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专利名称

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申请人
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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]用于确定光刻掩模的可制造性的方法-CN200910222443.4有效
发明人：井上忠宣;D·O·马勒维尔;牟田英正;田克汉;上條昇;A·E·罗森布卢特 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2009-11-13 - 公布日： 2010-06-23 - 主分类号： G03F1/14 文献下载
摘要：本发明涉及用于确定光刻掩模的可制造性的方法。确定在制造半导体器件样品时所采用的光刻掩模的可制造性。从光刻掩模的掩模版图数据中选择多个目标边缘。掩模版图数据包括遍及多个基元而分布的多个多边形，其中每一个多边形具有多个边缘。基元包括中心基元、在中心基元上下的两个垂直基元以及在中心基元左右的两个水平基元。以减少在确定制造惩罚中的计算量的方式选择目标边缘对，用于确定形成光刻掩模时的制造惩罚。基于所选择的目标边缘对而确定光刻掩模的可制造性，包括形成光刻掩模时的制造惩罚。输出光刻掩模的可制造性。光刻掩模的可制造性依赖于形成光刻掩模时的制造惩罚。
用于确定光刻制造方法

[发明专利]用于确定光刻掩模的可制造性的方法和系统-CN200910208363.3无效
发明人：井上忠宣;D·O·梅尔威尔;牟田英正;田克汉;阪本正治;A·E·罗森布卢特 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2009-11-12 - 公布日： 2010-06-23 - 主分类号： G03F1/14 文献下载
摘要：本发明涉及用于确定光刻掩模的可制造性的方法和系统。确定在制造半导体器件样品时所采用的光刻掩模的可制造性。从光刻掩模的掩模版图数据中选择多个目标边缘对，用于确定在形成光刻掩模时的制造惩罚。掩模版图数据包括多个多边形，每一个多边形具有多个边缘。每一个目标边缘对由一个或多个多边形中的两个边缘限定。确定光刻掩模的可制造性，包括确定在形成光刻掩模时的制造惩罚。基于所选择的目标边缘对确定制造惩罚。使用在连续尺度上表征光刻掩模的可制造性的连续导数，确定光刻掩模的可制造性。输出光刻掩模的可制造性。光刻掩模的可制造性依赖于形成光刻掩模时的制造惩罚。
用于确定光刻制造方法系统

[发明专利]恢复光刻工艺中横磁波对比度的方法和系统-CN200610171821.7有效
发明人：黎家辉;D·法伊弗;A·E·罗森布卢特 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2006-11-02 - 公布日： 2007-06-06 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：一种在使用高数值孔径成像工具的光刻工艺中将具有感光区域的抗蚀剂层曝光到图像的方法和系统。其中利用了基板，其具有反射成像工具的射线的层，以及在反射层上具有感光区域的抗蚀剂层，其具有厚度。成像工具适于将包含虚像的射线投射到抗蚀剂层上，包含虚像的射线的一部分穿过抗蚀剂层，并反射回抗蚀剂层。反射的射线穿过抗蚀剂层的厚度在抗蚀剂层中形成投射的虚像的干涉图案。选择抗蚀剂层的感光区域相对于反射层的厚度和位置，以在干涉图案中在抗蚀剂厚度方向上包括干涉图案的较高对比度部分，并从抗蚀剂层的感光区域中在抗蚀剂厚度方向上排除干涉图案的较低对比度部分，以提高抗蚀剂层的感光区域中虚像的对比度。
恢复光刻工艺中横磁波对比度方法系统

[发明专利]用于光刻工艺窗口最优化的方法和系统-CN200510004811.X有效
发明人：邢福仑;M·A·拉文;李金福;D·L·奥斯塔普科;A·E·罗森布卢特;成乐根 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2005-01-27 - 公布日： 2005-08-17 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：一种用于关于光刻工艺窗口的布图最优化的新型方法和系统，其促进光刻约束不被局部化，以便于提供通过工艺窗口印刷给定电路的能力，该工艺窗口超过使用常规的简化设计规则获得的工艺窗口。
用于光刻工艺窗口优化方法系统

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