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[发明专利]半导体结构的形成方法-CN202010221722.5有效
发明人： 翁明晖;訾安仁;张庆裕;林进祥;刘朕与 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-03-26 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： G03F7/004 文献下载
摘要：在此提供一种用于形成半导体装置结构的方法。此方法包括形成材料层于基板之上，且形成光致抗蚀剂层于材料层之上。光致抗蚀剂层包括无机材料及辅助剂。无机材料包括多个金属核及多个第一连结基团，且第一连结基团键结至金属核。此方法包括曝光光致抗蚀剂层的一部分。光致抗蚀剂层包括曝光区域及未曝光区域。在曝光区域中，辅助剂与第一连结基团进行反应。此方法包括使用显影剂移除光致抗蚀剂层的未曝光区域，以形成经过图案化的光致抗蚀剂层。显影剂包括具有式(a)的基于酮的溶剂、或具有式(b)的基于酯的溶剂。
半导体结构形成方法

[发明专利]微影方法-CN201910462253.3有效
发明人： 翁明晖;刘朕與;吴承翰;张庆裕;林进祥 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-05-30 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： G03F7/32 文献下载
摘要：本揭露是关于一种微影方法，其包括在基板上方形成抗蚀剂层。抗蚀剂层曝露于辐射。使用移除所曝露的抗蚀剂层的曝露部分的显影剂显影所曝露的抗蚀剂层，进而形成图案化的抗蚀剂层。使用碱性水冲洗溶液冲洗图案化的抗蚀剂层。
方法

[发明专利]降低光阻消耗的方法及半导体结构的形成方法-CN202210690784.X在审
发明人：訾安仁;翁明晖;张庆裕 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-06-17 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： G03F7/16 文献下载
摘要：本揭露是关于一种降低光阻消耗(RRC)的方法及半导体结构的形成方法。降低光阻消耗的方法包含利用RRC组合物处理基材的表面；以及形成包括含金属材料的光阻层于经RRC组合物处理后的表面上。RRC组合物包含溶剂，以及酸或碱。溶剂具有10至25的分散参数。酸具有‑20至6.8的酸解离常数，且碱具有7.2至45的酸解离常数。
降低消耗方法半导体结构形成

[发明专利]图案化光阻层的方法及极紫外光光阻材料-CN202110891053.7在审
发明人： 翁明晖;郑雅如;张庆裕 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-08-04 - 公布日： 2022-09-13 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：一种图案化光阻层的方法及极紫外光光阻材料，在此叙述的光阻材料可包括具有一或多种配位基的多个种类的锡(Sn)簇合物。作为一实例，在此叙述的光阻材料可包括带有两个或以上不同种类的羧酸盐配位基的锡簇合物。作为另一实例，在此叙述的光阻材料可包括氧化锡簇合物，氧化锡簇合物包括碳酸根配位基。此两个或以上不同种类的羧酸盐配位基与碳酸根配位基可减少、最小化及/或防止在此叙述的光阻材料的结晶，从而可增加光阻材料的涂布效能并降低使用在此叙述的光阻材料所形成的光阻层的表面粗糙度。
图案化光阻层方法紫外光光材料

[发明专利]微影的方法-CN202110725400.9在审
发明人： 翁明晖;张庆裕 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-06-29 - 公布日： 2022-07-19 - 主分类号： G03F7/095 文献下载
摘要：一种微影的方法包括形成光阻层在基板上、对光阻层进行处理以形成具有第一分子量的光阻层的上部和具有小于第一分子量的第二分子量的光阻层的下部、对光阻层进行曝光制程、以及对光阻层进行显影制程以形成图案化光阻层。
方法

[发明专利]聚合物组合物以及制造半导体装置的方法-CN202210202786.X在审
发明人： 翁明晖;刘朕与;张庆裕 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-03-03 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： G03F7/004 文献下载
摘要：一种聚合物组合物以及制造半导体装置的方法，用于制造半导体装置的方法包括在基板之上形成抗蚀剂底层的步骤。抗蚀剂底层包括底层组合物，底层组合物包括：具有以下的聚合物：光致产酸剂(photoacid generator；PAG)基团侧基、热致产酸剂(thermal acid generator；TAG)基团侧基、PAG基团侧基与TAG基团侧基的组合、光致产碱剂(photobase generator；PBG)基团侧基、热致产碱剂(thermal base generator；TBG)基团侧基或PBG基团侧基与TBG基团侧基的组合。在抗蚀剂底层之上形成包括光阻剂组合物的一光阻剂层。选择性地将光阻剂层暴露于光化辐射。对经选择性暴露的光阻剂层进行显影以在光阻剂层中形成一图案。
聚合物组合以及制造半导体装置方法

[发明专利]集成电路的制造方法-CN201711166831.6有效
发明人： 翁明晖;吴承翰;张庆裕;林进祥 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-11-21 - 公布日： 2022-06-10 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：本公开实施例提供集成电路的制造方法。此方法包含提供基底，其具有顶面和从顶面凹陷的沟槽，将敏感材料层涂布于基底的顶面上，其中敏感材料层填入沟槽中，对敏感材料层执行活化处理，使得部分的敏感材料层化学性地改变，以及对敏感材料层执行湿式化学工艺，使得敏感材料层位于沟槽之上的顶部部分被移除，其中敏感材料层的剩余部分的顶面与基底的顶面大致上共平面。该方法可以消除凹凸不平的轮廓，提供了平坦化的顶面。
集成电路制造方法

[发明专利]组成物及形成一材料层的方法-CN201610300889.4有效
发明人： 翁明晖;苏煜中;刘朕與;张庆裕 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2016-05-09 - 公布日： 2021-12-10 - 主分类号： G03F7/027 文献下载
摘要：一种组成物及形成一材料层的方法。组成物包含：约2至约25重量份的高分子；约5至约20重量份的交联剂；约0.1至约10重量份的触媒，触媒在一温度下触发交联剂与高分子发生交联反应；以及约3至约30重量份的一第一溶剂，且第一溶剂的一沸点大于触媒触发交联反应的温度。此组成物所形成的层别能够有效地改善“厚度负载”的问题。
组成形成材料方法

[发明专利]制造半导体器件的方法和图案形成方法-CN202110752941.0在审
发明人：刘之诚;翁明晖;李志鸿;郑雅如;杨棋铭;李资良;张庆裕 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-07-02 - 公布日： 2021-10-29 - 主分类号： G03F7/004 文献下载
摘要：本申请涉及制造半导体器件的方法和图案形成方法。在图案形成方法中，通过将汽态的第一前体和第二前体合并以形成光致抗蚀剂材料，在基板上方形成光致抗蚀剂层。所述第一前体是具有式MaRbXc的有机金属，其中M是选自由以下项组成的组的一者或多者：Sn、Bi、Sb、In和Te，R是被不同的EDG和/或EWG取代的烷基基团，X是卤基或磺酸根基团，并且1≤a≤2，b≥1，c≥1，并且b+c≤4。所述第二前体是水、胺、硼烷、和/或膦。使所述光致抗蚀剂层沉积在所述基板上方并选择性地曝光于光化辐射以形成潜在图案，并且通过将显影剂施加至经选择性曝光的光致抗蚀剂层以使所述潜在图案显影，来形成图案。
制造半导体器件方法图案形成

[发明专利]光致抗蚀剂层脱气防止-CN202110434939.9在审
发明人：陈彥儒;刘之诚;郭怡辰;李志鸿;李资良;翁明晖;郑雅如 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-04-22 - 公布日： 2021-09-07 - 主分类号： G03F7/11 文献下载
摘要：本申请涉及光致抗蚀剂层脱气防止。具体地，一种制造半导体器件的方法包括：在基板上方形成光致抗蚀剂层；以及在所述光致抗蚀剂层上方形成脱水膜。所述光致抗蚀剂层被选择性地暴露于光化辐射，以形成所述光致抗蚀剂层的暴露部分和未暴露部分。所述光致抗蚀剂层被显影以去除所述光致抗蚀剂层的所述未暴露部分和位于所述光致抗蚀剂层的所述未暴露部分上方的所述脱水膜的第一部分。在一个实施方式中，所述方法包括通过使用所述光致抗蚀剂层的所述暴露部分作为掩模来蚀刻所述基板。
光致抗蚀剂层脱气防止

[发明专利]光致抗蚀剂显影剂和制造半导体器件的方法-CN202110558121.8在审
发明人：刘朕与;翁明晖;訾安仁;张庆裕;林进祥 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-05-21 - 公布日： 2021-09-03 - 主分类号： G03F7/32 文献下载
摘要：本公开涉及光致抗蚀剂显影剂和制造半导体器件的方法。一种制造半导体器件的方法包括：在衬底上方形成光致抗蚀剂层；以及使所述光致抗蚀剂层选择性地暴露于光化辐射以形成潜在图案。所述潜在图案是通过将显影剂组合物施涂到所述选择性地暴露的光致抗蚀剂层以在所述光致抗蚀剂层中形成图案来显影的。所述显影剂组合物包括：汉森溶解度参数为18δd3、7δp1和7δh1的第一溶剂；酸解离常数pKa为‑11pKa4的有机酸；以及路易斯酸，其中所述有机酸和所述路易斯酸是不同的。
光致抗蚀剂显影剂制造半导体器件方法

[发明专利]光致抗蚀剂层表面处理、盖层和形成光致抗蚀剂图案的方法-CN202110337729.8在审
发明人：郭怡辰;刘之诚;翁明晖;魏嘉林;陈彦儒;李志鸿;郑雅如;杨棋铭;李资良;张庆裕 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-03-30 - 公布日： 2021-07-23 - 主分类号： G03F7/16 文献下载
摘要：本申请涉及光致抗蚀剂层表面处理、盖层和形成光致抗蚀剂图案的方法。具体地，一种在光致抗蚀剂层中形成图案的方法包括在基板上方形成光致抗蚀剂层，以及降低所述光致抗蚀剂层的湿气或氧气吸收特性。使所述光致抗蚀剂层选择性地暴露于光化辐射以形成潜在图案，并且通过将显影剂施加至所述经选择性暴露的光致抗蚀剂层使所述潜在图案显影以形成图案。
光致抗蚀剂层表面处理盖层形成光致抗蚀剂图案方法

[发明专利]制造半导体器件的方法-CN202110334311.1在审
发明人：魏嘉林;翁明晖;刘之诚;郭怡辰;陈彥儒;郑雅如;李志鸿;张庆裕;李资良;杨棋铭 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-03-29 - 公布日： 2021-07-13 - 主分类号： G03F7/16 文献下载
摘要：本申请涉及制造半导体器件的方法，包括在基板上方形成包括含金属的光致抗蚀剂的多层光致抗蚀剂结构。多层光致抗蚀剂结构包括两个或更多个具有不同物理参数的含金属的光致抗蚀剂层。含金属的光致抗蚀剂是第一前体和第二前体的反应产物，并且使用不同的光致抗蚀剂层形成参数形成多层光致抗蚀剂结构的每一层。不同的光致抗蚀剂层形成参数是选自由以下组成的组中的一个或多个：第一前体、第一前体的量、第二前体、第二前体的量、每个光致抗蚀剂层形成操作的时间长度以及光致抗蚀剂层的加热条件。使多层光致抗蚀剂结构选择性地暴露于光化辐射以形成潜在图案，并且通过将显影剂施加到选择性暴露的多层光致抗蚀剂结构以形成图案来使潜在图案显影。
制造半导体器件方法

[发明专利]制造半导体器件的方法-CN202110336906.0在审
发明人：刘之诚;郭怡辰;魏嘉林;翁明晖;陈彥儒;李志鸿;郑雅如;杨棋铭;李资良;张庆裕 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-03-29 - 公布日： 2021-07-13 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：本申请涉及制造半导体器件的方法，包括在基板上方形成光致抗蚀剂层。形成光致抗蚀剂层包括将第一前体和第二前体以蒸气态结合以形成光致抗蚀剂材料，其中第一前体是具有式MaRbXc的有机金属，其中M是Sn、Bi、Sb、In、Te、Ti、Zr、Hf、V、Co、Mo、W、Al、Ga、Si、Ge、P、As、Y、La、Ce或Lu中的至少一种；R为取代或未取代的烷基、烯基或羧酸酯基团；X是卤素或磺酸酯基团；并且1≤a≤2，b≥1，c≥1，并且b+c≤5。第二前体是胺、硼烷或膦中的至少一种。形成光致抗蚀剂层包括在基板上沉积光致抗蚀剂。将光致抗蚀剂层选择性地暴露于光化辐射以形成潜在图案，并通过将显影剂施加到选择性暴露的光致抗蚀剂层上以形成图案来使潜在图案显影。
制造半导体器件方法

[发明专利]制造半导体器件的方法-CN202110047011.5在审
发明人： 翁明晖;刘朕与;刘之诚;郭怡辰;魏嘉林;陈彥儒;李志鸿;郑雅如;杨棋铭;李资良;张庆裕 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-01-14 - 公布日： 2021-06-29 - 主分类号： G03F1/56 文献下载
摘要：本公开涉及制造半导体器件的方法。一种制造半导体器件的方法包括：在衬底之上形成光致抗蚀剂层，包括：在蒸汽状态下将第一前体和第二前体组合以形成光致抗蚀剂材料，以及在衬底之上沉积光致抗蚀剂材料。在光致抗蚀剂层之上形成保护层。通过保护层将光致抗蚀剂层选择性地暴露于光化辐射，以在光致抗蚀剂层中形成潜在图案。去除保护层，以及通过将显影剂施加到经选择性地暴露的光致抗蚀剂层来显影潜在图案以形成图案。
制造半导体器件方法

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