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- [发明专利]基板的处理方法、程序和计算机存储介质-CN201010530496.5有效
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丹羽崇文;京田秀治;本武幸一
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东京毅力科创株式会社
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2010-10-29
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2011-06-22
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H01L21/027
- 本发明提供基板的处理方法、程序和计算机存储介质，在将双重图案化中第二次的抗蚀剂液的供给量控制为少量，并在基板上形成规定的抗蚀剂图案。在形成有被处理膜(F)的晶片(W)上涂敷抗蚀剂液形成第一抗蚀剂膜(R1)(图7(b))。之后，有选择地将第一抗蚀剂膜(R1)曝光、显影从而形成第一抗蚀剂图案(P1)(图7(c))。之后，在第一抗蚀剂图案(P1)的表面(P1a)涂敷醚类表面改性剂，将该表面(P1a)改性(图7(d))。之后，在形成有第一抗蚀剂(P1)的晶片(W)上涂敷抗蚀剂液形成第二抗蚀剂膜(R2)(图7(e))。之后，有选择地将第二抗蚀剂膜(R2)曝光、显影从而在与第一抗蚀剂图案(P1)相同的层形成第二抗蚀剂图案(P2)(图7(f))。
- 处理方法程序计算机存储介质
- [发明专利]抗蚀剂稀释系统-CN200610128932.X无效
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森尾公隆;长谷川透;室伏荣治
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东京应化工业株式会社
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2006-09-04
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2007-05-23
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G03F7/16
- 本发明提供一种抗蚀剂稀释系统，该抗蚀剂稀释系统具有使高粘度抗蚀剂等易干燥而难以处理的液体进行流通的管道。该抗蚀剂稀释系统(1)具有管道(3)以及调制槽(2)，该管道(3)具有高粘度抗蚀剂用管道(3a)、稀释溶剂用管道(3b)以及1个流出部(3e)；该调制槽(2)将高粘度抗蚀剂和稀释溶剂混合，该高粘度抗蚀剂从高粘度抗蚀剂用管道(3a)流入、从流出部(3e)流出，该稀释溶剂从稀释溶剂用管道(3b)流入、从流出部(3e)流出；利用该抗蚀剂系统(1)，在使用时，稀释溶剂能够对通常残留在管道表面的高粘度抗蚀剂进行冲洗。
- 抗蚀剂稀释系统
- [发明专利]掩模坯件的制造方法-CN200580032601.X有效
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大久保靖
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HOYA株式会社
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2005-11-04
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2007-08-29
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G03F1/14
- 于掩模坯件用基片上形成将成为掩模图案的薄膜的薄膜形成工序和于上述薄膜上形成抗蚀剂膜的抗蚀剂膜形成工序的掩模坯件制造方法，此方法包括：保存包含有将上述抗蚀剂膜形成于上述薄膜上的日期信息的抗蚀剂膜形成信息的工序；将上述抗蚀剂膜形成信息与上述掩模坯件相对应的工序；基于上述抗蚀剂膜形成信息，确定形成于上述掩模坯件上的抗蚀剂膜的灵敏度变化超过允许范围的掩模坯件的工序；将上述确定的掩模坯件上所形成的抗蚀剂膜剥离的工序；在剥离了上述抗蚀剂膜的上述薄膜上再次形成抗蚀剂膜的工序。
- 掩模坯件制造方法
- [发明专利]集成电路图案化的方法-CN202110178492.3在审
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黄净惠;邱雅文;谭伦光
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台湾积体电路制造股份有限公司
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2021-02-09
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2021-10-01
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H01L21/308
- 本发明的实施例公开了一种集成电路图案化的方法包括：形成抗蚀剂图案，该抗蚀剂图案具有沿着第一方向纵向定向并且由抗蚀剂壁沿着第一方向和垂直于第一方向的第二方向两者分离的沟槽。该方法还包括：将抗蚀剂图案装载到离子注入机中，从而使抗蚀剂图案的顶面面向离子传播方向；以及将抗蚀剂图案倾斜，从而使离子传播方向相对于垂直于抗蚀剂图案的顶面的轴线形成倾斜角。该方法还包括：将抗蚀剂图案围绕轴线旋转到第一位置；在抗蚀剂图案处于第一位置的情况下将离子注入到抗蚀剂壁中；将抗蚀剂图案围绕轴线旋转180度到第二位置；以及在抗蚀剂图案处于第二位置的情况下将离子注入到抗蚀剂壁中
- 集成电路图案方法
- [发明专利]接触孔的形成方法和半导体器件的制造方法-CN200410083750.6无效
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小林祐二
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株式会社东芝
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2004-10-14
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2005-04-20
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H01L21/30
- 用以规定的间隔2维状地配置有掩模图形的第1光掩模使在半导体基板上边形成的抗蚀剂膜曝光，对上述抗蚀剂膜进行显影处理，在上述抗蚀剂膜上形成与上述掩模图形对应的接触孔图形，缩小在上述抗蚀剂膜上形成的上述接触孔图形的开口尺寸，采用使用已形成了规定的图形的第2光掩模使上述抗蚀剂膜曝光的办法，使作为与上述规定的图形对应的上述抗蚀剂膜的部分的第1抗蚀剂膜的熔化开始温度设定得比上述第1抗蚀剂膜以外的第2抗蚀剂膜的熔化开始温度相对地高，采用在上述第2抗蚀剂膜的熔化开始温度或其以上而且在不到上述第1抗蚀剂膜的熔化开始温度的温度对上述半导体基板进行加热处理的办法，使上述第2抗蚀剂膜熔化，消灭在上述第2抗蚀剂膜上形成的上述接触孔图形。
- 接触形成方法半导体器件制造
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