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- [发明专利]半导体装置的制作方法-CN201611187173.4有效
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赖韦翰;张庆裕
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台湾积体电路制造股份有限公司
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2016-12-20
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2022-06-21
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G03F1/56
- 一种半导体装置的制作方法，包括：形成光致抗蚀剂图案于可图案化层上。光致抗蚀剂层包含负型光致抗蚀剂材料。对光致抗蚀剂层进行曝光工艺。对光致抗蚀剂层进行曝光后烘烤工艺。冲洗光致抗蚀剂层以显影光致抗蚀剂图案。施加底漆材料至光致抗蚀剂图案。底漆材料为设置用于使光致抗蚀剂图案轮廓平直化，增加光致抗蚀剂材料的去保护酸敏基团单元数目、或与光致抗蚀剂材料的去保护酸敏基团单元键结。在施加底漆材料后，涂布收缩材料于光致抗蚀剂图案上、烘烤收缩材料、以及移除部分的收缩材料以增大光致抗蚀剂图案。以增大的光致抗蚀剂图案作为掩模，图案化可图案化层。
- 半导体装置制作方法
- [发明专利]半导体结构的制造方法-CN202210115728.3在审
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蔡佳宏
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力晶积成电子制造股份有限公司
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2022-02-07
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2023-07-28
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H01L21/311
- 在基底上形成金属材料层。利用光掩模进行第一光刻制作工艺而形成第一图案化光致抗蚀剂层。利用第一图案化光致抗蚀剂层为掩模，对金属材料层进行图案化制作工艺，而形成包括多个金属图案的金属层。移除第一图案化光致抗蚀剂层。形成覆盖多个金属图案的第一介电层。利用在第一光刻制作工艺中所使用的相同光掩模进行第二光刻制作工艺而形成第二图案化光致抗蚀剂层。第二图案化光致抗蚀剂层的光致抗蚀剂材料为第一图案化光致抗蚀剂层的光致抗蚀剂材料的反型光致抗蚀剂材料。利用第二图案化光致抗蚀剂层作为掩模，对第一介电层进行蚀刻制作工艺。移除第二图案化光致抗蚀剂层。对第一介电层进行平坦化制作工艺。
- 半导体结构制造方法
- [发明专利]掩模组件的制造方法-CN201810089595.0有效
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金桢国;任星淳;黄圭焕;金圣哲;文英慜
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三星显示有限公司
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2018-01-30
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2021-12-03
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C23C14/30
- 本发明涉及能够提升图案精度的掩模组件的制造方法，该方法包括以下步骤：准备载体衬底；在载体衬底上涂覆第一光致抗蚀剂；对第一光致抗蚀剂进行图案化以形成第一光致抗蚀剂图案；在载体衬底和第一光致抗蚀剂上涂覆第二光致抗蚀剂；对第二光致抗蚀剂进行图案化以形成第二光致抗蚀剂图案；在载体衬底上沉积金属层；去除布置在第一光致抗蚀剂图案和第二光致抗蚀剂图案上的金属层；以及将载体衬底与金属层分离以制造分割掩模，其中，第一光致抗蚀剂为正(positive)性光致抗蚀剂，而第二光致抗蚀剂为负(negative)性光致抗蚀剂。
- 模组制造方法
- [发明专利]半导体元件及其制造方法-CN201210261610.8有效
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张荣芳;张民杰
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瀚宇彩晶股份有限公司
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2012-07-26
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2016-10-26
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H01L21/335
- 半导体元件的制作方法包括：在基板上依序形成栅极、栅绝缘层、氧化物半导体层及蚀刻终止层。蚀刻终止层具两个暴露出部分氧化物半导体层的接触开口。在蚀刻终止层上形成金属层。金属层通过接触开口与氧化物半导体层相连接。在金属层上形成半调式图案化光致抗蚀剂层。以半调式图案化光致抗蚀剂层为掩模，移除暴露于半调式图案化光致抗蚀剂层之外的金属层及其下方的蚀刻终止层。减少半调式图案化光致抗蚀剂层厚度直至第二部分被完全移除为止而形成图案化光致抗蚀剂层。以图案化光致抗蚀剂层为掩模，移除暴露于图案化光致抗蚀剂层之外的金属层与氧化物半导体层，而定义出源极、漏极及通道区域。移除图案化光致抗蚀剂层。
- 半导体元件及其制造方法
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