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[发明专利]半导体装置、层叠型半导体装置以及内插器基板-CN200710192720.2无效
发明人：细野真行;柴田明司;稻叶公男 -专利权人：日立电线株式会社
申请日： 2007-11-16 - 公布日： 2008-05-21 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：本发明提供应力缓和能力优良的半导体装置、层叠型半导体装置以及用于该半导体装置的内插器基板，所述的应力产生于内插器基板和印刷配线板(母板)之间，或者层叠型半导体装置的半导体装置之间。BGA型半导体装置(20)具备含有绝缘基板(1)和配线图案(2)的内插器基板(3)、半导体元件(4)、接合半导体元件(4)和内插器基板(3)之间的连接层(5)以及在内插器基板(3)上配置的焊球(8)，绝缘基板(1)的在半导体元件(4)的外侧配置的焊球(8)的搭载部弯曲，以形成可折叠部(1a)，绝缘基板(1)的未弯曲部分和弯曲部分相对，以形成空隙(22)。
半导体装置层叠以及内插器基板

[发明专利]半导体器件模块和制备半导体器件模块的方法-CN201010250699.9无效
发明人：高田理映 -专利权人：富士通株式会社
申请日： 2010-08-06 - 公布日： 2011-03-30 - 主分类号： H01L25/00 文献下载
摘要：本发明公开了半导体器件模块和制备半导体器件模块的方法。半导体器件模块包括：第一基板层，在第一基板层上表面安装第一半导体器件；第二基板层，第二基板层是层叠在第一基板层的没有表面安装第一半导体器件的那侧上的层，第二半导体器件表面安装在第二基板层的并非第一基板层那侧的表面上；以及中空部分，中空部分是夹在第一基板层和第二基板层之间并且形成在表面安装有第一半导体器件和第二半导体器件的区域的背侧的空间。
半导体器件模块制备方法

[发明专利]快速高温处理的方法与系统-CN200510002871.8无效
发明人：麦凯玲;杨铭和;李资良;陈世昌;聂俊峰 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2005-01-27 - 公布日： 2006-02-15 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明是一种快速高温处理的方法与系统，所述半导体基板的快速高温处理的方法包括将热源发出的热能导至半导体基板的背面，本发明亦揭露半导体基板的快速高温处理的系统。本发明的效果在于热源发出的辐射热能被导至半导体基板的背面，而半导体基板的正面未被辐射热能所照射，于是，半导体基板正面的图案不会影响到热流的均匀性，再者，由于热源并未安置于半导体基板的正面，便可在半导体基板的正面设置一高温计，由此可以准确地量测半导体基板正面的实际温度，以对热源的个别加热灯管所发射的辐射热能进行实时控制，而达成热能均匀分布。
快速高温处理方法系统

[发明专利]半导体结构-CN202011051566.9在审
发明人：周钰杰;林琮翔 -专利权人：世界先进积体电路股份有限公司
申请日： 2020-09-29 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：一种半导体结构，包括基板、半导体磊晶层、半导体阻障层、第一半导体元件、绝缘掺杂区、及至少一绝缘柱。基板包括基材和复合材料层，半导体磊晶层设置于基板上，半导体阻障层设置于半导体磊晶层上。第一半导体元件设置于基板上，其中第一半导体元件包括位于半导体阻障层上的第一半导体盖层。绝缘掺杂区位于第一半导体元件的一侧。至少部分的绝缘柱位于绝缘掺杂区内，绝缘柱围绕至少部分第一半导体元件且贯穿复合材料层。
半导体结构

[发明专利]一种半导体装置巨量转移方法和系统-CN201980004188.8在审
发明人：汪楷伦;许时渊;洪温振 -专利权人：重庆康佳光电技术研究院有限公司
申请日： 2019-12-03 - 公布日： 2021-08-06 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：一种半导体装置的巨量转移方法和系统，其中方法包括：提供形成于原生基板(100)的半导体装置(200)；提供涂布有黏着层(30)的中转基板(10)，黏着层(30)的粘性与温度大小成正比；将半导体装置(200)远离原生基板(100)的一侧与黏着层(30)粘贴以将半导体装置(200)粘贴于黏着层(30)；从半导体装置(200)剥离原生基板(100)，且在剥离过程中黏着层(30)温度增加；利用转移装置(20)抓取半导体装置(200)以使半导体装置(200)从中转基板(10)剥离；利用转移装置(20)将半导体装置(200)转移至目标基板(300)，以将半导体装置(200)安装于目标基板(300)。
一种半导体装置巨量转移方法系统

[实用新型]光电转换装置-CN201120176094.X有效
发明人：章灵军;吴坚;张凤;王栩生 -专利权人：苏州阿特斯阳光电力科技有限公司
申请日： 2011-05-27 - 公布日： 2012-04-18 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种光电转换装置，具有受光面和背光面，主要包括：任意导电类型的半导体基板，贯穿半导体基板的孔洞，以及设置于半导体基板受光面和孔洞内壁上与半导体基板导电类型相反的半导体。通过本实用新型公开的光电转换装置，仅在受光面处的半导体基板和贯穿该半导体基板的孔洞内壁上，设置与该半导体基板导电类型相反的半导体，在两者相互作用下构成可实现将受光面上的光转换为电的结构，同时增加光电转换效率
光电转换装置

[发明专利]晶片级分割的方法和系统-CN201280009324.0有效
发明人：克劳斯·许格拉夫;塞沙德里·拉马斯瓦米;迈克尔·R·赖斯;莫森·S·塞莱克;克拉斯·H·比约克曼 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2012-02-17 - 公布日： 2013-10-23 - 主分类号： H01L21/78 文献下载
摘要：本发明公开一种分割多个半导体小晶片的方法，该方法包括：提供载体基板；和将半导体基板接合至该载体基板。该半导体基板包括多个器件。该方法还包括：在该半导体基板上形成掩模层；曝光该掩模层的预定部分；和处理该掩模层的该预定部分，以在该半导体基板上形成预定掩模图案。该方法进一步包括：形成多个半导体小晶片，所述多个半导体小晶片的每一个半导体小晶片与该预定掩模图案相结合并包括多个器件的一个或多个器件；和从该载体基板分离所述多个半导体小晶片。
晶片分割方法系统

[外观设计]半导体基板评估装置-CN202130289717.3有效
发明人：荒川正之;保刈纯平;小岛昭;水落真树;小林友和;菊池贵朗 -专利权人：株式会社日立高新技术
申请日： 2021-05-14 - 公布日： 2021-09-28 - 主分类号： 14-99 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：半导体基板评估装置。2.本外观设计产品的用途：本产品为一种半导体基板评估装置，其应用于半导体制造领域中。当将包含有检查半导体基板的单独半导体基板盒放置在半导体基板盒承载台上时，半导体基板被传送到本产品的测量（评估）单元并对半导体基板形成的模式尺寸进行测量（评估）。5.在标示出各部名称参考图中，C‑吸气孔，D‑半导体基板搬送入口门，E‑半导体基板盒承载台，F‑搬送单元，G‑测量单元（评估单元）。
半导体评估装置

[发明专利]半导体功率模块、半导体功率模块的制造方法、电路板-CN201280037978.4无效
发明人：高山泰史 -专利权人：日本特殊陶业株式会社
申请日： 2012-07-31 - 公布日： 2014-04-16 - 主分类号： H01L23/36 文献下载
摘要：本发明的半导体功率模块能够提高从半导体元件向多层基板的热扩散性能、以及提高多层基板与半导体元件之间的接合强度。半导体功率模块（10）包括：陶瓷多层基板（100）、接合层（110）、扩散层（120）、半导体元件（130）。接合层（110）是包括导电接合部（111）和绝缘接合部（112）的平面状的薄膜层；上述导电连接部（111）配置在陶瓷多层基板（100）的第1面（105）上，用于将半导体元件（130）与陶瓷多层基板（100）之间电连接；上述绝缘接合部（112）用于将半导体元件（130）与陶瓷多层基板（100）之间绝缘。这样，能够抑制在半导体元件（130）与陶瓷多层基板（100）之间产生空隙的同时进行接合，能够提高从半导体元件（130）向陶瓷多层基板（100）的热扩散性能、以及陶瓷多层基板（100）与半导体元件（130
半导体功率模块制造方法电路板

[实用新型]一种改进的半导体制冷器-CN201621424649.7有效
发明人：梁永诒 -专利权人：佛山市顺德区奥达信电器有限公司
申请日： 2016-12-23 - 公布日： 2017-08-08 - 主分类号： F25B21/02 文献下载
摘要：本实用新型公开一种改进的半导体制冷器，包括半导体制冷片，半导体制冷片由上基板和下基板，以及阵列设置在上基板和下基板之间的多组P‑N结半导体组成，所述上基板和下基板的边缘处按设置有密封环绕层，上基板和下基板之间的密封环绕层内设置有真空绝缘区域，多组P‑N结半导体设置在真空绝缘区域内，增加真空绝缘区域能减少半导体制冷片的上基板和下基板通过空气互相传递热量，使制冷片的导热更加稳定，使半导体制冷片冷热端的温度差更大，提高半导体制冷片的制冷效果和制冷速度
一种改进半导体制冷

[发明专利]一种化合物半导体的背面脱离工艺-CN202210975686.0在审
发明人：严立巍;马晴;刘文杰;林春慧 -专利权人：中晟鲲鹏光电半导体有限公司;浙江同芯祺科技有限公司
申请日： 2022-08-15 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本发明涉及半导体加工技术领域，具体的是一种化合物半导体的背面脱离工艺，本发明包括S1将多个化合物半导体基板背面通过碳沉积反应永久键合在耐高温载板上，完成化合物半导体基板正面的晶圆制程；S2采用透明有机薄膜填充化合物半导体基板空隙，完成正面平坦化，然后将化合物半导体基板正面暂时键合玻璃载板；S3通过激光穿透玻璃载板与透明有机薄膜，将化合物半导体基板与耐高温载板之间以及化合物半导体基板与化合物半导体基板之间键合的碳打断；本发明通过碳沉积反应将化合物半导体基板的背面键合在耐高温基板上，然后通过激光可以将键合的碳打断，从而可以直接将化合物半导体基板与耐高温基板分离，方便快捷，提高了分离的效率。
一种化合物半导体背面脱离工艺

[发明专利]包含柔性翼互连基板的半导体封装-CN201610134264.5有效
发明人：申熙珉;金美英 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2016-03-09 - 公布日： 2019-09-13 - 主分类号： H01L23/525 文献下载
摘要：包含柔性翼互连基板的半导体封装。一种半导体封装包括：第一半导体封装；第二半导体封装，所述第二半导体封装设置在所述第一半导体封装上；以及柔性翼互连基板，所述柔性翼互连基板设置在所述第一半导体封装和所述第二半导体封装之间。
包含柔性互连半导体封装

[发明专利]半导体装置-CN202180006221.8在审
发明人：吉田崇一 -专利权人：富士电机株式会社
申请日： 2021-04-28 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：提供一种半导体装置，其具备：晶体管部，其设置于半导体基板，并在半导体基板的正面侧具有第一导电型的发射区，在半导体基板的背面侧具有第二导电型的集电区；二极管部，其设置于半导体基板，并在半导体基板的背面侧具有第一导电型的阴极区；多个沟槽部，其在与半导体基板的正面平行的面上，以沿预先设定的延伸方向延伸的方式设置；以及发射电极，其设置于半导体基板的上方，并与半导体基板的正面电连接，将从用于将发射电极与半导体基板的正面电连接的接触孔的延伸方向上的端部朝向半导体基板的背面的直线设为第一垂线，将相对于第一垂线呈预先设定的角度θ1并且通过接触孔的延伸方向上的端部E1的直线设为第一直线，第一直线与半导体基板的背面相交的位置M1在延伸方向上位于阴极区的外侧。
半导体装置

[实用新型]包括阶梯型基板的半导体封装-CN201521055801.4有效
发明人：李圭远;文起一;韩喆友 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2015-12-17 - 公布日： 2016-05-11 - 主分类号： H01L23/13 文献下载
摘要：包括阶梯型基板的半导体封装。本文公开了半导体封装。一种半导体封装可以包括基板，所述基板被构造为包括第一表面和与所述第一表面相反的第二表面，并且具有在所述第一表面中形成的凹口。所述半导体封装可以包括在所述凹口的底部设置的第一半导体芯片。所述半导体封装可以包括在所述基板的所述第二表面上设置的第二半导体芯片。所述半导体封装可以包括在所述基板的所述第一表面和所述第一半导体芯片的上方设置的第三半导体芯片。所述半导体封装可以包括在所述第三半导体芯片上方设置的第四半导体芯片。
包括阶梯型基板半导体封装

[发明专利]半导体封装和制造半导体封装的方法-CN201911051504.5在审
发明人：柳世镇;朱洪燮;韩元吉 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-10-30 - 公布日： 2020-06-23 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：在一种制造半导体封装的方法中，在封装基板上布置第一半导体器件。在从封装基板的上表面暴露的至少一个接地基板焊盘上形成静电放电结构。在封装基板上叠置与第一半导体器件间隔开的多个第二半导体器件，静电放电结构介于第一半导体器件和该多个第二半导体器件之间。在封装基板上形成模制构件以覆盖第一半导体器件和该多个第二半导体器件。
半导体封装制造方法