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[发明专利]可调体偏置电路-CN201210279042.4有效
发明人：伦泽·迈耶;卡斯·格鲁特;杰拉尔德·维勒·皮盖 -专利权人： NXP股份有限公司
申请日： 2012-08-07 - 公布日： 2013-03-06 - 主分类号： H03K19/00 文献下载
摘要：在各种不同的示例中实现了体偏置电路和方法。一个这种示例包括通过控制体偏置开关电路的开关，将第一体偏置岛的第一阱和第二体偏置岛的第二阱设置为第一偏置模式。所述偏置是反向体偏置、额定体偏置和正向体偏置之一。还根据反向体偏置、额定体偏置和正向体偏置之一对第二阱进行偏置。响应于偏置模式输入，通过控制体偏置开关电路的开关将第一体偏置岛的第一阱和第二体偏置岛的第二阱每一个均设置为第二偏置模式。可以改变第一阱和第二阱的偏置。
可调偏置电路

[发明专利]控制电路以及半导体存储器-CN202210306176.4在审
发明人：范玉鹏 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2022-03-25 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： G11C11/4074 文献下载
摘要：本公开实施例提供了一种控制电路以及半导体存储器，该控制电路包括偏置模块，偏置模块用于向功能模块提供偏置电流；偏置模块包括第一偏置模块和第二偏置模块，第一偏置模块用于提供第一偏置电流，第二偏置模块用于提供第二偏置电流；其中，第一偏置电流小于第二偏置电流，第一偏置模块用于在上电后处于常开状态，第二偏置模块用于接收偏置使能信号并基于偏置使能信号提供第二偏置电流。这样，该控制电路不仅可以保证偏置模块的稳定时间，而且还可以达到节省功耗的目的。
控制电路以及半导体存储器

[发明专利]一种光IQ调制器的偏置电压控制方法及系统-CN201910441259.2有效
发明人：沈秀娟;魏旭立 -专利权人：烽火通信科技股份有限公司
申请日： 2019-05-24 - 公布日： 2022-06-03 - 主分类号： H04L27/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种光IQ调制器的偏置电压控制方法及系统，涉及通信技术领域。偏置电压控制方法包括：在两个MZM上加载任意的初始偏置电压，扫描移相器的偏置电压以获得较佳偏置电压；保持移相器的偏置电压为较佳偏置电压，扫描第一MZM的偏置电压以获得较佳偏置电压；保持第一路MZM的偏置电压为较佳偏置电压，扫描第二MZM的偏置电压以获得较佳偏置电压；通过迭代方法更新移相器和两个MZM的较佳偏置电压，并将最后一次迭代得到的较佳偏置电压作为最佳偏置电压，每次迭代更新移相器的较佳偏置电压时，更新在每个MZM上加载的初始偏置电压
一种 iq 调制器偏置电压控制方法系统

[发明专利]GM偏置电路-CN202210353490.8在审
发明人：王玉娇;谢婷婷;管剑铃;武子钰;倪文海;徐文华 -专利权人：上海迦美信芯通讯技术有限公司
申请日： 2022-04-06 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： G05F1/56 文献下载
摘要：本发明涉及一种GM偏置电路，通过GM偏置电路包括：启动模块、GM偏置模块和输出模块；GM偏置模块包括：第一PMOS管、第二PMOS管、第一NMOS管和第二NMOS管，GM偏置模块用于产生输出电流；启动模块与GM偏置模块中的第一NMOS管和第二NMOS管电连接，用于向GM偏置模块输出控制信号，使得GM偏置模块摆脱简并偏置点；输出模块与GM偏置模块电连接，用于将输出电流转化为输出电压；解决了现有技术中GM偏置电路在上电之后处于简并偏置点，无电流通过从而导致GM偏置电路无法正常工作的技术问题；实现了在GM偏置电路处于简并偏置点时，启动模块自动工作使得GM偏置电路摆脱简并偏置点，并在GM偏置电路摆脱简并偏置点之后停止工作，整个过程响应迅速且无静态功耗
gm 偏置电路

[发明专利]偏置电路-CN202210459974.0在审
发明人：饶雪琴;陈炉星;李铖;方建;赖晓蕾;倪建兴 -专利权人：锐石创芯（深圳）科技股份有限公司
申请日： 2022-04-28 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： H03F1/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种偏置电路，该偏置电路包括偏置电源端、第一偏置晶体管和保护电路；第一偏置晶体管的第一节点耦合至偏置电源端，被配置为接收偏置电源端输出的第一偏置信号，第一偏置晶体管的第二节点，被配置为输出第二偏置信号至功率放大器，第一偏置晶体管的第三节点耦合至第一供电电源端；保护电路，与偏置电源端相连，被配置为阻隔交流信号流向至偏置电源端中。本发明通过在偏置电源端接入保护电路，该保护电路能够在不影响偏置电源端输出第一偏置信号至第一偏置晶体管的前提下，阻隔偏置电路中回流的交流信号流向偏置电源端中，避免交流信号对偏置电源端造成影响，进而提高偏置电路的线性度
偏置电路

[发明专利]GM偏置电路-CN202210353507.X在审
发明人：王玉娇;谢婷婷;管剑铃;武子钰;倪文海;徐文华 -专利权人：上海迦美信芯通讯技术有限公司
申请日： 2022-04-06 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： G05F1/56 文献下载
摘要：本发明涉及一种GM偏置电路。通过GM偏置电路包括：启动模块、GM偏置模块和输出模块；所述GM偏置模块包括：第一PMOS管、第二PMOS管、第一NMOS管和第二NMOS管，所述GM偏置模块用于产生输出电流；所述启动模块与所述GM偏置模块电连接，用于向所述GM偏置模块输出控制信号，使得所述GM偏置模块摆脱简并偏置点；所述输出模块与所述GM偏置模块电连接，用于将所述输出电流转化为输出电压；解决了现有技术中GM偏置电路在上电之后处于简并偏置点，无电流通过的技术问题；实现了在GM偏置电路处于简并偏置点时，启动模块自动工作使得GM偏置电路摆脱简并偏置点，并在GM偏置电路摆脱简并偏置点之后停止工作；整个过程响应迅速且无静态功耗。
gm 偏置电路

[发明专利]晶体管的偏置电路及电子装置-CN202211422200.7在审
发明人：郑爽爽;杨梦苏;刘昊宇;林良 -专利权人：苏州华太电子技术股份有限公司
申请日： 2022-11-14 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： H03H7/06 文献下载
摘要：本申请提供了一种晶体管的偏置电路及电子装置，晶体管的偏置电路包括晶体管、栅极偏置电路和漏极偏置电路；栅极偏置电路包括第一偏置单元和第二偏置单元，第一偏置单元和第二偏置单元用于对晶体管的栅极进行偏置，并对晶体管的栅极的视频带宽性能进行优化；漏极偏置电路包括第三偏置单元和第四偏置单元，第三偏置单元和第四偏置单元用于对晶体管的漏极进行偏置，并对晶体管的漏极的视频带宽性能进行优化。通过栅极偏置电路对晶体管的栅极进行偏置，并对晶体管的栅极的视频带宽性能进行优化，漏极偏置电路对晶体管的漏极进行偏置，并对晶体管的漏极的视频带宽性能进行优化，进而解决了现有技术中因去耦电容数值大而难以集成的问题
晶体管偏置电路电子装置

[发明专利]用于偏置低噪声放大器的装置和方法-CN202210849615.6在审
发明人： F·G·巴尔蒂诺;刘伟;A·德瓦拉杰;S·纳加拉詹;K·T·托穆;C·宋;崔允荣 -专利权人：天工方案公司
申请日： 2022-07-19 - 公布日： 2023-01-24 - 主分类号： H03F1/26 文献下载
摘要：本文提供了用于偏置低噪声放大器(LNA)的装置和方法。在某些实施例中，LNA包括至少一个放大射频(RF)输入信号的晶体管，以及包括基于参考电流产生偏置电流的电流偏置电路和基于所述偏置电流为所述至少一个晶体管产生至少一个输入偏置电压的电压偏置电路。电流偏置电路包括接收参考电流的第一偏置晶体管、产生偏置电流的第二偏置晶体管、以及控制第一偏置晶体管的第一偏置电压以匹配第二偏置晶体管的第二偏置电压的放大器。
用于偏置低噪声放大器装置方法

[发明专利]抑制爆破噪音的电路和方法-CN201610872783.1在审
发明人：白文瑞 -专利权人：联芯科技有限公司;大唐半导体设计有限公司
申请日： 2016-09-29 - 公布日： 2018-04-06 - 主分类号： H04R1/10 文献下载
摘要：该抑制爆破噪音的电路包括偏置检测单元、检测迭代单元和去偏置注入单元。偏置检测单元连接音频信号模拟驱动通路的输出端以检测直流偏置值。检测迭代单元连接该偏置检测单元以输入该直流偏置值，该检测迭代单元根据该直流偏置值调整并输出与该直流偏置值符号相反的去直流偏置值，直到该直流偏置值落入目标范围时，保持去直流偏置值。该去偏置注入单元连接该检测迭代单元，将该去直流偏置值注入该音频信号模拟驱动通路的输入端。
抑制爆破噪音电路方法

[发明专利]用于改善放大器线性度的偏置布置-CN202110114853.8在审
发明人： M·穆巴拉克;M·威海巴;M·M·R·艾斯梅尔 -专利权人：亚德诺半导体国际无限责任公司
申请日： 2021-01-28 - 公布日： 2021-08-20 - 主分类号： H03F1/32 文献下载
摘要：本公开涉及用于改善放大器线性度的偏置布置。公开用于放大器的偏置布置。用于放大器的示例偏置布置包括：偏置电路，被配置为产生用于放大器的偏置信号；线性化电路，被配置为通过修改由偏置电路产生的偏置信号以产生要提供给放大器的修改后的偏置信号来改善放大器的线性度；和耦合电路，被配置为耦合偏置电路和线性化电路提供通过偏置电路彼此耦合的分开的偏置和线性化电路允许将线性化操作与偏置回路分开，以克服利用单个偏置回路的现有技术偏置布置的一些缺点。
用于改善放大器线性偏置布置

[发明专利]用于功率芯片的基准电压和偏置电流产生电路-CN201010101602.8有效
发明人：李应天 -专利权人：灿芯半导体(上海)有限公司
申请日： 2010-01-26 - 公布日： 2010-07-21 - 主分类号： G05F3/16 文献下载
摘要：一种用于功率芯片的基准电压和偏置电流产生电路，该电路中，偏置电流产生电路产生偏置电流，基准电压产生电路产生基准电压，电流镜电路将偏置电流复制给低压偏置电源电路和偏置电流输出电路，由低压偏置电源电路给偏置电流产生电路、基准电压产生电路和电流镜电路提供电流，偏置电流输出电路则将偏置电流传输给功率芯片的内部电路和其他电路，启动截止电路产生启动电流传输给偏置电流产生电路，偏置电流产生电路导通并产生偏置电流，偏置电流又经过电流镜电路使低压偏置电源电路导通，一旦低压偏置电源电路导通，启动截止电路产生截止信号，启动结束。
用于功率芯片基准电压偏置电流产生电路

[发明专利]带有闩锁抑制的可调节晶体管衬底偏置发生电路-CN200710084732.3有效
发明人： S·佩里塞地 -专利权人：阿尔特拉公司
申请日： 2007-02-28 - 公布日： 2007-09-12 - 主分类号： H03K3/00 文献下载
摘要：本发明提供了带有衬底偏置或体偏置发生电路的集成电路。衬底偏置发生电路产生衬底偏置信号，其施加到衬底偏置路径上的晶体管。衬底偏置发生电路包括有源闩锁抑制电路，当潜在的闩锁状态检测出来时，其箝位衬底偏置路径处于安全电压。衬底偏置电路产生的衬底偏置信号电平是可调的。通过使用p沟道控制晶体管，衬底偏置发生电路调节衬底偏置路径上的衬底偏置电压。隔离晶体管耦合在p沟道控制晶体管和衬底偏置路径之间。在潜在闩锁状态期间，隔离晶体管被断开来隔离衬底偏置路径和地。控制电路调节衬底偏置电压，衬底偏置电压被施加到p沟道控制晶体管和隔离晶体管中的衬底端。
带有抑制调节晶体管衬底偏置发生电路

[实用新型]一种基准电压和偏置电流产生电路-CN201020102393.4在审
发明人：职春星;胡永华;徐滔;惠国瑜 -专利权人：灿芯半导体(上海)有限公司
申请日： 2010-01-26 - 公布日： 2010-09-22 - 主分类号： G05F3/16 文献下载
摘要：一种基准电压和偏置电流产生电路，该电路中，偏置电流产生电路产生偏置电流，基准电压产生电路产生基准电压，电流镜电路将偏置电流复制给低压偏置电源电路和偏置电流输出电路，由低压偏置电源电路给偏置电流产生电路、基准电压产生电路和电流镜电路提供电流，偏置电流输出电路则将偏置电流传输给功率芯片的内部电路和其他电路，启动截止电路产生启动电流传输给偏置电流产生电路，偏置电流产生电路导通并产生偏置电流，偏置电流又经过电流镜电路使低压偏置电源电路导通，一旦低压偏置电源电路导通，启动截止电路产生截止信号，启动结束。
一种基准电压偏置电流产生电路

[发明专利]体偏置控制电路-CN201410529205.9有效
发明人： A·M·雅拉尔;S·皮尔特里;S·K·沃特金斯 -专利权人：恩智浦美国有限公司
申请日： 2014-10-10 - 公布日： 2019-05-28 - 主分类号： H03K19/08 文献下载
摘要：本发明涉及体偏置控制电路。体偏置控制电路(109)包括被耦接以给体端子提供偏置电压的输出端(113)。体偏置控制电路被配置为在一时间段上将偏置电压从第一偏置电压改变为第二偏置电压，其中偏置电压的有效变化率的幅值在所述时间段上发生变动，其中，对于较靠近源电压的第一偏置电压和第二偏置电压之间的电压。与离源电压较远的第一偏置电压和第二偏置电压之间的偏置电压相比，有效变化率的幅值小。
偏置控制电路

[发明专利]LDO模块及其电压产生电路-CN202111619520.7在审
发明人：陈宁;王红美;郑晓燕;赵强;肖潇;王祥莉 -专利权人：上海贝岭股份有限公司
申请日： 2021-12-27 - 公布日： 2022-04-15 - 主分类号： G05F1/567 文献下载
摘要：本发明公开了一种LDO模块及其电压产生电路，该电压产生电路包括第一偏置单元及第二偏置单元；第一偏置单元包括至少四个MOS管及第一电阻；第二偏置单元包括至少两个MOS管及至少两个开关；第一偏置单元与第二偏置单元相连接；第一偏置单元通过第一偏置单元的至少四个MOS管和第一电阻基于自偏置生成偏置电流，并将偏置电流输出至第二偏置单元；第二偏置单元通过第二偏置单元的至少两个MOS管和至少两个开关基于偏置电流生成偏置电压，并将偏置电压输出至
ldo 模块及其电压产生电路

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