态时，高浓度的半导体漂移区201为超势垒整流器SBR提供了大量的多数载流子，形成了多个低阻电流通道，极大地减小了超势垒整流器SBR的导通电阻，从而大大的降低工艺成本。
一种超势垒整流器及其制备方法

[发明专利]红外探测器及其制备方法-CN201710509150.9有效
发明人：黄勇;赵宇;熊敏;吴启花 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2017-06-28 - 公布日： 2020-03-27 - 主分类号： H01L31/109 文献下载
摘要：本发明提供一种红外探测器及其制备方法，所述红外探测器包括衬底、第一电极、第二电极及从下而上依次设置于所述衬底上的接触层、空穴势垒层、吸收层、电子势垒层，所述第一电极与所述接触层连接，所述第二电极与所述电子势垒层连接，所述空穴势垒层为InGaAs/InAsSb超晶格。所述红外探测器的制备方法包括：提供一衬底；从下而上依次在所述衬底上生长形成接触层、空穴势垒层、吸收层、电子势垒层，所述空穴势垒层为InGaAs/InAsSb超晶格；分别在所述接触层上沉积第一电极、在所述电子势垒层上沉积第二电极本发明提供的红外探测器的空穴势垒层为InGaAs/InAsSb超晶格，空穴势垒层中不含铝，降低了材料生长和加工的难度、提升了稳定性和可靠性。
红外探测器及其制备方法

[发明专利]互补势垒超晶格长波红外探测器-CN202110222852.5在审
发明人：崔素宁;蒋洞微;李勇;陈伟强;蒋俊锴;王国伟;徐应强;牛智川 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2021-02-26 - 公布日： 2021-06-25 - 主分类号： H01L31/109 文献下载
摘要：本公开提供了一种互补势垒超晶格长波红外探测器自下而上顺次包括：衬底、缓冲层、n型InAsSb层、电子势垒层、吸收层、空穴势垒层、n型接触层和盖层；所述空穴势垒层自下而上包括：p型掺杂空穴势垒区和n型掺杂空穴势垒区；所述互补势垒超晶格长波红外探测器还包括上电极和下电极，上电极设置在所述盖层上；下电极设置在所述缓冲层上。
互补势垒超晶格长波红外探测器

[发明专利]红外探测器及其制作方法-CN202011345739.8在审
发明人：张立群;黄勇 -专利权人：苏州晶歌半导体有限公司
申请日： 2020-11-25 - 公布日： 2021-02-02 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本发明公开了一种红外探测器，其P型超晶格势垒层(14)为P型InPSb/GaSb超晶格。本发明采用InPSb/GaSb超晶格制作形成电子势垒层，其势垒高度高于传统的InAs/GaSb超晶格电子势垒，从而改善电子阻挡效果。本发明还公开了一种红外探测器，其N型超晶格势垒层(12)为N型InPSb/GaSb超晶格。本发明采用InPSb/GaSb超晶格制作形成空穴势垒层，由于不含有Al，因此避免了含Al材料的氧化，降低了材料生长和加工的难度，提升了器件稳定性和可靠性。本发明还公开了一种红外探测器的制作方法。
红外探测器及其制作方法

[发明专利]一种无铝型II类超晶格长波双势垒红外探测器-CN201610351898.6有效
发明人：周易;陈建新;王芳芳;徐志成 -专利权人：中国科学院上海技术物理研究所
申请日： 2016-05-25 - 公布日： 2018-07-06 - 主分类号： H01L31/101 文献下载
摘要：本发明公开了一种无铝型II类超晶格双势垒长波红外探测器，其具体结构为GaSb衬底向上依次为超晶格长波N型接触层、超晶格空穴势垒层、超晶格长波吸收区、超晶格中波电子势垒层和超晶格长波P型接触层，上电极TiPtAu位于超晶格长波N型接触层上，下电极TiPtAu位于超晶格长波P型接触层上。本发明公开的结构利用无铝型双势垒的设计和引入获得暗电流小、探测率高，信噪比大的长波超晶格红外探测器。
超晶格长波双势垒红外探测器长波红外探测器电子势垒层空穴势垒层暗电流探测率吸收区下电极信噪比电极衬底引入

[实用新型]无铝型II类超晶格长波双势垒红外探测器-CN201620483351.7有效
发明人：周易;陈建新;王芳芳;徐志成 -专利权人：中国科学院上海技术物理研究所
申请日： 2016-05-25 - 公布日： 2016-12-14 - 主分类号： H01L31/101 文献下载
摘要：本专利公开了一种无铝型II类超晶格双势垒长波红外探测器，其具体结构为GaSb衬底向上依次为超晶格长波N型接触层、超晶格空穴势垒层、超晶格长波吸收区、超晶格中波电子势垒层和超晶格长波P型接触层，上电极TiPtAu位于超晶格长波N型接触层上，下电极TiPtAu位于超晶格长波P型接触层上。本专利公开的结构利用无铝型双势垒的设计和引入获得暗电流小、探测率高，信噪比大的长波超晶格红外探测器。
无铝型 ii 晶格长波双势垒红外探测器

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