“抗蚀剂”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网_专利查询网

首页在售求购查询申请展会资讯专利榜企服商城升级VIP

立即登录免费注册

在售专利
求购专利
查询专利
新闻资讯
技术展会
招商加盟
专利榜

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

专利名称

专利名称
专利号码
专利分类
申请人
公布日期

农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

专利下载VIP

公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

钻瓜专利网为您找到相关结果2240204个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]抗蚀剂除去装置和抗蚀剂除去方法-CN201180013426.5无效
发明人：土桥和也;布瀬晓志 -专利权人：东京毅力科创株式会社;岩谷产业株式会社
申请日： 2011-03-16 - 公布日： 2013-01-30 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：提供一种抗蚀剂除去装置，其不氧化抗蚀剂以外的基板材料，与使用溶剂的现有的抗蚀剂除去方法相比能够更有效地除去抗蚀剂。从形成有抗蚀剂的晶片（W）除去抗蚀剂的抗蚀剂除去装置中，具有对晶片（W）喷射多个有机类溶剂分子集合而成的簇的簇喷射单元（3）。
抗蚀剂除去装置方法

[发明专利]用于形成图案的方法-CN201911272646.4在审
发明人：金根俊 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2019-12-12 - 公布日： 2020-12-11 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：公开了一种用于形成图案的方法，该方法能够通过以下步骤来改善线宽粗糙度(LWR)：在刻蚀目标层上形成第一抗蚀剂材料；在第一抗蚀剂材料上形成包括遮光部分和透光部分的第二抗蚀剂材料；使用第二抗蚀剂材料的遮光部分作为曝光掩模来曝光第一抗蚀剂材料；去除第二抗蚀剂材料；通过使曝光的第一抗蚀剂材料显影来形成第一抗蚀剂图案；以及使用第一抗蚀剂图案作为刻蚀阻挡层来刻蚀刻蚀目标层。
用于形成图案方法

[发明专利]半导体器件制造方法-CN97123495.7有效
发明人：石桥健夫;南出安由美;丰岛利之;片山圭一 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 1997-12-31 - 公布日： 2004-04-07 - 主分类号： H01L21/30 文献下载
摘要：在半导体器件层上形成能产生酸的第一抗蚀剂图形。在第一抗蚀剂图形上形成在有酸存在的情况下能发生交联反应的第二抗蚀剂层。然后，通过来自所述第一抗蚀剂的酸的作用在所述第二抗蚀剂层与所述第一抗蚀剂的交界部分形成交联膜。然后去掉所述第二抗蚀剂的未交联部分，形成微细间隔的抗蚀剂图形。利用所述的微细间隔抗蚀剂图形作为掩模刻蚀该半导体器件层，形成微间距或微孔。
半导体器件制造方法

[发明专利]感光干膜抗蚀剂层压体和线路板-CN202210757464.1有效
发明人：朱薛妍;李伟杰;韩传龙;傅明;陈涛 -专利权人：杭州福斯特应用材料股份有限公司
申请日： 2022-06-30 - 公布日： 2022-09-23 - 主分类号： G03F7/09 文献下载
摘要：本发明公开了一种感光干膜抗蚀剂层压体，其包括：支撑层，包括第一面和第二面；抗蚀剂层，设于支撑层的第一面，抗蚀剂层包括抗蚀剂；第一面与抗蚀剂层之间具有第一剥离强度，第二面与抗蚀剂层之间具有第二剥离强度，第一剥离强度大于第二剥离强度；支撑层满足，第二面与抗蚀剂层剥离后，第二面上抗蚀剂的残留量小于等于0.01wt%。本发明采用不包含保护层的感光干膜抗蚀剂层压体，解决了保护层缺陷引起的抗蚀剂层质量问题，并且可以降低成本，缩减覆盖保护层工艺；本发明对支撑层远离抗蚀剂层的一面进行改性，使感光干膜抗蚀剂层压体进行收卷时抗蚀剂层不会发生粘连损坏，轻易地将抗蚀剂层从卷中释放开进行贴膜。
感光干膜抗蚀剂层压线路板

[发明专利]移动气泡的方法-CN200610108231.X无效
发明人：侯雅菁;曾焕廷;林思闽;卢柏州;黄永发;尤春祺 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2006-08-01 - 公布日： 2008-02-06 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：一种移动气泡的方法，利用激光镊夹于光致抗蚀剂层中产生光致抗蚀剂层亮区和光致抗蚀剂层暗区，使得光致抗蚀剂层中的气泡，从光致抗蚀剂层亮区移往光致抗蚀剂层暗区。
移动气泡方法

[发明专利]抗蚀剂图案的形成方法以及设备-CN201080012795.8无效
发明人：上原刚;青山哲平 -专利权人：积水化学工业株式会社
申请日： 2010-03-25 - 公布日： 2012-02-22 - 主分类号： G03F7/00 文献下载
摘要：本发明提供一种抗蚀剂图案的形成方法及设备。当在光致抗蚀剂等设备上形成抗蚀剂图案时，会提高抗蚀剂表面的湿润性，提高显影的均匀性。在基板(91)上涂敷感光性的抗蚀剂而形成抗蚀剂层(93)(抗蚀剂涂敷工序)。接着，对抗蚀剂层(93)局部地照射光(曝光工序)。然后，使亲液化用处理气体通过压力接近大气压的放电空间(23)而喷出，并与抗蚀剂层(93)接触(大气压远程等离子亲液化工序)。接着，使抗蚀剂层(93)接触显影液(5)(显影工序)。
抗蚀剂图案形成方法以及设备

[发明专利]用于评估抗蚀剂显影的方法-CN201880030731.7有效
发明人：刘鹏 -专利权人： ASML荷兰有限公司
申请日： 2018-04-20 - 公布日： 2022-06-28 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：一种方法，包括：获得用于抗蚀剂显影模型的条件集合，所述抗蚀剂显影模型用于模拟抗蚀剂层的抗蚀剂显影过程；和通过硬件计算机系统使用所述条件集合和所述抗蚀剂显影模型来执行所述抗蚀剂显影过程的计算机模拟以获得所述抗蚀剂层的所述显影的特性，其中所述计算机模拟分离地模拟所述抗蚀剂显影过程的不同的特性和某些不同的物理和化学过程。
用于评估抗蚀剂显影方法

[发明专利]形成图案的方法-CN200710001495.X无效
发明人：林思闽 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2007-01-10 - 公布日： 2008-07-16 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：提供一基板，基板包括一待蚀刻层；形成一第一抗蚀剂层于基板上；将第一抗蚀剂层的顶部图案化；形成一第二抗蚀剂层于图案化的第一抗蚀剂层上；移除一部分的第二抗蚀剂层；及蚀刻第二抗蚀剂层、第一抗蚀剂层、及待蚀刻层使用本发明的方法，可形成微细图案，但是所使用的抗蚀剂层厚度不会太薄，因此，不会产生抗蚀剂层与基板的黏着问题，而且抗蚀剂层不会有不耐蚀刻而不能保护下层结构的问题。
形成图案方法

[发明专利]抗蚀剂图案形成法及装置、图案基板制法和显示装置制法-CN200510065732.X无效
发明人：村上雄亮 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2005-04-06 - 公布日： 2005-10-12 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：本发明旨在提供可用简易的结构形成高精度的抗蚀剂图案的抗蚀剂图案形成装置。该抗蚀剂图案形成装置中设有：接受基板的接受部(51)、输送基板的输送部件(60)、对输送部件输送的基板形成抗蚀剂膜的抗蚀剂膜形成部件(54)、隔着掩模图案对抗蚀剂膜照射光的曝光部件(56)、曝光后将抗蚀剂膜显影的显影部件(58)、探测显影后的抗蚀剂膜的图案的缺陷的缺陷探测部件(61)以及根据缺陷探测部件的探测结果修复抗蚀剂图案的缺陷部的修复部件(62)。
抗蚀剂图案形成装置制法显示装置

[发明专利]剥离抗蚀剂的方法-CN02821688.1有效
发明人：清水英贵;松永裕嗣;大户秀;池本一人 -专利权人：三菱瓦斯化学株式会社
申请日： 2002-10-31 - 公布日： 2005-02-09 - 主分类号： G03F7/42 文献下载
摘要：在本发明的抗蚀剂剥离方法中，在氧气比例为2％体积或更低的氛围中，使具有残留抗蚀剂层的布线基质与抗蚀剂剥离组合物接触。优选在用过氧化氢预处理残留的抗蚀剂层之后除去抗蚀剂。在本发明的抗蚀剂剥离方法中优选使用含胺化合物、溶剂、强碱和水的抗蚀剂剥离组合物。
剥离抗蚀剂方法

[发明专利]微影方法-CN201910462253.3有效
发明人：翁明晖;刘朕與;吴承翰;张庆裕;林进祥 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-05-30 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： G03F7/32 文献下载
摘要：本揭露是关于一种微影方法，其包括在基板上方形成抗蚀剂层。抗蚀剂层曝露于辐射。使用移除所曝露的抗蚀剂层的曝露部分的显影剂显影所曝露的抗蚀剂层，进而形成图案化的抗蚀剂层。使用碱性水冲洗溶液冲洗图案化的抗蚀剂层。
方法

[发明专利]抗蚀剂图案,形成抗蚀剂图案的工艺以及形成布线图案的工艺-CN99124871.6无效
发明人：丰田祐二;越户义弘;长谷川正幸 -专利权人：株式会社村田制作所
申请日： 1999-11-18 - 公布日： 2000-05-31 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：本发明提供了一种形成布线图案的工艺,包含步骤通过光掩膜使抗蚀剂曝光,所述光掩膜具有线宽等于或小于分辨极限的图案;并使曝光后的抗蚀剂显像,以形成抗蚀剂图案,它的表面上具有槽凹陷,凹陷未达到抗蚀剂图案的背面抗蚀剂可以是正抗蚀剂,其中抗蚀剂图案形成在底板馈送薄膜上;电镀金属沉淀在馈送薄膜未由抗蚀剂图案覆盖的区域中;在沉淀后将抗蚀剂去掉;在未由电镀金属覆盖的区域中将馈送薄膜选择性地去掉。
抗蚀剂图案形成工艺以及布线

[发明专利]减少两步沉积工艺中的结电阻变化-CN201780096732.7在审
发明人： B.J.伯克特 -专利权人：谷歌有限责任公司
申请日： 2017-09-18 - 公布日： 2020-06-26 - 主分类号： H01L39/24 文献下载
摘要：在一个方面，一种方法包括：提供电介质基板(208)；在电介质基板上形成第一抗蚀剂层(210)；在第一抗蚀剂层上形成第二抗蚀剂层(212)；以及在第二抗蚀剂层上形成第三抗蚀剂层(214)。第一抗蚀剂层包括延伸穿过第一抗蚀剂层的厚度的第一开口(216)，第二抗蚀剂层包括在第一开口之上对准并延伸穿过第二抗蚀剂层的厚度的第二开口(218)，第三抗蚀剂层包括在第二开口之上对准并延伸穿过第三抗蚀剂层的厚度的第三开口
减少沉积工艺中的电阻变化

[发明专利]半导体装置的制造方法-CN201980092932.4在审
发明人：上野贵宽;南政史;中谷光德 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2019-04-26 - 公布日： 2021-11-19 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：在半导体基板(1)之上涂覆下层抗蚀剂(2)。在下层抗蚀剂(2)之上涂覆上层抗蚀剂(3)。通过曝光和显影而在上层抗蚀剂(3)形成第1开口(4)，在显影时，通过显影液还溶解下层抗蚀剂(2)，而在第1开口(4)的下方形成宽度比第1开口(4)宽的第2开口(5)，从而形成具有底切的帽檐状的抗蚀剂图案通过实施烘焙使上层抗蚀剂(3)热收缩，从而使上层抗蚀剂(3)的帽檐部(7)向上侧翘曲。在烘焙后，将金属膜(8)成膜于抗蚀剂图案(6)之上、和通过第2开口(5)暴露的半导体基板(1)之上。除去抗蚀剂图案(6)和抗蚀剂图案(6)之上的金属膜(8)，残留半导体基板(1)之上的金属膜(8)来作为电极(9)。
半导体装置制造方法

[发明专利]树脂成型品的制造方法、金属结构体的制造方法及树脂成型品-CN200410008558.0有效
发明人：西泰治;木谷刚典;柳川幸弘;福田始弘;永山励 -专利权人：可乐丽股份有限公司
申请日： 2004-03-24 - 公布日： 2004-09-29 - 主分类号： B29C33/38 文献下载
摘要：本发明的树脂成型品的制造方法，包括在基片上形成第1抗蚀剂层、基片与掩膜(A)的位置对准、使用掩膜(A)的第1抗蚀剂层曝光、第1抗蚀剂层热处理、在第1抗蚀剂层上形成第2抗蚀剂层、基片与掩膜(B)的位置对准、使用掩膜(B)的第2抗蚀剂层曝光、第2抗蚀剂层热处理、进行抗蚀剂层的显影形成所期望的抗蚀剂图形的抗蚀剂图形形成工序。此外，通过按照抗蚀剂图形，采用(电)镀在基片上堆积金属结构体的金属结构体形成工序和以金属结构体作为模。形成树脂成型品的成型品形成工序、制造树脂成型品。
树脂成型制造方法金属结构

友情链接：交换友情链接需要网站权重大于4，网站收录10W以上，如符合条件，请联系QQ：76009968。

关于我们寻求报道投稿须知广告合作版权声明网站地图友情链接企业标识联系我们

在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

版权所有钻瓜科技（天津）有限公司津ICP备15000985号津公网安备 12019202000206号http://www.vipzhuanli.com/公布日期

咨询在线客服

咨询在线客服

tel code back_top