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[发明专利]具有薄膜的基板以及半导体基板-CN202280015569.8在审
发明人：柴山亘;武田谕;志垣修平;石桥谦;加藤宏大;中岛诚;坂本力丸 -专利权人：日产化学株式会社
申请日： 2022-02-21 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： H01L21/312 文献下载
摘要：本发明涉及一种具有薄膜的基板，该基板具有：所述薄膜，具有下述式(1)所示的化合物中的Si‑R1基；以及所述基板，在其表面配置有具有所述Si‑R1基的所述薄膜。Si(R1)(R2)n(R3)3‑n…式(1)(所述式(1)中，R1表示与Si键合的一价有机基团，R2表示与Si键合的一价有机基团，R3表示与Si键合的烷氧基、酰氧基或卤素原子，n表示0～2的整数，在n为2的情况下，R2可以相同也可以不同，在n为0或1的情况下，R3可以相同也可以不同。在n为1的情况下，R1和R2可以一起形成环结构)。
具有薄膜以及半导体

[发明专利]抗蚀剂下层膜形成用组合物-CN202180079667.3在审
发明人： 武田谕;柴山亘;志垣修平;石桥谦;加藤宏大;中岛诚 -专利权人：日产化学株式会社
申请日： 2021-11-26 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：本发明的课题是提供可以抑制在形成涂布膜时可能发生的微小粒子等引起的缺陷产生的抗蚀剂下层膜形成用组合物。解决手段是一种含有硅的抗蚀剂下层膜形成用组合物，其含有：[A]聚硅氧烷；[B]标准沸点为230.0℃以上，并且，下述式(1)所示的二醇化合物：(式中，R1和R2各自独立地表示氢原子、碳原子数1～4的烷基或碳原子数3～4的酰基，n表示3以上的整数)；以及[C]溶剂(但是相当于[B]化合物的化合物除外)。
抗蚀剂下层形成组合

[发明专利]含有硅的抗蚀剂下层膜形成用组合物-CN202180079266.8在审
发明人：柴山亘;武田谕;志垣修平;石桥谦;加藤宏大;中岛诚 -专利权人：日产化学株式会社
申请日： 2021-11-26 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： C08G77/14 文献下载
摘要：本发明的课题是提供用于形成不仅通过采用以往的干蚀刻的方法，而且通过采用使用了药液的湿蚀刻的方法也能够除去，光刻特性优异，在湿蚀刻中也可以实现高蚀刻速度的抗蚀剂下层膜的含有硅的抗蚀剂下层膜形成用组合物。解决手段是一种含有硅的抗蚀剂下层膜形成用组合物，其含有[A]聚硅氧烷、[B]硝酸、[C]双酚化合物、和[D]溶剂。
含有抗蚀剂下层形成组合

[发明专利]膜形成用组合物-CN201980085619.8有效
发明人：柴山亘;后藤裕一;窪寺俊;武田谕;石桥谦;中岛诚 -专利权人：日产化学株式会社
申请日： 2019-10-25 - 公布日： 2023-03-10 - 主分类号： C09D183/08 文献下载
摘要：本发明的课题是提供适合作为能够形成不仅具有良好的EUV抗蚀剂密合性，而且由于氟系蚀刻速率也高因此也具有良好的蚀刻加工性的抗蚀剂下层膜的抗蚀剂下层膜形成用组合物的膜形成用组合物。解决手段是一种膜形成用组合物，其包含例如式(E1)所示的聚合物、和溶剂。
形成组合

[发明专利]使用了溶剂置换法的抗蚀剂图案涂布用组合物的制造方法-CN201780060916.8有效
发明人：志垣修平;武田谕;柴山亘;中岛诚;坂本力丸 -专利权人：日产化学株式会社
申请日： 2017-10-02 - 公布日： 2023-01-10 - 主分类号： G03F7/40 文献下载
摘要：本发明的课题是提供在溶剂显影光刻工艺中用于涂布在经图案化的抗蚀剂膜上而使图案反转的涂布用组合物的制造方法。解决手段是一种涂布于经图案化的抗蚀剂膜的组合物的制造方法，其包含下述工序：将水解性硅烷在非醇系亲水性溶剂中水解并缩合而获得水解缩合物的工序(A)；对该水解缩合物进行溶剂置换，而将该非醇系亲水性溶剂置换成疏水性溶剂的工序(B)。一种半导体装置的制造方法，其包含下述工序：在基板上涂布抗蚀剂组合物而形成抗蚀剂膜的工序(1)；将该抗蚀剂膜曝光和显影的工序(2)；对工序(2)的显影中或显影后获得的经图案化的抗蚀剂膜涂布通过上述制造方法获得的组合物，而在图案间形成涂膜的工序(3)；将经图案化的抗蚀剂膜蚀刻除去而使图案反转的工序(4)。一种制造方法，曝光使用ArF激光(波长193nm)或EUV(波长13.5nm)进行。一种制造方法，显影为采用有机溶剂的负型显影。
使用溶剂置换抗蚀剂图案涂布用组合制造方法

[发明专利]膜形成用组合物-CN202180026228.6在审
发明人：柴山亘;武田谕;志垣修平;石桥谦;加藤宏大;中岛诚 -专利权人：日产化学株式会社
申请日： 2021-03-31 - 公布日： 2022-11-25 - 主分类号： G03F7/11 文献下载
摘要：本发明的课题是提供获得能够作为具有对作为上层而形成的抗蚀剂膜用的组合物的溶剂的耐性、针对氟系气体的良好的蚀刻特性、进一步良好的光刻特性的抗蚀剂下层膜而良好地起作用的膜的组合物。解决手段是一种膜形成用组合物，其特征在于，包含使用2种以上酸性化合物进行水解性硅烷化合物的水解和缩合而获得的水解缩合物、和溶剂，上述水解性硅烷化合物包含下述式(1)所示的含有氨基的硅烷。(在式(1)中，R1为与硅原子结合的基团，彼此独立地表示包含氨基的有机基，R2为与硅原子结合的基团，表示可以被取代的烷基、可以被取代的芳基、可以被取代的芳烷基、可以被取代的卤代烷基、可以被取代的卤代芳基、可以被取代的卤代芳烷基、可以被取代的烷氧基烷基、可以被取代的烷氧基芳基、可以被取代的烷氧基芳烷基、或可以被取代的烯基，或表示包含环氧基、丙烯酰基、甲基丙烯酰基、巯基或氰基的有机基，R3为与硅原子结合的基团或原子，彼此独立地表示烷氧基、芳烷基氧基、酰氧基或卤原子，a为1～2的整数，b为0～1的整数，且满足a+b≤2。)R1aR2bSi(R3)4‑(a+b)(1)。
形成组合

[发明专利]膜形成用组合物-CN202180026667.7在审
发明人：柴山亘;武田谕;志垣修平;石桥谦;加藤宏大;中岛诚 -专利权人：日产化学株式会社
申请日： 2021-03-31 - 公布日： 2022-11-18 - 主分类号： G03F7/11 文献下载
摘要：本发明的课题是提供获得能够作为具有对作为上层而形成的抗蚀剂膜用的组合物的溶剂的耐性、对氟系气体的良好的蚀刻特性、进一步良好的光刻特性的抗蚀剂下层膜而良好地起作用的膜的组合物。解决手段是一种膜形成用组合物，其特征在于，是包含使用包含2种以上酸性基的酸性化合物将水解性硅烷化合物水解和缩合而获得的水解缩合物、和溶剂的膜形成用组合物，上述水解性硅烷化合物包含下述式(1)所示的含有氨基的硅烷。(在式(1)中，R1为与硅原子结合的基团，彼此独立地表示包含氨基的有机基，R2为与硅原子结合的基团，表示可以被取代的烷基、可以被取代的芳基、可以被取代的芳烷基、可以被取代的卤代烷基、可以被取代的卤代芳基、可以被取代的卤代芳烷基、可以被取代的烷氧基烷基、可以被取代的烷氧基芳基、可以被取代的烷氧基芳烷基、或可以被取代的烯基，或表示包含环氧基、丙烯酰基、甲基丙烯酰基、巯基或氰基的有机基，R3为与硅原子结合的基团或原子，彼此独立地表示烷氧基、芳烷基氧基、酰氧基或卤原子，a为1～2的整数，b为0～1的整数，满足a+b≤2。)R1aR2bSi(R3)4‑(a+b)(1)。
形成组合

[发明专利]膜形成用组合物-CN202180024987.9在审
发明人：加藤宏大;武田谕;志垣修平;柴山亘;中岛诚 -专利权人：日产化学株式会社
申请日： 2021-03-31 - 公布日： 2022-11-18 - 主分类号： C08L83/04 文献下载
摘要：本发明提供用于形成溶剂显影型抗蚀剂的抗蚀剂下层膜的膜形成用组合物，所述抗蚀剂下层膜能够形成良好的抗蚀剂图案。该膜形成用组合物的特征在于包含水解性硅烷化合物的水解缩合物、选自由氨基塑料交联剂及酚醛塑料交联剂组成的组中的至少1种交联剂和溶剂，且上述水解性硅烷化合物包含下述式(1)表示的水解性硅烷。R1aR2bSi(R3)4‑(a+b)(1)。
形成组合

[发明专利]含硅抗蚀剂下层膜形成用组合物-CN202210831769.2在审
发明人：柴山亘;志垣修平;中岛诚;武田谕;若山浩之;坂本力丸 -专利权人：日产化学工业株式会社
申请日： 2015-07-10 - 公布日： 2022-09-06 - 主分类号： G03F7/16 文献下载
摘要：本发明的课题是提供在将上层抗蚀剂曝光并利用碱性显影液、有机溶剂进行显影时形成优异的抗蚀剂图案形状的抗蚀剂下层膜及其形成用组合物。本发明的解决方法是一种含有脂肪族多环结构的光刻用抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含作为硅烷的水解性硅烷、其水解物、其水解缩合物、或它们的组合，脂肪族多环结构是式(1)(式(1)中，R1是含有脂肪族多环结构且通过Si‑C键与Si原子结合的有机基团。R3表示乙氧基。a表示1，b表示0～2的整数，a+b表示1～3的整数。)所示的水解性硅烷具有的结构、或者以可具有双键、羟基、或环氧基的脂肪族多环化合物、脂肪族多环式二羧酸、或脂肪族多环式二羧酸酐的形式添加的化合物中包含的结构。R1aR2bSi(R3)4‑(a+b) 式(1)。
含硅抗蚀剂下层形成组合

[发明专利]膜形成用组合物-CN202080038844.9在审
发明人：柴山亘;武田谕;志垣修平;石桥谦;加藤宏大;中岛诚 -专利权人：日产化学株式会社
申请日： 2020-03-25 - 公布日： 2022-01-07 - 主分类号： C08G77/04 文献下载
摘要：本发明的课题是提供适合作为可以形成兼具对EUV抗蚀剂的良好的密合性、与良好的蚀刻加工性的抗蚀剂下层膜的抗蚀剂下层膜形成用组合物的、膜形成用组合物。解决手段是一种膜形成用组合物，其包含：在碱性水解催化剂的存在下生成的水解性硅烷化合物的水解缩合物(A)；在酸性水解催化剂的存在下生成的水解性硅烷化合物的水解缩合物(B)；以及溶剂。
形成组合

[发明专利]膜形成用组合物-CN202080039710.9在审
发明人：柴山亘;武田谕;志垣修平;石桥谦;加藤宏大;中岛诚 -专利权人：日产化学株式会社
申请日： 2020-03-24 - 公布日： 2022-01-04 - 主分类号： C08G77/26 文献下载
摘要：本发明的课题是提供适合作为可以形成兼具对EUV抗蚀剂的良好的密合性、与良好的蚀刻加工性的抗蚀剂下层膜的抗蚀剂下层膜形成用组合物的、膜形成用组合物。解决手段是一种膜形成用组合物，其特征在于，其包含选自水解性硅烷化合物、其水解物和其水解缩合物中的至少1种，以及溶剂，上述水解性硅烷化合物包含分子内具有氰基的下述式(1)所示的水解性硅烷。(在式(1)中，R1为与硅原子结合的基团，并且表示包含氰基的有机基，R2为通过Si‑C键而与硅原子结合的基团，并且彼此独立地表示可以被取代的烷基等，R3为与硅原子结合的基团或原子，并且彼此独立地表示羟基、烷氧基、芳烷基氧基、酰氧基或卤原子，a表示1的整数，b表示0～2的整数，a+b表示1～3的整数。)R1aR2bSi(R3)4‑(a+b)(1)。
形成组合

[发明专利]抗蚀剂图案金属化工艺用组合物-CN202080032980.7在审
发明人：柴山亘;武田谕;志垣修平;石桥谦;加藤宏大;中岛诚 -专利权人：日产化学株式会社
申请日： 2020-03-27 - 公布日： 2021-12-10 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明的课题是提供一种组合物以及使用该组合物的抗蚀剂图案的金属化方法，其能够通过使抗蚀剂图案的抗蚀剂金属化来改善抗蚀剂图案的粗糙度或塌陷，并提高耐蚀刻性。本发明是一种用于抗蚀剂图案金属化工艺的组合物以及使用该组合物提供于抗蚀剂中渗透有前述组合物成分的抗蚀剂图案的抗蚀剂图案金属化方法，所述组合物含有(A)成分：选自金属氧化物(1)、水解性硅烷化合物(2)、前述水解性硅烷化合物的水解物(3)、及前述水解性硅烷化合物的水解缩合物(4)中的至少一种；(B)成分：不含有羧基(‑‑COOH)的酸化合物；及(C)成分：水性溶剂。
抗蚀剂图案金属化工艺组合

[发明专利]膜形成用组合物-CN201980086354.3在审
发明人：柴山亘;仓本悠太郎;武田谕;志垣修平;石桥谦;中岛诚 -专利权人：日产化学株式会社
申请日： 2019-12-25 - 公布日： 2021-08-06 - 主分类号： C08G77/22 文献下载
摘要：本发明的课题是提供适合作为能够形成兼具良好的EUV抗蚀剂密合性、和由于氟系蚀刻速率也高因此具有的良好的蚀刻加工性的含有Si的抗蚀剂下层膜的抗蚀剂下层膜形成用组合物的膜形成用组合物。解决手段是一种膜形成用组合物，其包含例如式(E1)所示的聚合物、和溶剂。
形成组合

[发明专利]具有卤代磺酰基烷基的含硅抗蚀剂下层膜形成用组合物-CN201580037039.3有效
发明人：柴山亘;高濑显司;中岛诚;武田谕;若山浩之;坂本力丸 -专利权人：日产化学工业株式会社
申请日： 2015-07-09 - 公布日： 2021-06-22 - 主分类号： G03F7/11 文献下载
摘要：本发明提供一种在将上层抗蚀剂膜进行曝光而用碱显影液或有机溶剂进行显影时可以形成优异的抗蚀剂图案形状的抗蚀剂下层膜和用于形成其的组合物。一种光刻用抗蚀剂下层膜形成用组合物，包含作为硅烷的水解性硅烷、其水解物、其水解缩合物或它们的组合，该水解性硅烷包含式(1)表示的水解性硅烷。[式(1)中，R1为式(2)表示的有机基团，(式(2)中，R4表示可以被取代的碳原子数1～10的亚烷基，R5表示磺酰基或磺酰胺基，R6表示含卤的有机基团。]。上述式(2)中的R6为含氟的有机基团。上述式(2)中的R6为三氟甲基。通过将抗蚀剂下层膜形成用组合物涂布于半导体基板上并进行烧成而得到的抗蚀剂下层膜。还包含作为水解催化剂的酸。还含有水。R1aR2bSi(R3)4‑(a+b) (1) ‑R4‑R5‑R6 (2)。
具有卤代磺酰基烷基含硅抗蚀剂下层形成组合

[发明专利]具有含脂肪族多环结构的有机基团的含硅抗蚀剂下层膜形成用组合物-CN202011433145.2在审
发明人：柴山亘;志垣修平;中岛诚;武田谕;若山浩之;坂本力丸 -专利权人：日产化学工业株式会社
申请日： 2015-07-10 - 公布日： 2021-03-26 - 主分类号： G03F7/004 文献下载
摘要：本发明的课题是提供，在将上层抗蚀剂曝光并利用碱性显影液、有机溶剂进行显影时可以形成优异的抗蚀剂图案形状的抗蚀剂下层膜及其形成用组合物。本发明的解决方法是一种含有脂肪族多环结构的光刻用抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含作为硅烷的水解性硅烷、其水解物、其水解缩合物、或它们的组合，脂肪族多环结构是式(1)(式(1)中，R1是含有脂肪族多环结构且通过Si‑C键与Si原子结合的有机基团。R3表示乙氧基。a表示1，b表示0～2的整数，a+b表示1～3的整数。)所示的水解性硅烷具有的结构、或者以可具有双键、羟基、或环氧基的脂肪族多环化合物、脂肪族多环式二羧酸、或脂肪族多环式二羧酸酐的形式添加的化合物中包含的结构。R1aR2bSi(R3)4‑(a+b) 式(1)。
具有脂肪族多环结构有机基团含硅抗蚀剂下层形成组合

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