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[发明专利]基板处理方法和基板处理装置-CN202180025344.6有效
发明人：山本谅;藤本诚也;水野刚资;竹口博史;薮田贵士;山下敦;池田义谦;冈本英一郎;五月女竜太 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2021-04-01 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：基板处理方法具有下述(A)～(C)。(A)在水平地保持基板并使其旋转的状态下，从包括与所述基板的下表面中央相对配置的多个喷嘴的喷嘴单元，向所述基板的下表面依次供给酸性或碱性的第1化学溶液、和纯水。(B)水平地保持所述基板并使其旋转，使所述基板干燥。(C)在供给所述第1化学溶液后且所述基板干燥前，从所述喷嘴单元的一所述喷嘴喷出纯水，在所述喷嘴单元之上形成覆盖所述喷嘴单元的全部的所述喷嘴的纯水的清洗膜。
处理方法装置

[发明专利]液供给机构、基板处理装置以及基板处理方法-CN202180033454.7在审
发明人： 竹口博史;中岛幹雄;大塚贵久;小宫洋司 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2021-04-30 - 公布日： 2022-12-23 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：液供给机构具有：喷嘴，其对基板喷出处理液；供给流路，其向所述喷嘴供给所述处理液；阀，其对所述供给流路中的流动进行调整；以及缓冲部，其在从所述阀朝向所述喷嘴的中途将所述处理液暂时积存在该缓冲部的内部空间中。
供给机构处理装置以及方法

[发明专利]基板处理方法和基板处理装置-CN202210626147.6在审
发明人： 竹口博史;篠原和义;福田孝佑 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2022-06-02 - 公布日： 2022-12-13 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供一种基板处理方法和基板处理装置。基板处理方法具备：第一处理工序，向基板表面供给第一处理液并通过第一处理液的液膜覆盖基板表面；以及第二处理工序，向基板表面供给表面张力小于第一处理液的表面张力的第二处理液，并利用第二处理液来置换第一处理液，其中，第二处理工序包括：第一阶段，向基板表面除了供给第二处理液之外还同时供给第一处理液；以及第二阶段，不供给第一处理液，向基板表面的中心部供给第二处理液，其中，在第一阶段的至少第一期间，一边维持从基板表面上的基板旋转中心起到第一处理液的着液点为止的第一半径方向距离大于从基板旋转中心起到第二处理液的着液点为止的第二半径方向距离的条件，一边增大这两个距离。
处理方法装置

[发明专利]基板液处理装置-CN202080082687.1在审
发明人： 竹口博史;桥本佑介 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2020-11-24 - 公布日： 2022-07-15 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：本公开的一形态的处理基板液处理装置(16)具有杯(30)、多个喷嘴循环循环系统(40)、第2喷嘴(61)以及收纳部(70)。杯(30)包围基板的周缘。多个喷嘴循环系统(40)均包含第1喷嘴(41)、受液槽(42)以及循环部(43)，该受液槽(42)配置于杯(30)的外侧，用于接收从第1喷嘴(41)喷出的处理液，该循环部(43)使由受液槽(42)接收到的处理液向第1喷嘴(41)返回。第2喷嘴(61)是不构成喷嘴循环系统(40)的喷嘴。收纳部(70)收纳杯(30)、多个喷嘴循环系统(40)所具有的多个第1喷嘴(41)和多个受液槽(42)、以及第2喷嘴(62)。另外，第2喷嘴(61)配置于收纳部(70)所具有的第1侧壁(71b)和杯(30)之间，多个第1喷嘴(41)配置于收纳部(70)所具有的与第1侧壁(71b)不同的第2侧壁(71a)和杯(30)之间。
基板液处理装置

[发明专利]基片处理设备和处理液制备方法-CN202080046664.5在审
发明人：李水根;竹口博史;筱原和义;大塚贵久;小佐井一树 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2020-06-30 - 公布日： 2022-02-08 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明的基片处理设备包括：罐；循环管线，其供从罐出发并返回罐的处理液流动；供给调整部，其调整第一液、第二液和处理液中的至少任一者向罐的供给；排放管线，其供从罐或者循环管线排出的处理液流动；排放调整部，其处理液调整经由排放管线的排出；以及浓度传感器，其测量在浓度测量管线中流动的处理液的浓度。控制部基于浓度传感器的测量结果，控制排放调整部来调整处理液的排出，控制供给调整部来调整第一液、第二液和处理液中的至少任一者向罐的供给。
处理设备制备方法

[发明专利]基片处理方法和基片处理装置-CN202010418111.X在审
发明人： 竹口博史;筱原和义;大塚贵久;李水根 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2020-05-18 - 公布日： 2020-11-27 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供基片处理方法和基片处理装置。本发明的一个方式的基片处理方法包括第一清洗步骤和第二清洗步骤。第一清洗步骤用第一清洗液清洗基片。第二清洗步骤在第一清洗步骤后，用与第一清洗液相比清洁度低的第二清洗液清洗基片。本发明在使用清洁度低的清洗液的情况下，也能够从基片充分地除去颗粒。
处理方法装置

[发明专利]显影方法和显影装置-CN201510566734.0有效
发明人： 竹口博史;寺下裕一;下青木刚;吉原孝介 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2015-09-08 - 公布日： 2020-03-10 - 主分类号： G03F7/30 文献下载
摘要：本发明的目的是在对曝光后的基板进行显影处理时，提高基板的面内的抗蚀剂图案的线宽的均匀性。进行显影处理，包括以下步骤：使用具有显影液的排出口和形成得比上述基板的表面小的接触部的显影液喷嘴，在上述基板的中央部使上述接触部与基板的表面相对的步骤；接着，从上述显影液喷嘴的排出口向基板的表面排出显影液，从上述接触部看时使显影液溢出到比该接触部的外缘靠外侧的位置而形成积液的步骤；和像这样维持显影液溢出的状态，一边从上述排出口向正在旋转的基板排出显影液，一边使上述显影液喷嘴从基板的中央部向周缘部移动而将上述积液扩展到基板的整个面的步骤。
显影方法装置

[发明专利]显影方法和显影装置-CN201510436986.1有效
发明人：井关智弘;竹口博史;寺下裕一 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2015-07-23 - 公布日： 2019-11-12 - 主分类号： G03F7/30 文献下载
摘要：本发明提供使面内线宽分布的均匀性提高的显影方法。本发明提供一种显影方法，将配置于晶片(W)的表面(Wa)上且被曝光了的抗蚀剂膜(R)显影而形成抗蚀剂图案，该显影方法包括：使晶片(W)绕在与水平地保持的晶片(W)的表面(Wa)正交的方向上延伸的旋转轴旋转，并且从位于晶片(W)的上方的液体接触部件(N)的排出口(Na)将显影液(L)排出到抗蚀剂膜(R)上，使显影液(L)遍布于抗蚀剂膜(R)的表面上的步骤；和将具有与晶片(W)的表面(Wa)相对的下端面(Nb)的液体接触部件(N)配置于作为晶片(W)的表面(Wa)之中在先从液体接触部件(N)进行了显影液(L)的供给的区域的在先区域的上方的步骤。
显影方法装置

[发明专利]显影方法和显影装置-CN201510336734.1有效
发明人： 竹口博史;井关智弘;寺下裕一 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2015-06-17 - 公布日： 2019-11-12 - 主分类号： G03F7/30 文献下载
摘要：本发明提供一种能够形成CD分布均匀性足够高的抗蚀剂的显影方法。本发明涉及的显影方法，其用于对基板表面上的曝光后的抗蚀剂膜进行显影来形成抗蚀剂图案，依序具有如下步骤：(A)向旋转的基板供给显影液的步骤；(B)使抗蚀剂膜与显影液反应的步骤；和(C)为了使抗蚀剂膜与显影液的反应停止而从抗蚀剂膜表面除去显影液的步骤，在(A)步骤中，使用接液喷嘴，该接液喷嘴具有显影液的排出口和从排出口在横向扩展且与抗蚀剂膜相对的面，并且在(C)步骤中，使除去了显影液的抗蚀剂膜表面的反应停止区域和与显影液的反应持续进行的抗蚀剂膜表面的反应进行区域的边界从抗蚀剂膜的中心部向周缘部移动。
显影方法装置

[发明专利]显影方法和显影装置-CN201510556969.1有效
发明人：寺下裕一;竹口博史;下青木刚;吉原孝介;井关智弘 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2015-09-02 - 公布日： 2018-09-21 - 主分类号： G03F7/30 文献下载
摘要：本发明提供能够在利用显影液对曝光后的基板进行显影时对基板的面内的显影的进展程度而言有助于面内均匀性的提高的显影方法等。对被水平保持于可旋转的基板保持部的曝光后的基板，使用具有与上述基板相对地设置的接触部的第一显影液喷嘴，在基板的表面的一部分形成积液，使第一显影液喷嘴在旋转的基板的上方移动而将积液扩展到基板的整个表面，进行显影处理。而且，在进行该显影处理之前或之后，为了使基板的面内的显影的进展程度的分布均匀，在使基板旋转的状态利用第二显影液喷嘴对基板的表面供给显影液，之后，来自第一、第二显影液喷嘴的显影液的供给在从基板表面除去先前供给的显影液之后进行。
显影方法装置

[发明专利]液处理装置和液处理方法-CN201711481918.2在审
发明人： 竹口博史;脇山辉史;伊藤规宏 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2017-12-29 - 公布日： 2018-07-10 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供一种能够以简单的结构在基板的中心位置和外周位置实现与位置相应的液处理的液处理装置和液处理方法。液处理装置具备：保持机构，其保持基板；旋转机构，其使被保持机构保持的基板旋转；喷嘴，其配置为与基板的面相向；以及第一供给路和第二供给路，该第一供给路和第二供给路连接于喷嘴。喷嘴具有：共通流路，其沿从基板的中心部朝向周缘部的径向延伸；以及多个喷出口，该多个喷出口连接于共通流路，沿径向配置。第一供给路连接于共通流路中的基板周缘部侧，将第一液供给到共通流路。第二供给路连接于共通流路中的基板中心部侧，将第二液供给到共通流路。第一供给路与第二供给路经由共通流路相连通。
共通流路供给路基板液处理装置喷嘴液处理喷出口基板中心部基板周缘部基板旋转径向配置径向延伸外周位置旋转机构中心部周缘部配置

[发明专利]液体处理装置和液体处理方法-CN201511001407.7有效
发明人：吉原孝介;一野克宪;古庄智伸;佐佐卓志;土屋胜裕;寺下裕一;竹口博史 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2013-02-22 - 公布日： 2017-09-08 - 主分类号： B01D19/00 文献下载
摘要：本发明提供与对被处理基板供给处理液的处理液供给喷嘴连接的液体处理装置，其包括将处理液存储容器和该处理液供给喷嘴连接的供给管路；设置于供给管路的过滤器装置；过滤器装置的二次侧的泵；将泵的排出侧和过滤器装置的吸入侧连接的循环管路；在泵的二次侧的供给管路设置的供给控制阀；在循环管路设置的循环控制阀；和控制泵、供给控制阀和循环控制阀的控制装置，利用控制装置，使得通过关闭供给控制阀使从该处理液供给喷嘴向被处理基板的处理液的供给停止时，打开循环控制阀，驱动泵，使处理液在具有过滤器装置的供给管路与循环管路之间循环。
液体处理装置方法

[发明专利]液体处理装置和液体处理方法-CN201380011195.3有效
发明人：吉原孝介;一野克宪;古庄智伸;佐佐卓志;土屋胜裕;寺下裕一;竹口博史 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2013-02-22 - 公布日： 2014-11-05 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：本发明提供与对被处理基板供给处理液的处理液供给喷嘴连接的液体处理装置，其包括：将处理液存储容器和该处理液供给喷嘴连接的供给管路；设置于供给管路的过滤器装置；过滤器装置的二次侧的泵；将泵的排出侧和过滤器装置的吸入侧连接的循环管路；在泵的二次侧的供给管路设置的供给控制阀；在循环管路设置的循环控制阀；和控制泵、供给控制阀和循环控制阀的控制装置，利用控制装置，使得通过关闭供给控制阀使从该处理液供给喷嘴向被处理基板的处理液的供给停止时，打开循环控制阀，驱动泵，使处理液在具有过滤器装置的供给管路与循环管路之间循环。
液体处理装置方法

[发明专利]基板处理方法、程序、计算机存储介质和基板处理装置-CN201110350015.7有效
发明人： 竹口博史;吉田勇一 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2011-11-08 - 公布日： 2012-05-23 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供一种基板处理方法和基板处理装置，通过消除当向基板上供给表面处理液时在基板与表面处理液之间产生的气泡，降低基板表面上的缺陷。在向形成有高防水性的抗蚀剂膜(R)的晶片(W)的表面上供给纯水(P)的显影处理方法中，从纯水喷嘴(40)向形成有抗蚀剂膜(R)的晶片(W)的周边部的一处供给纯水(P)形成该纯水(P)的积液(Pa)，然后，通过一边继续供给纯水(P)一边将纯水喷嘴(40)从晶片(W)的周边部移动至晶片(W)的中心部，使得形成于晶片(W)的周边部的积液(Pa)移动至晶片(W)的中心部。
处理方法程序计算机存储介质装置

[发明专利]显影装置和显影方法-CN201010513518.7有效
发明人： 竹口博史;井关智弘;吉田勇一;吉原孝介 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2010-10-15 - 公布日： 2011-05-04 - 主分类号： G03F7/30 文献下载
摘要：本发明提供一种显影装置和显影方法，即使基板表面的防水性高，也能在基板整个表面形成显影膜，能降低显影缺陷。在进行晶圆(W)的显影处理之前，作为前工序，从纯水喷嘴(40)向晶圆(W)的中央部喷出用于使显影液在晶圆(W)表面容易扩展的作为扩散辅助液的纯水而形成积液。接着，一边使晶圆W高速旋转，一边向晶圆(W)的中央部喷出用于预湿的显影液，并使该显影液扩展。抗蚀剂被该显影液溶解而溶出溶解物(6)，但是在该溶解物(6)溶出的期间例如7秒以内使晶圆(W)的旋转为反转，使溶解物(6)在晶圆(W)整个表面扩展，使晶圆(W)的防水性降低。之后，对旋转着的晶圆(W)喷出显影液，使显影液在晶圆(W)表面扩展。
显影装置方法

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