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[发明专利]光刻用膜形成材料、组合物、光刻用下层膜以及图案形成方法-CN202280018243.0在审
发明人：堀内淳矢;山本拓央;大松祯;佐藤隆;越后雅敏 -专利权人：三菱瓦斯化学株式会社
申请日： 2022-03-02 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： G03F7/11 文献下载
摘要：为了提供具有高的成膜性和溶剂溶解性且能够应用湿式工艺，固化性、膜的耐热性、膜的耐蚀刻性、向台阶基板的埋入性以及膜的平坦性优异，对形成光致抗蚀剂下层膜有用的光刻用膜形成材料等，本公开的光刻用膜形成材料包含：具有键合于芳香环的氨基的化合物，该化合物例如由说明书中记载的式(1A)、式(1B)、式(2)、式(3)、式(4)等表示。
光刻形成材料组合下层以及图案方法

[发明专利]包含采用碳原子间的不饱和键的等离子体固化性化合物的高低差基板被覆膜形成用组合物-CN201880024514.7有效
发明人：远藤贵文;德永光;桥本圭祐;坂本力丸 -专利权人：日产化学株式会社
申请日： 2018-04-11 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： G03F7/11 文献下载
摘要：本发明的课题是提供形成具有对图案的填充性和平坦化性的被膜的等离子体固化性高低差基板被覆膜形成用组合物。解决手段是一种等离子体固化性高低差基板被覆膜形成用组合物，其包含化合物(E)和溶剂(F)，所述化合物(E)包含选自下述式(1‑1)～式(1‑7)所示的部分结构(I)中的至少一种结构。(式中，R1、R1a、R3、R5a和R6a各自独立地表示碳原子数1～10的亚烷基、碳原子数6～40的亚芳基(该亚烷基和亚芳基可以任意地被1个或2个以上酰胺基或氨基取代)、氧原子、羰基、硫原子、‑C(O)‑NRa‑、‑NRb‑或由它们的组合形成的2价基团，R5各自独立地表示氮原子、或由氮原子与选自碳原子数1～10的亚烷基、碳原子数6～40的亚芳基(该亚烷基和亚芳基可以任意地被1个或2个以上酰胺基或氨基取代)、氧原子、羰基、硫原子、‑C(O)‑NRa‑和‑NRb‑中的至少一个以上基团的组合形成的3价基团，R2、R2a、R4、和R6各自独立地表示氢原子、碳原子数1～10的烷基、或由氢原子与选自碳原子数1～10的亚烷基、氧原子、羰基、‑C(O)‑NRa‑和‑NRb‑中的至少一个以上基团的组合形成的1价基团，Ra表示氢原子或碳原子数1～10的烷基，Rb表示氢原子、碳原子数1～10的烷基或碳原子数1～10的烷基羰基，n表示1～10的重复单元数，并且虚线表示与相邻原子结合的化学键。)#imgabs0#
包含采用原子不饱和等离子体固化化合物高低差基板被覆形成组合

[发明专利]柔版印刷版原版及柔版印刷版的制造方法-CN202280016885.7在审
发明人：白川征人 -专利权人：富士胶片株式会社
申请日： 2022-02-24 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： G03F7/11 文献下载
摘要：本发明的课题在于提供一种抑制红外线烧蚀层中的褶皱的产生，且在制成柔版印刷版时微单元的再现性变得良好的柔版印刷版原版及使用了该柔版印刷版原版的柔版印刷版的制造方法。本发明的柔版印刷版原版为依次具有支承体、感光层、中间层及红外线烧蚀层的柔版印刷版原版，中间层含有橡胶成分及树脂成分，树脂成分含有丙烯酸类树脂及甲基丙烯酸类树脂中的至少一个。
印刷原版制造方法

[发明专利]具有亚苄基氰基乙酸酯基的抗蚀剂下层膜形成用组合物-CN202280017061.1在审
发明人：窪寺俊;西田登喜雄;远藤勇树;岸冈高广 -专利权人：日产化学株式会社
申请日： 2022-03-02 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： G03F7/11 文献下载
摘要：提供对抗蚀剂溶剂、作为碱水溶液的抗蚀剂显影液显示良好的耐性，同时仅对湿蚀刻药液显示除去性、优选为溶解性的抗蚀剂下层膜。一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其含有：包含下述式(1)所示的部分结构的化合物(A)、和溶剂。(式中，R1、R2各自表示氢原子、碳原子数1～10的烷基或碳原子数6～40的芳基，X表示碳原子数1～10的烷基、羟基、碳原子数1～10的烷氧基、碳原子数1～10的烷氧基羰基、卤原子、氰基、硝基或它们的组合，Y表示直接键合、醚键、硫醚键或酯键，n表示0～4的整数，＊表示与化合物(A)残基的结合部分。)#imgabs0#
具有苄基乙酸抗蚀剂下层形成组合

[发明专利]柔性印刷原版、柔性印刷版和柔性印刷版的制造方法-CN202280014303.1在审
发明人：藤木优壮;丰冈壮太;宫本慎二;古川勉 -专利权人：旭化成株式会社
申请日： 2022-02-10 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： G03F7/11 文献下载
摘要：一种柔性印刷原版，其是至少依次层叠支承体、感光性树脂组合物层、墨容纳层和红外线烧蚀层而成的，前述墨容纳层的膜厚为5μm以上且50μm以下，前述墨容纳层包含含有丁二烯骨架且具有羧基和/或羟基的聚合物颗粒，和/或，前述墨容纳层包含使一元酸或多元酸单体聚合而成的聚合物颗粒，前述聚合物颗粒的含量相对于前述墨容纳层100质量％为20质量％以上且95质量％以下。
柔性印刷原版制造方法

[发明专利]含硅的金属硬掩膜形成用组成物及图案形成方法-CN202310292012.5在审
发明人：小林直贵;泷泽彼方;三井亮;矢野俊治 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2023-03-23 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： G03F7/11 文献下载
摘要：本发明涉及含硅的金属硬掩膜形成用组成物及图案形成方法。本发明课题为提供在多层抗蚀剂法中抑止超微细图案的崩塌的效果高，可形成LWR优良的抗蚀剂图案，且相对于已知的含硅的下层膜材料具有优良的干蚀刻耐性及湿式剥离性，同时兼顾相对于已知的金属硬掩膜材料具有优良的填埋特性的含硅的金属硬掩膜形成用组成物。该课题的解决手段为一种含硅的金属硬掩膜形成用组成物，其特征为含有：(A)金属氧化物纳米粒子，(B)不含含芳香环的有机基团的热交联性聚硅氧烷(Sx)，及(C)溶剂。
金属硬掩膜形成组成图案方法

[发明专利]具有多重键的膜形成用组合物-CN202280011863.1在审
发明人：广原知忠;田村护 -专利权人：日产化学株式会社
申请日： 2022-01-26 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： G03F7/11 文献下载
摘要：本发明提供能够形成所期望的抗蚀剂图案的抗蚀剂下层膜形成用组合物、及使用了该抗蚀剂下层膜形成用组合物的抗蚀剂图案制造方法、半导体装置的制造方法。该膜形成用组合物包含具有下述式(I)表示的单元结构的聚合物、和溶剂，式(I)中，A1、A2、A3、A4、A5及A6各自独立地表示氢原子、甲基或乙基，Q1表示2价的有机基团，R1表示4价的有机基团，R2表示碳原子数为2～10的烯基或炔基。#imgabs0#
具有多重形成组合

[发明专利]一种光刻胶图案化方法及光刻胶剥离方法-CN202010264995.8有效
发明人：王科 -专利权人：芯恩（青岛）集成电路有限公司
申请日： 2020-04-07 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： G03F7/11 文献下载
摘要：本发明提供一种光刻胶图案化方法及光刻胶剥离方法，在对光刻胶层进行曝光形成曝光区和非曝光区之后，对曝光区的顶部进行处理，形成预阻挡层，或者结合负显影技术去除非曝光区，形成第一图案结构，之后对第一图案结构进行等离子体处理，使得预阻挡层发生反应形成阻挡层，并且使得阻挡层下方的光刻胶层被刻蚀，形成上宽下窄的第二图案结构。阻挡层的有利于保持第二图案结构的顶部尺寸，以及光刻胶层的钻刻，利于形成上宽下窄的第二图案结构。在衬底上形成上宽下窄的图案结构后沉积金属层，去除光刻胶实现光刻胶剥离。该过程可以采用例如正显影技术去除曝光后的光刻胶。整个过程采用的试剂不会对图案金属层以及衬底造成损伤，提高了成品率。
一种光刻图案方法剥离

[发明专利]包含具有脂环式烃基的聚合物的抗蚀剂下层膜形成用组合物-CN202280010555.7在审
发明人：清水祥;田村护 -专利权人：日产化学株式会社
申请日： 2022-01-25 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： G03F7/11 文献下载
摘要：本发明提供用于形成能够形成所希望的抗蚀剂图案的抗蚀剂下层膜的组合物、和使用了该抗蚀剂下层膜形成用组合物的抗蚀剂图案制造方法、半导体装置的制造方法。一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含：聚合物，上述聚合物包含下述式(1)(在式(1)中，R1表示氢原子或碳原子数1～6的烷基，L1表示可以被取代基取代的脂肪族环、碳原子数6～40的芳基或杂环)所示的结构单元(A)、和侧链包含脂肪族环且与结构单元(A)不同的结构单元(B)；以及溶剂。#imgabs0#
包含具有脂环式烃基聚合物抗蚀剂下层形成组合

[发明专利]硬掩模用组合物-CN201980007915.6有效
发明人：崔相俊;梁敦植;李殷相;崔汉永;赵庸桓;金烔永 -专利权人：东友精细化工有限公司;崔相俊
申请日： 2019-02-20 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： G03F7/11 文献下载
摘要：本发明的硬掩模用组合物包含吲哚衍生物和芳香族单元。由硬掩模用组合物能够形成耐蚀刻性、涂布性和耐化学性同时提高了的硬掩模。
硬掩模用组合

[发明专利]层叠体的制造方法、电路配线的制造方法及转印膜-CN202180085898.5在审
发明人：石坂壮二;松田知树 -专利权人：富士胶片株式会社
申请日： 2021-12-17 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： G03F7/11 文献下载
摘要：本发明提供一种包含图案形状优异且图案密合性也优异的图案的层叠体的制造方法、电路配线的制造方法及转印膜。本发明的层叠体的制造方法具有：贴合工序，使依次具有临时支撑体、中间层及感光性组合物层的转印膜的感光性组合物层的与中间层侧相反的一侧的表面与基板接触，贴合转印膜和基板；剥离工序，在临时支撑体与中间层之间，剥离临时支撑体；曝光工序，对感光性组合物层进行图案曝光；及显影工序，使用显影液对曝光后的感光性组合物层进行显影而形成图案，在测定X中求出的弹性模量X为1.0～10.0GPa。
层叠制造方法电路转印膜

[发明专利]包含酸二酐的反应产物的抗蚀剂下层膜形成用组合物-CN202280011840.0在审
发明人：加藤祐希;广原知忠;田村护 -专利权人：日产化学株式会社
申请日： 2022-01-26 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： G03F7/11 文献下载
摘要：本发明提供能够形成所期望的抗蚀剂图案的抗蚀剂下层膜形成用组合物、及使用该抗蚀剂下层膜形成用组合物的抗蚀剂图案制造方法、半导体装置的制造方法。该抗蚀剂下层膜形成用组合物包含具有下述式(I)表示的单元结构的聚合物、和溶剂，式(I)中，A1、A2、A3、A4、A5及A6各自独立地表示氢原子、甲基或乙基，Q1表示2价的有机基团，R1表示包含碳原子数为6～40的芳香环结构的4价有机基团，L1及L2各自独立地表示氢原子、或可被羟基取代也可被氧原子中断的碳原子数为1～10的烷基。#imgabs0#
包含酸二酐反应产物抗蚀剂下层形成组合

[发明专利]形成包含光致抗蚀剂底层的结构的方法-CN202310199250.1在审
发明人： F·冉;J·S·尼古拉斯 -专利权人： ASM IP私人控股有限公司
申请日： 2023-02-28 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： G03F7/11 文献下载
摘要：公开了形成包括光致抗蚀剂底层的结构的方法，所述光致抗蚀剂底层包括主体层和粘附层。示例性方法包括使用等离子体增强循环沉积过程形成主体层和形成粘附层。粘附层可以在用于形成主体层的同一反应室内形成。
形成包含光致抗蚀剂底层结构方法

[发明专利]基板保护膜形成用组合物和图案形成方法-CN201911044993.1有效
发明人：小林知洋;及川健一;提箸正义;阿达铁平 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2019-10-30 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： G03F7/11 文献下载
摘要：本发明涉及基板保护膜形成用组合物和图案形成方法。包括下述组分的组合物适于形成基板与抗蚀剂膜之间的保护膜：(A)聚合物，其包含具有用酸不稳定基团保护的羧基的重复单元(a1)和具有环状酯、环状碳酸酯或环状磺酸酯结构的重复单元(a2)，(B)热致产酸剂，和(C)有机溶剂。即使使用含有金属的抗蚀剂膜，该保护膜对于防止该基板被金属污染也有效。
保护膜形成组合图案方法

[发明专利]图案形成方法、离子注入方法、层叠体、试剂盒及电子器件的制造方法-CN201880056528.7有效
发明人：畠山直也;米久田康智;东耕平;西田阳一;藤田光宏 -专利权人：富士胶片株式会社
申请日： 2018-08-15 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： G03F7/11 文献下载
摘要：通过本发明，可以提供一种图案形成方法及使用该图案形成方法的离子注入方法以及用于上述图案形成方法的层叠体、试剂盒、抗蚀剂下层膜形成用组合物、抗蚀剂组合物及电子器件的制造方法，该图案形成方法包括：(1)在被处理基板上形成抗蚀剂下层膜的工序；(2)利用含有(A)具有选自包括Si原子及Ti原子的组中的原子的树脂的抗蚀剂组合物，在抗蚀剂下层膜上形成抗蚀剂膜的工序；(3)曝光抗蚀剂膜的工序；(4)对经曝光的抗蚀剂膜进行显影而形成抗蚀剂图案的工序；及(5)将抗蚀剂图案作为掩模，对抗蚀剂下层膜进行加工来形成图案的工序，该图案形成方法中，抗蚀剂下层膜的膜厚为2.5μm以上，抗蚀剂膜的膜厚为1μm以下。
图案形成方法离子注入层叠试剂盒电子器件制造

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