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[发明专利]包含碱活性组分的组合物及光刻工艺-CN201110462163.8有效
发明人： D·王;刘骢;李明琦;吴俊锡;C-B·徐;D·H·康;C·H·库明斯;M·S·奥伯 -专利权人：罗门哈斯电子材料有限公司;陶氏环球技术有限公司
申请日： 2011-11-15 - 公布日： 2012-07-04 - 主分类号： G03F7/00 文献下载
摘要：一种加工光致抗蚀剂组合物的方法，所述方法包含：a)在基材上施加光致抗蚀剂组合物，所述光致抗蚀剂组合物包含：(i)一种或多种树脂，(ii)光活性组分，和(iii)一种或多种不同于一种或多种树脂的材料，且包含(A)一种或多种碱活性基团和(B)一种或多种不同于所述碱活性基团的极性基团；和b)将施加的光致抗蚀剂层在辐射中浸没曝光以活化所述光致抗蚀剂组合物。本发明特别优选的光致抗蚀剂在浸没式光刻处理过程中，能够表现为减少了抗蚀剂材料浸出到与抗蚀剂层接触的浸液中。
包含活性组分组合光刻工艺

[发明专利]图案形成方法-CN201510549468.0有效
发明人：大理知哉;近藤丈博;金田直也;曾田荣一 -专利权人：东芝存储器株式会社
申请日： 2015-08-31 - 公布日： 2019-11-05 - 主分类号： G03F7/00 文献下载
摘要：根据一个实施例，首先，在处理对象膜上形成由第一辐射敏感性组合物制成的第一抗蚀剂膜。然后，对第一抗蚀剂膜执行曝光和显影以形成第一抗蚀剂图案。之后，执行不溶解处理以使第一抗蚀剂图案不溶于第二辐射敏感性组合物的溶剂。接着，在第一抗蚀剂图案上形成由第二辐射敏感性组合物制成的第二抗蚀剂膜。接着，对第二抗蚀剂膜执行曝光和显影以形成第二抗蚀剂图案。
图案形成方法

[发明专利]薄膜构图方法及制造平板显示器件的方法和设备-CN200410070552.6有效
发明人：金容凡;金珍郁 -专利权人： LG.菲利浦LCD株式会社
申请日： 2004-08-06 - 公布日： 2005-07-13 - 主分类号： G02F1/136 文献下载
摘要：根据本发明实施例的制造薄膜的方法和制造平板显示器件的方法和设备包括以下步骤：在基板上形成薄膜；在形成有所述薄膜的基板上涂布含有溶剂的抗蚀剂溶液；在具有所述抗蚀剂溶液的基板上对准软模；在所述溶剂的气化温度以下对所述抗蚀剂溶液进行第一热处理，同时对所述抗蚀剂溶液上的软模施压，从而在所述薄膜上形成抗蚀剂图案；将所述软模与所述抗蚀剂图案分离；通过第二热处理使所述抗蚀剂图案固化；以及利用所述抗蚀剂图案作为掩模对所述薄膜进行构图。
薄膜构图方法制造平板显示器件设备

[发明专利]多层印刷电路板及其制造方法-CN201910119235.5有效
发明人： S·伊克塔尼;D·克斯滕 -专利权人：桑米纳公司
申请日： 2014-03-17 - 公布日： 2022-10-28 - 主分类号： H05K1/11 文献下载
摘要：本公开涉及多层印刷电路板及其制造方法，该多层印刷电路板具有第一介电层以及选择性地定位在该第一介电层中的第一镀制抗蚀剂。第二镀制抗蚀剂可以被选择性地定位在第一介电层或第二介电层中，第二镀制抗蚀剂与第一镀制抗蚀剂分离。贯通孔延伸穿过第一介电层、第一镀制抗蚀剂以及第二镀制抗蚀剂。除了沿着第一镀制抗蚀剂与第二镀制抗蚀剂之间的长度，贯通孔的内表面被镀制有导电材料。这形成了具有与第二通孔段电隔离的第一通孔段的分割的镀制贯通孔。
多层印刷电路板及其制造方法

[发明专利]形成开口于下方层中的方法-CN201810957232.4有效
发明人：林子扬;吴承翰;张庆裕;林进祥 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-08-22 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：形成开口于下方层中的方法包括：形成光致抗蚀剂层于基板上的下方层上；曝光光致抗蚀剂层；以显影溶液显影曝光的光致抗蚀剂层，以形成光致抗蚀剂图案，且光致抗蚀剂图案覆盖欲形成开口的下方层的区域；形成液体层于光致抗蚀剂图案上；在形成液体层后，进行烘烤工艺以将液体层转变为固体型态的有机层；进行回蚀刻工艺以移除高于光致抗蚀剂图案的有机层的一部分；移除光致抗蚀剂图案，以经由有机层的其余部分露出下方层的部分；采用有机层的其余部分作为蚀刻掩模
形成开口下方中的方法

[发明专利]再流平方法、布图形成方法和液晶显示装置用TFT元件制造方法-CN200710091353.7无效
发明人：麻生丰 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2007-03-30 - 公布日： 2007-10-03 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：本发明涉及一种因为可在抗蚀剂再流平处理中，高精度控制已软化抗蚀剂的流动方向和流动面积，所以可用于布图形成、液晶显示装置用TFT元件的制造的技术。实施再流平处理的抗蚀剂(103)面临目标区域(S₁)侧的下端部(J)比下层膜(102)的端部更向目标区域(S₁)侧伸出，形成外伸形状。通过使抗蚀剂(103)的下端部(J)比下层膜(102)更突出，可避免产生抗蚀剂(103)的停滞，使软化的抗蚀剂迅速向目标区域(S₁)流动。且作为促进抗蚀剂(103)向目标区域(S₁)流动的反作用，抗蚀剂(103)向禁止区域(S₂)的流动受到抑制，未到达禁止区域(S₂)即停止变形
平方图形成方液晶显示装置 tft 元件制造方法

[发明专利]制造垂直磁记录写头的方法-CN200710101865.7无效
发明人：唐纳德·G·艾伦;阿曼达·贝尔;迈克尔·费尔德鲍姆;亨－钦·格思里;阿伦·彭特克 -专利权人：日立环球储存科技荷兰有限公司
申请日： 2007-04-25 - 公布日： 2007-10-31 - 主分类号： G11B5/31 文献下载
摘要：本发明提供一种用于制造垂直磁记录写头中的写极的方法，其使用金属掩模来构图主抗蚀剂并在后续构图步骤期间仅使用离子研磨。主抗蚀剂层沉积在磁写极材料之上并且金属掩模层沉积在主抗蚀剂层上。成像抗蚀剂层形成在金属掩模层上并基本以写极的所需形状光刻构图。然后在成像抗蚀剂图案之上进行没有反应气体的离子研磨从而构图下面的金属掩模层，该金属掩模层然后被用作掩模从而定义主抗蚀剂图案的形状。然后在金属掩模图案之上进行利用氧气的离子研磨从而构图下面的主抗蚀剂。然后在该主抗蚀剂图案之上进行没有反应气体的离子研磨从而形成下面的写极。
制造垂直记录方法

[发明专利]形成电镀图案的方法和制造薄膜磁头的方法-CN200510102517.2无效
发明人：三宅裕子 -专利权人：富士通株式会社
申请日： 2005-09-08 - 公布日： 2006-11-22 - 主分类号： G11B5/31 文献下载
摘要：该形成电镀图案的方法能够确保进行了亲水性处理的抗蚀剂图案变窄和微型化，而不使该抗蚀剂图案变宽和变形。该方法包括以下步骤：使用抗蚀剂覆盖电镀晶种层的表面；对该抗蚀剂进行曝光和显影，以形成具有凹入部分的抗蚀剂图案；对该抗蚀剂图案进行亲水性处理；通过电镀在该抗蚀剂图案的凹入部分中淀积金属；去除该抗蚀剂图案；
形成电镀图案方法制造薄膜磁头

[发明专利]多层印刷电路板及其制造方法-CN201480021470.4有效
发明人： S·伊克塔尼;D·克斯滕 -专利权人：桑米纳公司
申请日： 2014-03-17 - 公布日： 2019-03-15 - 主分类号： H05K3/46 文献下载
摘要：本公开涉及多层印刷电路板及其制造方法，该多层印刷电路板具有第一介电层以及选择性地定位在该第一介电层中的第一镀制抗蚀剂。第二镀制抗蚀剂可以被选择性地定位在第一介电层或第二介电层中，第二镀制抗蚀剂与第一镀制抗蚀剂分离。贯通孔延伸穿过第一介电层、第一镀制抗蚀剂以及第二镀制抗蚀剂。除了沿着第一镀制抗蚀剂与第二镀制抗蚀剂之间的长度，贯通孔的内表面被镀制有导电材料。这形成了具有与第二通孔段电隔离的第一通孔段的分割的镀制贯通孔。
使用镀制抗蚀剂结构进行同时选择性间隙分割

[发明专利]形成反色调图像的硬掩模方法-CN200980131798.0无效
发明人： D·J·阿卜杜拉;R·R·达莫尔;M·尼瑟 -专利权人： AZ电子材料美国公司
申请日： 2009-03-30 - 公布日： 2011-07-13 - 主分类号： G03F7/40 文献下载
摘要：本发明涉及在器件上形成反色调图像的方法，包括：a)在基底上形成吸收性底层；b)在所述底层上形成正性光致抗蚀剂的涂层；c)形成光致抗蚀剂图案；d)用硬化性化合物处理所述第一光致抗蚀剂图案，从而形成经硬化的光致抗蚀剂图案；e)在所述经硬化的光致抗蚀剂图案上由硅涂料组合物形成硅涂层；f)干蚀刻所述硅涂层以除去所述硅涂层直到所述硅涂层具有与所述光致抗蚀剂图案几乎相同的厚度；和g)干蚀刻以除去所述光致抗蚀剂和底层，从而在所述光致抗蚀剂图案的原始位置下方形成沟槽
形成色调图像硬掩模方法

[发明专利]光致抗蚀剂去除用超临界二氧化碳/化学制剂-CN200380102242.1无效
发明人：迈克尔·B·克赞斯基;埃利奥多·G·根丘;许从应;托马斯·H·包姆 -专利权人：高级技术材料公司
申请日： 2003-10-27 - 公布日： 2005-12-14 - 主分类号： B05D1/00 文献下载
摘要：从半导体基片上去除光致抗蚀剂和离子注入光致抗蚀剂所用的光致抗蚀剂清洗组合物。在去除非离子注入光致抗蚀剂时，该清洗组合物含有超临界CO₂(SCCO₂)和醇。当已对光致抗蚀剂进行离子注入时，该清洗组合物还含有氟离子源。该清洗组合物克服了SCCO₂作清洗剂的固有缺陷，即SCCO₂的非极性特性并因此不能溶解光致抗蚀剂中存在的而且必须从半导体基片上有效清洗掉的如无机盐和极性有机溶剂的物质该清洗组合物能够对带有光致抗蚀剂或离子注入光致抗蚀剂的基片进行无损伤、无残留的清洗。
光致抗蚀剂去除临界二氧化碳化学制剂

[发明专利]用于确定最佳抗蚀剂厚度的方法-CN200480029338.4无效
发明人： D·齐格尔 -专利权人：皇家飞利浦电子股份有限公司
申请日： 2004-08-07 - 公布日： 2006-11-15 - 主分类号： G03F7/16 文献下载
摘要：在一个示例实施例中，存在一种用于确定近似最佳抗蚀剂厚度的方法(600)，包括提供使用第一涂覆程序涂覆有抗蚀剂薄膜的第一衬底(605，610)，该抗蚀剂薄膜具有第一厚度。测量抗蚀剂的第一厚度(615，620)。提供第二衬底(625)并且使用第一涂覆程序给第二衬底涂覆抗蚀剂薄膜。第二衬底上的抗蚀剂薄膜曝光于辐射。测量接近抗蚀剂薄膜的光化波长的反射谱(630)。基于该有效折射率，确定涂覆在第二衬底上的抗蚀剂薄膜的摆动曲线的周期性(635)。最大值和最小值被确定为周期性的函数。
用于确定最佳抗蚀剂厚度方法

[发明专利]抗蚀剂成分、形成抗蚀剂图案的方法、基板及其制造方法-CN200710091177.7有效
发明人：金珍郁;南姸熙 -专利权人： LG.菲利浦LCD株式会社
申请日： 2007-04-12 - 公布日： 2007-10-31 - 主分类号： G03F7/004 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于压印光刻工艺的抗蚀剂成分、采用该抗蚀剂成分形成抗蚀剂图案的方法、采用其制造的阵列基板以及制造该阵列基板的方法。由于在该抗蚀剂成分中包括UV固化树脂、添加剂以及促使与UV固化树脂接触的暴露层的化学接合的附着力促进剂，该抗蚀剂成分可以形成高分辨率的图案并且提高了模具的耐用性。
抗蚀剂成分形成图案方法及其制造

[发明专利]含有磺酸盐的含硅EUV抗蚀剂下层膜形成用组合物-CN202110148440.1在审
发明人：柴山亘;志垣修平;坂本力丸 -专利权人：日产化学工业株式会社
申请日： 2013-07-29 - 公布日： 2021-06-11 - 主分类号： G03F7/004 文献下载
摘要：本发明的课题是提供抗蚀剂形状良好的EUV抗蚀剂下层膜形成用组合物。作为解决本发明课题的手段，涉及一种EUV光刻用抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含作为硅烷的水解性有机硅烷、其水解物或其水解缩合物，还包含含有烃基的磺酸根离子与抗蚀剂下层膜形成用组合物，水解性有机硅烷包含选自式(1)：R1aSi(R2抗蚀剂下层膜形成用组合物，进行烘烤，形成抗蚀剂下层膜的工序；在上述抗蚀剂下层膜上涂布EUV抗蚀剂用组合物，形成抗蚀剂膜的工序；将上述抗蚀剂膜进行EUV曝光的工序；在曝光后将抗蚀剂膜进行显影，获得抗蚀剂图案的工序。
含有 euv 抗蚀剂下层形成组合

[发明专利]用于利用包括不填满以保留间隙的印模和脉动印模在衬底上改进压印软材料的技术-CN201280057845.3无效
发明人： E.M.萨赫斯 -专利权人： 1366科技公司
申请日： 2012-09-22 - 公布日： 2014-07-30 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：一种用于将图案压印到衬底上的可流动抗蚀剂材料的方法包含提供如此薄的抗蚀剂层，使得在印模楔压处理中，抗蚀剂决不完全填满位于楔形突部之间的衬底与印模的底面之间的空间，从而在其间的各个地方留下间隙。在抗蚀剂与印模的扩展表面之间留有间隙。如果沉积的抗蚀剂层比目标量略厚，其将在抗蚀剂与工具之间简单地导致更小间隙。连续间隙的存在确保了没有压力积累在印模下。间隙防止抗蚀剂被整体抽出任何一个区域，并因而防止任何区域未被抗蚀剂覆盖。印模可在与衬底接触时脉动，使锯齿状突部重复变形。一种用于将图案压印到衬底上的可流动抗蚀剂材料的方法包含提供如此薄的抗蚀剂层，使得在印模楔压处理中，抗蚀剂决不完全填满位于楔形突部之间的衬底与印模的底面之间的空间，从而在其间的各个地方留下间隙。在抗蚀剂与印模的扩展表面之间留有间隙。
用于利用包括填满保留间隙印模脉动衬底改进压印软材技术