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[发明专利]精细图案形成方法和抗蚀剂表层处理剂-CN03132814.8无效
发明人：石桥健夫 -专利权人：株式会社瑞萨科技
申请日： 2003-07-21 - 公布日： 2004-05-12 - 主分类号： G03F7/00 文献下载
摘要：本发明提供稳定形成长宽比高的抗蚀剂图案的抗蚀剂图案形成方法和用于形成该抗蚀剂图案的材料。在硅片W上形成抗蚀剂膜1。接着，通过曝光掩模M进行曝光后，进行曝光后烘烤。在曝光后烘烤后的硅片W上，形成抗蚀剂表层处理剂膜2，进行混合烘烤。由混合烘烤形成抗蚀剂强化部R。然后，除去未反应部2a，干燥硅片W。对该硅片W进行等离子体干显像，形成所希望的抗蚀剂图案。
精细图案形成方法抗蚀剂表层处理

[发明专利]光刻图案化的方法-CN201711183989.4有效
发明人：张莉琳;张庆裕;林进祥 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-11-23 - 公布日： 2022-09-30 - 主分类号： G03F7/00 文献下载
摘要：方法包括涂布光致抗蚀剂层于基板上，其中光致抗蚀剂层包括第一聚合物、第一光产酸剂、以及化学添加剂混合于溶剂中；对光致抗蚀剂层进行曝光工艺；以及对光致抗蚀剂层进行显影工艺，以形成图案化光致抗蚀剂层。化学添加剂在光致抗蚀剂层中的分布不一致。
光刻图案方法

[发明专利]具有垂直互连件的可堆叠全模制半导体结构-CN202080044793.0在审
发明人： T·L·奥尔森;E·赫德森;C·必绍普 -专利权人：德卡科技美国公司
申请日： 2020-06-18 - 公布日： 2022-03-18 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：一种制造半导体器件的方法可以包括：提供载体并且在载体上形成具有通过第一光致抗蚀剂的第一开口的第一光致抗蚀剂。可以在第一光致抗蚀剂上形成不平坦的导电晶种层，并且所述导电晶种层通过第一光致抗蚀剂共形地延伸至第一开口中。可以在第一光致抗蚀剂上和不平坦的导电晶种层上形成第二光致抗蚀剂。可以对第二光致抗蚀剂层进行图案化，以形成通过第二光致抗蚀剂延伸至不平坦的导电晶种层的第二开口。可以在不平坦的导电晶种层上和第二开口内镀覆导电柱。可以去除第二光致抗蚀剂而将第一光致抗蚀剂留在原处。可以利用模制化合物密封半导体晶粒、导电柱和第一光致抗蚀剂。
具有垂直互连堆叠全模制半导体结构

[发明专利]形成包括屏蔽区的形状阵列的图形的方法-CN201010166680.6有效
发明人： C-C·陈;黄武松;李伟健;C·萨尔玛 -专利权人：国际商业机器公司;英芬能技术公司
申请日： 2010-04-27 - 公布日： 2010-11-03 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：在衬底上形成具有第二光敏性的第二光致抗蚀剂。在第二光致抗蚀剂上形成具有大于第二光敏性的第一光敏性的第一光致抗蚀剂。优选地，第一光致抗蚀剂为在曝光后变为透明的灰抗蚀剂。采用具有第一图形的第一母掩模光刻曝光第一抗蚀剂的至少一部分以形成至少一个透明的光刻曝光的抗蚀剂部分，而第二光致抗蚀剂保持完整。采用包括第二图形的第二母掩模光刻曝光第二抗蚀剂以在第二光致抗蚀剂中形成多个光刻曝光的形状。通过将第二图形限制在仅仅所述至少一个透明的光刻曝光的抗蚀剂图形的区域内，所述多个光刻曝光的形状具有源自第二图形的合成图形。
形成包括屏蔽形状阵列图形方法

[发明专利]半导体装置的制造方法和抗蚀剂涂敷、显影处理系统-CN200910119113.2有效
发明人：岩尾文子;志村悟;川崎哲 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2009-03-02 - 公布日： 2009-09-02 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：本发明提供一种不产生图案走样而使抗蚀剂图案细化的半导体装置的制造方法和抗蚀剂涂敷、显影处理系统，半导体装置的制造方法包括：在底层上(1)形成抗蚀剂层(3)的工序；在抗蚀剂层(3)上得到由可溶层(3a)和不溶层(3b)的图案构成的曝光图案的工序；从形成有曝光图案的抗蚀剂层(3)上除去可溶层(3a)而形成抗蚀剂图案(3c)的工序；从抗蚀剂图案(3c)上除去中间曝光区域(3d)的工序；将产生可溶化抗蚀剂图案(3c)的可溶化物质的反应物质导入到除去了中间曝光区域(3d)的抗蚀剂图案(3c)上，在除去了中间曝光区域(3d)的抗蚀剂图案(3c)表面上形成新的可溶层(3e)的工序；从抗蚀剂图案(3c)上除去新的可溶层(
半导体装置制造方法抗蚀剂涂敷显影处理系统

[发明专利]用于形成抗蚀剂图案的方法和用于制造半导体器件的方法-CN201010158561.6无效
发明人：冈治成治 -专利权人：恩益禧电子股份有限公司
申请日： 2010-04-07 - 公布日： 2010-10-13 - 主分类号： G03F7/00 文献下载
摘要：本发明提供一种用于形成抗蚀剂图案的方法和用于制造半导体器件的方法。为了抑制在预烘焙工艺中由温度不均匀性引起的抗蚀剂图案尺寸的变化，执行在基础衬底上涂覆正型或负型的抗蚀剂、预烘焙、曝光、曝光后烘焙以及通过对抗蚀剂进行显影来形成具有预定形状的抗蚀剂。在抗蚀剂是正型的情况下，以等于或高于抗蚀剂中包括的基础树脂的保护基的分离开始温度的温度执行预烘焙。在抗蚀剂是负型的情况下，以等于或高于抗蚀剂中包括的基础树脂中的交联剂的交联开始温度的温度执行预烘焙。
用于形成抗蚀剂图案方法制造半导体器件

[发明专利]使蚀刻底切最小化及提供清洁金属剥离的方法-CN201310105928.1有效
发明人：周显辉;陈艳 -专利权人： WJ通信公司
申请日： 2008-10-30 - 公布日： 2013-08-21 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：在一个实施例中，首先通过标准光刻技术和在第一显影剂中的抗蚀剂显影将对选定范围的能量敏感的顶部层抗蚀剂图形化，以暴露出部分的底部抗蚀剂层，其对不同的选定范围的能量敏感。然后，通过各向异性蚀刻，利用顶部抗蚀剂层作为蚀刻掩模，去除底部抗蚀剂层的暴露部分，以暴露出部分的下面衬底。使得顶部光致抗蚀剂开口周围的底部抗蚀剂中的底切最小化。然后，将获得的图形化的双层抗蚀剂叠层用作蚀刻掩模，以用于随后的下面衬底材料暴露部分的蚀刻。由于在底部抗蚀剂层中不存在底切，因此使得衬底材料相对于顶部光致抗蚀剂开口边缘的蚀刻底切最小化。
蚀刻最小化提供清洁金属剥离方法

[发明专利]用于含金属的抗蚀剂层的原位沉积和致密化处理-CN202110659598.5在审
发明人：郭怡辰;刘之诚;陈彦儒;李志鸿;杨棋铭;李资良 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-06-15 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： H01L21/033 文献下载
摘要：本申请涉及用于含金属的抗蚀剂层的原位沉积和致密化处理。本文公开了可以改进光刻分辨率的含金属的抗蚀剂层(例如，金属氧化物抗蚀剂层)、用于形成含金属的抗蚀剂层的方法以及使用含金属的抗蚀剂层的光刻方法。示例性方法包括：通过执行沉积工艺在工件之上形成金属氧化物抗蚀剂层，以在工件之上形成金属氧化物抗蚀剂层的金属氧化物抗蚀剂子层；以及对至少一个金属氧化物抗蚀剂子层执行致密化工艺。每个沉积工艺形成金属氧化物抗蚀剂子层中的相应一个。致密化工艺使至少一个金属氧化物抗蚀剂子层的密度增加。可以调整沉积工艺的参数和/或致密化工艺的参数，以实现不同的密度分布、不同的密度特性、和/或不同的吸收特性，从而优化对金属氧化物抗蚀剂层的图案化。
用于金属抗蚀剂层原位沉积致密处理

[发明专利]干膜抗蚀剂、电路布线的制造方法、电路布线、输入装置及显示装置-CN202111230313.2在审
发明人：片山晃男;长田崇一郎 -专利权人：富士胶片株式会社
申请日： 2016-10-21 - 公布日： 2022-01-18 - 主分类号： G03F7/039 文献下载
摘要：本发明涉及一种干膜抗蚀剂、电路布线的制造方法、电路布线、输入装置、显示装置。提供能够制造图案直线性高的电路布线的干膜抗蚀剂。一种干膜抗蚀剂、电路布线的制造方法、电路布线、输入装置、显示装置，所述干膜抗蚀剂为在临时支承体上具有抗蚀剂层的正型干膜抗蚀剂，临时支承体的总光线雾度为0.3％以下。
干膜抗蚀剂电路布线制造方法输入装置显示装置

[发明专利]干膜抗蚀剂、电路布线的制造方法、电路布线、输入装置及显示装置-CN201610919906.2有效
发明人：片山晃男;长田崇一郎 -专利权人：富士胶片株式会社
申请日： 2016-10-21 - 公布日： 2021-11-16 - 主分类号： G03F7/039 文献下载
摘要：本发明涉及一种干膜抗蚀剂、电路布线的制造方法、电路布线、输入装置、显示装置。提供能够制造图案直线性高的电路布线的干膜抗蚀剂。一种干膜抗蚀剂、电路布线的制造方法、电路布线、输入装置、显示装置，所述干膜抗蚀剂为在临时支承体上具有抗蚀剂层的正型干膜抗蚀剂，临时支承体的总光线雾度为0.3％以下。
干膜抗蚀剂电路布线制造方法输入装置显示装置

[发明专利]用于形成图案的抗蚀剂及使用其形成图案的方法-CN200510075066.8有效
发明人：金珍郁 -专利权人： LG.菲利浦LCD株式会社
申请日： 2005-06-08 - 公布日： 2005-12-21 - 主分类号： G03F7/004 文献下载
摘要：一种用于形成图案的方法包括在基板上形成蚀刻对象层；在蚀刻对象层上施加抗蚀剂，其中抗蚀剂包括光引发剂以及包含乙烯基官能团和亲水官能团的液态预聚物；使用具有形成在其中的印记的模板成形抗蚀剂；以及在模板对应于印记成形抗蚀剂的同时使抗蚀剂硬化以形成抗蚀图案
用于形成图案抗蚀剂使用方法

[发明专利]抗蚀剂图案形成方法和抗蚀剂图案形成系统-CN200410030444.6无效
发明人：中田胜之;服部一博 -专利权人： TDK股份有限公司
申请日： 2004-03-18 - 公布日： 2004-09-22 - 主分类号： G03F7/039 文献下载
摘要：提供一种抗蚀剂图案形成方法，使用便于操作的非化学增强型抗蚀剂，能获得形状微细且高宽比大的抗蚀剂图案。其中至少包括通过涂覆非化学增强型抗蚀剂在基体材料(2)上形成抗蚀剂层(4)的工序、对抗蚀剂层(4)进行曝光的工序、用90℃以上130℃以下的温度烘烤进行曝光的基体材料(2)的工序、以及对进行烘烤的基体材料(2)进行显影的工序，以形成抗蚀剂图案。
抗蚀剂图案形成方法系统

[发明专利]光致抗蚀剂材料的管路气泡监测装置-CN02142777.1无效
发明人：曾嘉豪;蔡毓通;蔡重德;林政毅;丁茂益 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2002-09-19 - 公布日： 2004-03-24 - 主分类号： G01N29/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种管路气泡监测装置，适用于监测一光致抗蚀剂内部的气泡，包括至少一光致抗蚀剂槽、缓冲槽、泵以及气泡监测器。光致抗蚀剂槽用以提供光致抗蚀剂材料，缓冲槽用以储存光致抗蚀剂材料，泵用以推动缓冲槽所储存的光致抗蚀剂材料至一管路末端，气泡监测器设置于缓冲槽以及泵之间，用以监测光致抗蚀剂材料中的气泡，并于监测到气泡时，
光致抗蚀剂材料管路气泡监测装置

[发明专利]制造磁记录头的方法-CN200810009431.9无效
发明人：犬饲和明;今纯一 -专利权人：富士通株式会社
申请日： 2008-02-01 - 公布日： 2008-08-27 - 主分类号： G11B5/127 文献下载
摘要：本发明涉及制造磁记录头的方法，该方法包括：抗蚀剂图案形成步骤，用于形成抗蚀剂层，该抗蚀剂层由热塑性树脂制成，并且其中以磁记录头的主磁极的形状形成有孔；硬化处理步骤，用于使所述抗蚀剂层的表面硬化；烘烤步骤，用于在所述硬化处理步骤之后热烘烤所述抗蚀剂层，以暂时使所述抗蚀剂层流动化；以及主磁极形成步骤，用于通过使用主磁极的材料填充所述抗蚀剂层中的所述孔，来形成主磁极。
制造记录方法

[发明专利]极性弹性体微结构及其制造方法-CN201780078835.0在审
发明人： R·G·曼利;K·梅罗特拉;B·J·帕多可;R·瓦迪;N·Z·哲勒夫;朱斌 -专利权人：康宁股份有限公司
申请日： 2017-12-19 - 公布日： 2019-10-29 - 主分类号： H01L51/00 文献下载
摘要：一种制造极性弹性体的微结构的方法，包括：用包含极性弹性体的电介质材料涂覆基材；用光致抗蚀剂涂覆电介质材料；使光致抗蚀剂通过光掩模暴露于紫外(UV)光，以在光致抗蚀剂上限定图案；对光致抗蚀剂进行显影以在光致抗蚀剂上形成图案；对电介质材料进行蚀刻以将图案从光致抗蚀剂转移到电介质材料；以及从经过图案化的电介质材料移除光致抗蚀剂。
光致抗蚀剂电介质材料极性弹性体微结构图案蚀刻涂覆基材光掩模抗蚀剂图案化涂覆显影移除制造暴露