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[发明专利]抗蚀剂的剥离液-CN201880078975.2在审
发明人：谷本树一;文藏隆志;新城沙耶加;都木新介 -专利权人：株式会社杰希优
申请日： 2018-09-12 - 公布日： 2020-07-24 - 主分类号： G03F7/42 文献下载
摘要：本发明为用于提供容易除去微细的布线间的抗蚀剂的技术的、以含有钾盐和溶纤剂为特征的抗蚀剂的剥离液、以及以使用上述抗蚀剂的剥离液处理施加有抗蚀剂的基材为特征的抗蚀剂的除去方法。
抗蚀剂剥离

[发明专利]半导体图案化光致抗蚀剂层的重作工艺-CN03143604.8有效
发明人：颜裕林;张庆裕 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2003-07-25 - 公布日： 2005-01-26 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：一种半导体图案化光致抗蚀剂层的重作工艺。首先，提供一衬底，衬底上依序形成有第一抗反射介质涂层、第一光致抗蚀剂助黏层及第一图案化光致抗蚀剂层。接着，去除第一抗反射介质涂层上的第一图案化光致抗蚀剂层及第一光致抗蚀剂助黏层，例如以湿式剥离法完成。然后，形成第二抗反射介质涂层于第一抗反射介质涂层上。然后，形成第二光致抗蚀剂助黏层于第二抗反射介质涂层上。接着，形成第二图案化光致抗蚀剂层于第二光致抗蚀剂助黏层上。
半导体图案化光致抗蚀剂层工艺

[发明专利]恢复光刻工艺中横磁波对比度的方法和系统-CN200610171821.7有效
发明人：黎家辉;D·法伊弗;A·E·罗森布卢特 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2006-11-02 - 公布日： 2007-06-06 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：一种在使用高数值孔径成像工具的光刻工艺中将具有感光区域的抗蚀剂层曝光到图像的方法和系统。其中利用了基板，其具有反射成像工具的射线的层，以及在反射层上具有感光区域的抗蚀剂层，其具有厚度。成像工具适于将包含虚像的射线投射到抗蚀剂层上，包含虚像的射线的一部分穿过抗蚀剂层，并反射回抗蚀剂层。反射的射线穿过抗蚀剂层的厚度在抗蚀剂层中形成投射的虚像的干涉图案。选择抗蚀剂层的感光区域相对于反射层的厚度和位置，以在干涉图案中在抗蚀剂厚度方向上包括干涉图案的较高对比度部分，并从抗蚀剂层的感光区域中在抗蚀剂厚度方向上排除干涉图案的较低对比度部分，以提高抗蚀剂层的感光区域中虚像的对比度
恢复光刻工艺中横磁波对比度方法系统

[发明专利]印刷用抗蚀剂及使用该抗蚀剂的构图方法-CN200710104732.5有效
发明人：金珍郁 -专利权人： LG.菲利浦LCD株式会社
申请日： 2007-04-25 - 公布日： 2007-10-31 - 主分类号： G03F7/004 文献下载
摘要：本发明公开了一种印刷用抗蚀剂及使用该抗蚀剂的构图方法，其中，所述抗蚀剂被涂覆在印刷辊上，然后被依次转印在印刷板和基板上，其中，所述抗蚀剂与所述印刷板之间的内聚能大于所述抗蚀剂与形成在所述印刷辊的表面上的覆盖层之间的内聚能，并且所述抗蚀剂与所述基板之间的内聚能大于所述抗蚀剂与形成在所述印刷辊的表面上的所述覆盖层之间的内聚能，使得将所述抗蚀剂精确地转印在所述印刷板和所述基板上，由此实现精确的抗蚀剂图形。
印刷用抗蚀剂使用抗蚀剂构图方法

[发明专利]图案形成方法-CN200410049548.1无效
发明人：远藤政孝;笹子胜 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2004-06-16 - 公布日： 2005-04-06 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：提供一种图案形成方法，在基板(101)上形成抗蚀剂膜(102)，对形成的抗蚀剂膜(102)选择性地照射曝光光线进行曝光。对进行了图案曝光的抗蚀剂膜(102)进行显影，形成第一抗蚀剂图案(102b)，接着在基板(101)上遍及含有第一抗蚀剂图案(102b)的全部表面上形成水溶性膜，该水溶性膜中含有与抗蚀剂构成材料交联的交联剂及促进该交联剂交联反应的作为交联促进剂的酸进而通过加热使水溶性膜(105)和在第一抗蚀剂图案(102b)的侧面上接触部分之间交联反应后，除去水溶性膜(105)中与第一抗蚀剂图案(102b)未反应的部分，以形成从第一抗蚀剂图案(102b)在其侧面上由水溶性膜(105)残存而成的第二抗蚀剂图案(107)。使得到的抗蚀剂图案形状良好。
图案形成方法

[发明专利]半导体元件搭载用基板及其制造方法-CN201380060226.4在审
发明人：细樅茂 -专利权人：友立材料股份有限公司
申请日： 2013-11-01 - 公布日： 2015-07-29 - 主分类号： H01L23/12 文献下载
摘要：半导体元件搭载用基板的制造方法，其特征在于，依次经由下述工序：a)，在金属板表面，通过主要的感光波长不同的抗蚀剂，形成由下抗蚀剂层和上抗蚀剂层构成的2层抗蚀剂层的工序；b)在下抗蚀剂层未曝光状态下，按照预定图案使上抗蚀剂层曝光的工序；c)显影工序，在上抗蚀剂层中形成预定图案的开口部，在未曝光状态的下抗蚀剂层中，按照该预定图案，形成开口部，部分性地露出金属板表面；d)使下抗蚀剂层曝光而硬化的工序；e)向从下抗蚀剂层露出了的金属板表面的预定镀敷层的形成工序；f)将下抗蚀剂层和上抗蚀剂层这2层抗蚀剂层全部剥离的工序；以及g)使在e)工序中形成了的镀敷层侧面粗化的工序。
半导体元件搭载用基板及其制造方法

[发明专利]应用多层光致抗蚀剂层结构的光刻工艺-CN02156379.9有效
发明人：林思闽;张尚文;刘家助;陈正中 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2002-12-18 - 公布日： 2004-02-04 - 主分类号： G03F7/16 文献下载
摘要：一种应用多层光致抗蚀剂层结构的光刻工艺，其首先在一衬底上形成一第一光致抗蚀剂层，并且在第一光致抗蚀剂层上形成一抗反射层，在抗反射层上形成一第二光致抗蚀剂层。接着，对第二光致抗蚀剂层进行一第一曝光工艺之后，进行一第一显影工艺，以构图第二光致抗蚀剂层以及抗反射层。之后，以第二光致抗蚀剂层与抗反射层为掩模，进行一第二曝光工艺以及一第二显影工艺，以构图第一光致抗蚀剂层。
应用多层光致抗蚀剂层结构光刻工艺

[发明专利]制造半导体器件的方法-CN202110334311.1在审
发明人：魏嘉林;翁明晖;刘之诚;郭怡辰;陈彥儒;郑雅如;李志鸿;张庆裕;李资良;杨棋铭 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-03-29 - 公布日： 2021-07-13 - 主分类号： G03F7/16 文献下载
摘要：本申请涉及制造半导体器件的方法，包括在基板上方形成包括含金属的光致抗蚀剂的多层光致抗蚀剂结构。多层光致抗蚀剂结构包括两个或更多个具有不同物理参数的含金属的光致抗蚀剂层。含金属的光致抗蚀剂是第一前体和第二前体的反应产物，并且使用不同的光致抗蚀剂层形成参数形成多层光致抗蚀剂结构的每一层。不同的光致抗蚀剂层形成参数是选自由以下组成的组中的一个或多个：第一前体、第一前体的量、第二前体、第二前体的量、每个光致抗蚀剂层形成操作的时间长度以及光致抗蚀剂层的加热条件。使多层光致抗蚀剂结构选择性地暴露于光化辐射以形成潜在图案，并且通过将显影剂施加到选择性暴露的多层光致抗蚀剂结构以形成图案来使潜在图案显影。
制造半导体器件方法

[发明专利]光致抗蚀剂组合物以及用多层光致抗蚀剂体系进行多重曝光的方法-CN200880116679.3有效
发明人：黄武松;陈光荣;P·R·瓦拉纳斯;李伟健 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2008-11-11 - 公布日： 2010-10-13 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明提供一种光致抗蚀剂组合物及在多重曝光/多层方法中使用所述光致抗蚀剂组合物的方法。所述光致抗蚀剂组合物包含：包含含有羟基结构部分的重复单元的聚合物，光酸产生剂；以及溶剂。一种方法包括在衬底上形成第一光致抗蚀剂层，在图案位置处曝光所述第一光致抗蚀剂层，在所述衬底以及图案化第一光致抗蚀剂层上形成第二非光致抗蚀剂层。另一种方法包括在衬底上形成第一光致抗蚀剂层，在图案位置处曝光所述第一光致抗蚀剂层，在所述衬底以及图案化第一光致抗蚀剂层上形成第二光致抗蚀剂层并且在图案位置处曝光所述第二光致抗蚀剂层。
光致抗蚀剂组合以及多层体系进行多重曝光方法

[发明专利]正型干膜抗蚀剂及蚀刻方法-CN201980082011.X在审
发明人：入泽宗利;中村优子;梶谷邦人 -专利权人：三菱制纸株式会社
申请日： 2019-12-13 - 公布日： 2021-07-23 - 主分类号： G03F7/004 文献下载
摘要：本发明的课题在于提供一种在将正型干膜抗蚀剂贴附于基材后，能够容易地将(a)支撑体膜和(b)剥离层从(c)正型感光性抗蚀剂层与(b)剥离层的界面剥离，另外，在将正型干膜抗蚀剂切割或分切时不易发生破裂的正型干膜抗蚀剂及使用了该正型干膜抗蚀剂的蚀刻方法，通过正型干膜抗蚀剂及使用了该正型干膜抗蚀剂的蚀刻方法，解决了上述课题，所述正型干膜抗蚀剂的特征在于，至少依次层叠有(a)支撑体膜、(b)剥离层和(c)正型感光性抗蚀剂层，(b)剥离层包含聚乙烯醇，并且(c)正型感光性抗蚀剂层包含酚醛树脂和醌二叠氮磺酸酯作为主成分。
正型干膜抗蚀剂蚀刻方法

[发明专利]配线板的制造方法及配线板、和成型品的制造方法及成型品-CN202080082011.2在审
发明人：小清水和敏 -专利权人：株式会社藤仓
申请日： 2020-11-18 - 公布日： 2022-07-15 - 主分类号： H05K3/20 文献下载
摘要：配线板的制造方法具备：第一配置工序，在基板(10)上配置第一抗蚀剂材料(200)；第一固化工序，使第一抗蚀剂材料(200)固化而形成第一抗蚀剂层(20)；第一形成工序，在脱模膜(80)上形成外涂层(70)；第二形成工序，在外涂层(70)上形成第一及第二导体部(41、61)；第二配置工序，以覆盖第一及第二导体部(41、61)的方式在外涂层(70)上配置第二抗蚀剂材料(300)；第二固化工序，使第二抗蚀剂材料(300)固化而形成第二抗蚀剂层(30)；贴合工序，使第一抗蚀剂层(20)与第二抗蚀剂层(30)贴合；热压接工序，在贴合工序后，对第一抗蚀剂层(20)与第二抗蚀剂层(30)进行热压接；剥离工序，剥离脱模膜
线板制造方法成型

[发明专利]一种干膜抗蚀剂层压体-CN201510050337.8有效
发明人：李志强;李伟杰;严晓慧;周光大;林建华 -专利权人：杭州福斯特应用材料股份有限公司
申请日： 2015-01-30 - 公布日： 2018-08-07 - 主分类号： G03F7/09 文献下载
摘要：本发明公开了一种干膜抗蚀剂层压体，包括支撑层、涂覆于撑层上方的第一抗蚀剂层以及涂覆于第一抗蚀剂层上方的第二抗蚀剂层；所述第一抗蚀剂层的酸值为80~400 mgKOH/g，第二抗蚀剂层的酸值比第一抗蚀剂层酸值高本发明采用不同酸值的双层结构的抗蚀剂，在抗蚀剂曝光显影后，形成良好的图形侧边形貌，未曝光的图形胶层能更好地除去。使其在印刷电路板、引线框架等的制造、半导体封装等的制造、金属的精密加工等领域中，作为刻蚀用或镀敷用的干膜抗蚀剂层压体材料，在图形曝光显影后，具有非常好的图形线条侧边形貌。
一种干膜抗蚀剂层压

[发明专利]用于在双重图案化光刻工艺中提供抗蚀剂对准标记的设备和方法-CN201010190488.0无效
发明人： M·A·多特柴沃;M·杜萨;R·J·F·范哈恩;H·西韦尔;R·W·范德赫杰登 -专利权人： ASML荷兰有限公司;ASML控股股份有限公司
申请日： 2010-05-26 - 公布日： 2010-12-01 - 主分类号： G03F7/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于在双重图案化光刻工艺中提供抗蚀剂对准标记的设备和方法。在所述方法中，包括至少一个对准标记的第一抗蚀剂层形成在衬底上。在对第一抗蚀剂层进行显影之后，第二抗蚀剂层沉积到第一抗蚀剂层上，从而产生平坦的顶表面(即没有拓扑)。通过适当地焙烤第二抗蚀剂层，对称的对准标记形成在第二抗蚀剂层中，且与第一抗蚀剂中的对准标记有小的偏置误差或没有偏置误差。可以通过适当地调整所述第一和第二抗蚀剂层的各自的厚度、涂覆工艺参数和焙烤工艺参数来改善第二抗蚀剂中形成的对准标记的对称性。
用于双重图案光刻工艺提供抗蚀剂对准标记设备方法

[发明专利]抗蚀剂剥离液控制装置-CN98108312.9无效
发明人：中川俊元;中川光元;小川修;西嶋佳孝;宝山隆博 -专利权人：株式会社平间理化研究所;长濑产业株式会社
申请日： 1998-05-12 - 公布日： 2003-05-14 - 主分类号： G03F7/42 文献下载
摘要：一种在半导体制造工艺或液晶基板制造工艺中对用于剥离抗蚀剂的抗蚀剂剥离液进行控制的装置，其目的是将抗蚀剂剥离液的质量控制恒定，而且削减溶液使用量，减少停机时间并降低成本。该控制装置具有一个用于通过吸光光度计16测定抗蚀剂剥离液中溶解的抗蚀剂浓度并补给抗蚀剂剥离原液、羟胺溶液、纯水以及预先调配好的抗蚀剂剥离新液中至少一种的抗蚀剂浓度测定·液体补给装置；以及一个用于通过吸光光度计15测定抗蚀剂剥离液中的羟胺浓度并补给抗蚀剂剥离原液、羟胺溶液和纯水中至少一种的羟胺浓度测定·液体补给装置。
抗蚀剂剥离控制装置

[发明专利]光致抗蚀剂脱除剂-CN200410002076.4有效
发明人：池本一人 -专利权人：三菱瓦斯化学株式会社
申请日： 2004-01-09 - 公布日： 2004-08-04 - 主分类号： G03F7/42 文献下载
摘要：本发明的光致抗蚀剂脱除剂包含由摩尔比为0.8或0.8以下的甲醛与烷醇胺进行反应而得到的反应产物。该光致抗蚀剂脱除剂能在低温下，在短时间内迅速除去涂敷在各种基体上的光致抗蚀剂层、经蚀刻后留下的光致抗蚀剂层以及经蚀刻磨光后的光致抗蚀剂残留物。该光致抗蚀剂脱除剂在除去光致抗蚀剂层和光致抗蚀剂残留物时不会对基体、导线材料、绝缘层等产生腐蚀作用，因而能实施精细加工和制成高精密电路。
光致抗蚀剂脱除