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[发明专利]抗蚀剂图案形成方法、抗蚀剂潜像形成装置、抗蚀剂图案形成装置和抗蚀剂材料-CN201480009687.3有效
发明人：田川精一;大岛明博 -专利权人：国立大学法人大阪大学
申请日： 2014-02-20 - 公布日： 2018-04-20 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：本发明的抗蚀剂图案形成方法含有抗蚀剂层形成步骤(S101)，在基板(11)上形成抗蚀剂层(12)；活性化步骤(S103)，通过活性能量束的照射将所述抗蚀剂层活性化；衰减抑制步骤(S105)，对所述抗蚀剂层的活性衰减进行抑制；图案潜像形成步骤(S107)，通过潜像形成能量束的照射，在所述活性化了的抗蚀剂层上形成图案潜像；以及显影步骤(S110)，对所述抗蚀剂层进行显影。
抗蚀剂图案形成方法抗蚀剂潜像装置材料

[发明专利]镀覆方法和镀覆装置-CN201810296363.2在审
发明人：藤方淳平;下山正;宫本龙;石本健太郎 -专利权人：株式会社荏原制作所
申请日： 2018-03-30 - 公布日： 2018-10-23 - 主分类号： C25D7/12 文献下载
摘要：本发明提供镀覆方法和镀覆装置，抑制由于在抗蚀剂开口部中存在的气泡和抗蚀剂残渣所引起的镀覆不良的产生。提供对具有抗蚀剂开口部的基板进行镀覆的镀覆方法。该镀覆方法具有如下的工序：抗蚀剂残渣去除工序，对基板的形成有抗蚀剂开口部的面喷射第一处理液而去除基板的抗蚀剂开口内的抗蚀剂残渣；填充工序，使经过了去除工序的基板浸渍在第二处理液中而在基板的抗蚀剂开口部内填充第二处理液
镀覆抗蚀剂开口基板抗蚀剂残渣去除镀覆装置处理液填充浸渍处理液中镀覆工序液体填充对基板喷射

[发明专利]光刻方法及半导体器件-CN201110176517.2在审
发明人：于世瑞;孔蔚然;宗登刚 -专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
申请日： 2011-06-28 - 公布日： 2011-11-02 - 主分类号： G03F7/00 文献下载
摘要：根据本发明的光刻方法包括：第一光致抗蚀剂层涂覆步骤，用于在待刻蚀结构上涂覆第一光致抗蚀剂层；第二光致抗蚀剂层涂覆步骤，用于在待刻蚀结构上涂覆第二光致抗蚀剂层；以及曝光步骤，用于利用掩膜对涂覆了第一光致抗蚀剂层和第二光致抗蚀剂层的结构进行曝光其中，第一光致抗蚀剂层的材料的光敏感度大于第二光致抗蚀剂层的材料的光敏感度。
光刻方法半导体器件

[发明专利]掩模坯件的制造方法及涂布装置-CN200810177837.8有效
发明人：宫田凉司;浅川敬司 -专利权人： HOYA株式会社;HOYA电子马来西亚有限公司
申请日： 2008-06-27 - 公布日： 2009-07-01 - 主分类号： G03F1/00 文献下载
摘要：一种掩模坯件的制造方法及涂布装置，其包括使从收容有液状抗蚀剂(21)的液槽(20)通过喷嘴(22)到达喷嘴前端开口部的抗蚀剂接触在具有用于形成转印图案的薄膜的基板的被涂布面上，通过使基板和喷嘴相对移动，在被涂布面上涂布抗蚀剂来形成抗蚀剂膜的工序。在该抗蚀剂膜的形成工序中，在对被涂布面涂布抗蚀剂(21)的过程中，一边向上述液槽(20)内补充抗蚀剂，一边进行控制使得液槽内的抗蚀剂的液面在一定高度。
掩模坯件制造方法装置

[发明专利]用于丝网印刷的基底材料的制造方法及该类型的基底材料-CN201010537576.3无效
发明人： S·G·J·布兰肯博格 -专利权人：斯托克印刷公司
申请日： 2005-03-18 - 公布日： 2011-05-11 - 主分类号： G03F7/12 文献下载
摘要：用于丝网印刷的基底材料(25)的制造方法，该基底材料包括保护薄膜(10)、丝网(5)以及包括光敏材料的中间抗蚀剂层(13)，该方法包括以下步骤：向保护薄膜(10)一面涂敷第一抗蚀剂层(15)，干燥第一抗蚀剂层(15)，向第一抗蚀剂层(15)涂敷附加抗蚀剂层(17)，然后在压力下对附加抗蚀剂层(17)应用丝网(5)，应用丝网(5)的附加抗蚀剂层(17)的一面被润湿。本发明还描述了用于丝网印刷的基底材料(25)，它包括保护薄膜(10)、电化成型的丝网(5)以及包括光敏材料的中间抗蚀剂层(13)。
用于丝网印刷基底材料制造方法类型

[发明专利]用于丝网印刷的基底材料的制造方法及该类型的基底材料-CN200580008565.3有效
发明人： S·G·J·布兰肯博格 -专利权人：斯托克印刷公司
申请日： 2005-03-18 - 公布日： 2007-03-21 - 主分类号： G03F7/12 文献下载
摘要：用于丝网印刷的基底材料(25)的制造方法，该基底材料包括保护薄膜(10)、丝网(5)以及包括光敏材料的中间抗蚀剂层(13)，该方法包括以下步骤：向保护薄膜(10)一面涂敷第一抗蚀剂层(15)，干燥第一抗蚀剂层(15)，向第一抗蚀剂层(15)涂敷附加抗蚀剂层(17)，然后在压力下对附加抗蚀剂层(17)应用丝网(5)，应用丝网(5)的附加抗蚀剂层(17)的一面被润湿。本发明还描述了用于丝网印刷的基底材料(25)，它包括保护薄膜(10)、电化成型的丝网(5)以及包括光敏材料的中间抗蚀剂层(13)。
用于丝网印刷基底材料制造方法类型

[发明专利]正性光致抗蚀剂以及结构体的制造方法-CN200480033386.0无效
发明人：中村雅则;森伸浩 -专利权人：积水化学工业株式会社
申请日： 2004-11-17 - 公布日： 2006-12-13 - 主分类号： G03F7/023 文献下载
摘要：本发明提供可以通过低浓度碱水溶液或中性水显影，并可以容易地通过臭氧水剥离，另外，不易残留残渣，可以减少成本和环境负担的正性光致抗蚀剂以及通过使用该光致抗蚀剂的抗蚀图案形成电路的结构体的制造方法。所述光致抗蚀剂是含有具有结合了2个或2个以上羟基的苯核，且重均分子量为1000～20000的范围的酚醛清漆树脂的正性光致抗蚀剂，所述结构体的制造方法是通过使用该正性光致抗蚀剂的抗蚀图案形成电路的结构体的制造方法，该方法具有以下工序：使用上述正性光致抗蚀剂在基板表面上形成抗蚀膜的工序；对上述抗蚀膜进行曝光、显影的工序；使用显影的抗蚀图案形成电路的工序；除去抗蚀膜的工序。
正性光致抗蚀剂以及结构制造方法

[发明专利]抗蚀剂处理方法-CN200980122599.3无效
发明人：畑光宏;平冈崇志;重松淳二 -专利权人：住友化学株式会社
申请日： 2009-06-10 - 公布日： 2011-05-18 - 主分类号： G03F7/40 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供一种抗蚀剂处理方法，在双图案法等多图案法中，以极其微细且精度良好的方式形成由第一抗蚀剂图案形成用的抗蚀剂组合物得到的图案。本发明是一种抗蚀剂处理方法，(1)将含有树脂(A)、光产酸剂(B)及交联剂(C)的第一抗蚀剂组合物涂布在基体上并干燥，得到第一抗蚀剂膜，所述树脂(A)具有对酸不稳定的基团，不溶或难溶于碱水溶液，并且与酸作用能溶解于碱水溶液，再将第一抗蚀剂膜进行预烘烤、曝光处理、曝光后烘烤、显影，将第一抗蚀剂图案在比所述第一抗蚀剂组合物的玻璃化温度低的温度下保持规定时间，然后，在所述玻璃化温度以上的温度下保持规定时间进行硬烘烤，在其上涂布第二抗蚀剂组合物并干燥，得到第二抗蚀剂膜，再进行预烘烤，曝光处理，曝光后烘烤，显影。
抗蚀剂处理方法

[发明专利]水系抗蚀剂剥离液的调制装置以及非水系抗蚀剂剥离液的调制装置-CN201710133377.8在审
发明人：中川俊元 -专利权人：株式会社平间理化研究所
申请日： 2017-03-07 - 公布日： 2017-09-22 - 主分类号： G03F7/42 文献下载
摘要：本发明提供由原料高精度、自动且连续地调制规定的成分浓度的抗蚀剂剥离液的抗蚀剂剥离液的调制装置。调制装置(10)具备调制槽(3)、测定机构(2)以及控制机构(1)。调制槽(3)接受抗蚀剂剥离液的原料的供给并将它们混合。对于调制槽(3)内的抗蚀剂剥离液，测定机构(2)测定与抗蚀剂剥离液的成分浓度具有相关关系的抗蚀剂剥离液的物性值或抗蚀剂剥离液的成分浓度中的至少一方。控制机构(1)根据由测定机构(2)测定出的测定值，控制向调制槽(3)供给的抗蚀剂剥离液的原料的供给量，以使得在调制槽内调制的抗蚀剂剥离液成为规定的成分浓度。通过自动且连续地进行上述步骤，从而高精度地调制出所希望的成分浓度的抗蚀剂剥离液。
水系抗蚀剂剥离调制装置以及

[发明专利]显影方法和显影装置-CN201510336734.1有效
发明人：竹口博史;井关智弘;寺下裕一 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2015-06-17 - 公布日： 2019-11-12 - 主分类号： G03F7/30 文献下载
摘要：本发明提供一种能够形成CD分布均匀性足够高的抗蚀剂的显影方法。本发明涉及的显影方法，其用于对基板表面上的曝光后的抗蚀剂膜进行显影来形成抗蚀剂图案，依序具有如下步骤：(A)向旋转的基板供给显影液的步骤；(B)使抗蚀剂膜与显影液反应的步骤；和(C)为了使抗蚀剂膜与显影液的反应停止而从抗蚀剂膜表面除去显影液的步骤，在(A)步骤中，使用接液喷嘴，该接液喷嘴具有显影液的排出口和从排出口在横向扩展且与抗蚀剂膜相对的面，并且在(C)步骤中，使除去了显影液的抗蚀剂膜表面的反应停止区域和与显影液的反应持续进行的抗蚀剂膜表面的反应进行区域的边界从抗蚀剂膜的中心部向周缘部移动
显影方法装置

[发明专利]多色调光掩模的制造方法和图案转印方法-CN201110135088.4有效
发明人：长岛奖 -专利权人： HOYA株式会社
申请日： 2011-05-24 - 公布日： 2011-11-30 - 主分类号： G03F1/14 文献下载
摘要：本发明提供多色调光掩模的制造方法和图案转印方法，既能利用抗蚀剂图案的减膜来削减绘图和显影的次数，又能提高疏密部分之间的抗蚀剂图案的减膜速度的面内均匀性。所述制造方法具有如下步骤：形成第1抗蚀剂图案，该第1抗蚀剂图案覆盖遮光部的形成区域和半透光部的形成区域，且半透光部的形成区域中的抗蚀剂膜的厚度比遮光部的形成区域中的抗蚀剂膜的厚度薄；以及向第1抗蚀剂图案供给臭氧，对第1抗蚀剂图案进行减膜，其中，按照以下方式供给臭氧：提供给第1抗蚀剂图案的每单位面积的活性氧的供给量大于对第1抗蚀剂图案进行减膜而消耗的每单位面积的活性氧的消耗量。
多色调光制造方法图案

[发明专利]抗蚀剂添加剂及包含该添加剂的抗蚀剂组合物-CN201210570425.7有效
发明人：金真湖;尹队卿;赵承德;徐东辙 -专利权人：锦湖石油化学株式会社
申请日： 2012-12-25 - 公布日： 2013-07-03 - 主分类号： G03F7/004 文献下载
摘要：本发明公开了一种下式1表示的抗蚀剂添加剂和包含该添加剂的抗蚀剂组合物。该抗蚀剂添加剂改善抗蚀剂膜表面的疏水性以防止在浸没式光刻工艺过程中抗蚀剂膜中的材料在水中被浸出，并且在显影工艺过程中被显影剂剥离以改善抗蚀剂膜表面的亲水性并允许抗蚀剂膜表面具有低的静态接触角，使得可以形成具有优异的敏感度和高分辨率的抗蚀剂膜微图案
抗蚀剂添加剂包含组合

[发明专利]使用溶剂显影用形成含硅抗蚀剂下层膜的组合物的半导体装置的制造方法-CN201380007256.9有效
发明人：武田谕;中岛诚;菅野裕太;若山浩之 -专利权人：日产化学工业株式会社
申请日： 2013-01-23 - 公布日： 2019-07-30 - 主分类号： G03F7/11 文献下载
摘要：本发明的课题是提供在将抗蚀剂曝光后，用有机溶剂显影来形成抗蚀剂图案方面良好的抗蚀剂下层膜。作为解决本发明课题的方法涉及一种半导体装置的制造方法，其包括下述工序：工序(A)，将形成抗蚀剂下层膜的组合物涂布在基板上，进行烘烤来形成抗蚀剂下层膜，所述形成抗蚀剂下层膜的组合物包含水解性硅烷、其水解物所示的硅烷和式(3)所示的硅烷，在全部硅烷中以摩尔％计下述式(1)所示的硅烷:下述式(2)所示的硅烷:下述式(3)所示的硅烷为45～90:6～20:0～35的比例含有各硅烷；工序(B)，在上述下层膜上涂布抗蚀剂用组合物，形成抗蚀剂膜；工序(C)，将上述抗蚀剂膜进行曝光；工序(D)，曝光后将抗蚀剂膜用有机溶剂显影，获得被图案化了的抗蚀剂膜；和工序(E)，利用被图案化了的抗蚀剂膜对上述抗蚀剂下层膜进行蚀刻，利用被图案化了的抗蚀剂下层膜对基板进行加工
使用溶剂显影形成含硅抗蚀剂下层组合半导体装置制造方法

[发明专利]抗蚀剂涂布显影装置和抗蚀剂涂布显影方法-CN201010282254.9有效
发明人：稻富裕一郎 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2010-09-14 - 公布日： 2011-04-20 - 主分类号： G03F7/36 文献下载
摘要：本发明提供一种能够避免工艺过程气氛污染并且高效降低抗蚀图案的线宽粗糙度的抗蚀剂涂布显影装置和抗蚀剂涂布显影方法。抗蚀涂布显影装置(1)具备在基板(W)上涂布抗蚀剂而形成抗蚀膜的抗蚀膜形成部；对曝光的抗蚀膜进行显影的抗蚀剂显影部(18)；生成包含对抗蚀膜具有溶解性的溶剂的蒸汽或气体的气体的溶剂气体生成部；调整利用气体生成部生成的气体的溶剂气体调整部；收纳具有在抗蚀剂显影部(18)显影而图案化的抗蚀膜的基板的、能够维持减压的处理室(62)，该处理室(62)包括向所收纳的基板(W)供给利用溶剂气体调整部调整的气体的供给部；和对处理室进行减压排气的排气部
抗蚀剂涂布显影装置方法

[发明专利]光致抗蚀剂底层组合物及图案化方法-CN202111444330.6在审
发明人： J·凯茨;M·芬奇;P·J·拉博姆;山田晋太郎;S·M·科莱 -专利权人：罗门哈斯电子材料有限责任公司
申请日： 2021-11-30 - 公布日： 2022-06-21 - 主分类号： G03F7/09 文献下载
摘要：一种在衬底上形成图案的方法，所述方法包括：在所述衬底的表面上形成光致抗蚀剂底层，其中所述光致抗蚀剂底层由包含聚合物和溶剂的组合物形成，并且所述光致抗蚀剂底层具有大于47at％的碳含量；用金属前体处理所述光致抗蚀剂底层，其中所述金属前体渗入所述光致抗蚀剂底层的自由体积；以及将所述经金属前体处理的光致抗蚀剂底层暴露于氧化剂以提供金属化的光致抗蚀剂底层。
光致抗蚀剂底层组合图案方法