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[发明专利]堆叠半导体封装-CN201110032607.4有效
发明人：裵振浩;金基永;南宗铉 -专利权人：海力士半导体有限公司
申请日： 2011-01-30 - 公布日： 2011-08-24 - 主分类号： H01L25/00 文献下载
摘要：一种堆叠半导体封装，包括支撑半导体芯片模块的主基板，其中该半导体模块包括至少两个子半导体芯片模块，子半导体芯片模块每一个都具有其中埋设第一半导体芯片的子基板和堆叠在子基板上的至少两个第二半导体芯片。
堆叠半导体封装

[发明专利]氮化物半导体发光元件和装置及其制造方法-CN201210303036.8有效
发明人：翁宇峰 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2012-08-23 - 公布日： 2013-03-06 - 主分类号： H01L33/10 文献下载
摘要：本发明提供一种氮化物半导体发光元件、氮化物半导体发光装置以及氮化物半导体发光元件的制造方法。该氮化物半导体发光装置包括氮化物半导体发光元件、封装基板和透光的树脂密封部分。该氮化物半导体发光元件包括基板、具有发光层的氮化物半导体多层部分以及保护层。氮化物半导体多层部分设置在基板上。保护层设置在氮化物半导体多层部分的上部上。树脂密封部分密封安装在封装基板上的氮化物半导体发光元件。气隙层形成在氮化物半导体发光元件中的基板和发光层之间的区域、氮化物半导体发光元件中的发光层和保护层之间的区域以及封装基板中的区域至少之一中。
氮化物半导体发光元件装置及其制造方法

[发明专利]半导体发光元件的制造方法以及半导体发光元件-CN200980152312.1无效
发明人：樱井哲朗 -专利权人：昭和电工株式会社
申请日： 2009-12-17 - 公布日： 2011-11-30 - 主分类号： H01L33/32 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体发光元件的制造方法，其中该制造方法具有使用由与构成半导体层的材料不同的材料形成的基板，并在该基板上成膜出III族化合物半导体层的工序，能够减小所得到的半导体发光层的发光波长分布σ。本发明提供的半导体发光元件的制造方法，是制造具有III族化合物半导体层的半导体发光元件的方法，其特征在于，具有：化合物半导体基板形成工序，该工序在基板上成膜出至少一层化合物半导体层，形成翘曲量H在50μm≤H≤250μm的范围的化合物半导体基板；和发光层形成工序，该工序在所形成的所述化合物半导体基板上形成包含多个III族化合物半导体层的发光层。
半导体发光元件制造方法以及

[发明专利]半导体芯片和包括半导体芯片的半导体封装-CN201910212737.2有效
发明人：吴承桓;吴琼硕;金吉洙 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-03-20 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： H01L25/065 文献下载
摘要：半导体封装可以包括封装基板、位于封装基板上的第一半导体芯片以及位于第一半导体芯片上的第二半导体芯片。第一半导体芯片包括：芯片基板，包括第一表面和与第一表面相对的第二表面；多个第一芯片焊盘，位于封装基板和芯片基板的第一表面之间，并且将第一半导体芯片电连接到封装基板；多个第二芯片焊盘，设置于芯片基板的第二表面上，并且位于第二半导体芯片与芯片基板的第二表面之间；多个再分布线，位于芯片基板的第二表面上，再分布线电连接至第二半导体芯片；多个接合线，将再分布线电连接至封装基板。
半导体芯片包括封装

[发明专利]半导体发光元件的制造方法-CN200780018659.8无效
发明人：相原正巳 -专利权人：阿尔卑斯电气株式会社
申请日： 2007-05-22 - 公布日： 2009-06-03 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明涉及半导体发光元件的制造方法，提供容易且低成本地制造一种半导体层的晶体质量良好、光的提取效率高的倒装芯片结构的半导体发光元件的方法。在表面平滑地形成的蓝宝石基板(21)的一个面上形成半导体层(1)。在半导体层(1)的电极形成面侧安装支撑基板(22)。将半导体层1的表层部分熔化而将蓝宝石基板从蓝宝石基板(21)与半导体层(1)的界面剥离，并露出半导体层。在露出的半导体层(1)的表层部分为熔化的状态下，将形成了凹凸或者条状的槽(3)按压在该半导体层(1)的表层部分，将形成在支持基板(2)上的凹凸或者条状的槽(3)转印在半导体层(1)的表层部分，将支撑基板(22)从半导体层(1)和支持基板(22)的界面剥离。
半导体发光元件制造方法

[发明专利]半导体制程方法-CN201110122196.8有效
发明人：吴耀铨;王宝明;萧丰庆 -专利权人：财团法人交大思源基金会
申请日： 2011-05-12 - 公布日： 2012-09-19 - 主分类号： H01L21/78 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体制程方法，包含下列步骤：提供一成长基板；在该成长基板上形成一半导体基板；在该半导体基板与该成长基板之间形成一第一凹凸结构；以及改变该成长基板与该半导体基板的温度。
半导体方法

[发明专利]一种半导体封装件及其生产方法-CN202311167514.1在审
发明人：王晓;任真伟 -专利权人：深圳平创半导体有限公司;重庆平创半导体研究院有限责任公司
申请日： 2023-09-12 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L23/492 文献下载
摘要：本发明属于半导体技术领域，具体涉及一种半导体封装件及其生产方法。该半导体封装件包括半导体芯片、铜箔和电路基板，半导体芯片和电路基板的至少部分表面上设有镀层；半导体芯片的镀层中含过渡金属，电路基板的镀层中含金属和/或金属氧化物；铜箔通过铜与半导体芯片的镀层中包含的过渡金属形成金属键，进而与半导体芯片键合；铜箔通过铜与电路基板的镀层中包含的金属和/或金属氧化物形成金属键，进而与电路基板键合。本发明中，铜与半导体芯片及电路基板上的镀层中包含的金属和/或金属氧化物形成金属键，进而实现铜箔与半导体芯片及电路基板之间的键合，铜箔与半导体芯片及电路基板之间的结合强度高。
一种半导体封装及其生产方法

[发明专利]用于制造半导体器件的方法-CN201811365763.0在审
发明人： A.莫泽;M.达伊内塞;M.金勒;H-J.舒尔策 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2018-11-16 - 公布日： 2019-05-24 - 主分类号： H01L21/786 文献下载
摘要：用于制造半导体器件的方法包括提供具有第一侧的单晶半导体基板（10）；在半导体基板（10）中第一侧处形成多个凹槽结构（12a）；利用介电材料填充凹槽结构（12a）以在凹槽结构（12a）中形成介电岛（12）；在半导体基板（10）的第一侧上形成半导体层（13）以覆盖介电岛（12）；以及使半导体层（13）经受加热处置并使半导体层（13）再结晶。再结晶半导体层的晶体结构适配于半导体基板的晶体结构。半导体基板（10）和半导体层（13）一起形成具有介电岛（12）的复合晶圆，所述介电岛（12）至少部分地埋在复合晶圆的半导体材料中。
半导体层半导体基板介电凹槽结构半导体器件晶体结构复合晶再结晶单晶半导体基板半导体材料介电材料填充地埋适配加热制造覆盖

[发明专利]半导体激光元件-CN201310636851.0有效
发明人：三好隆 -专利权人：日亚化学工业株式会社
申请日： 2013-12-02 - 公布日： 2019-06-07 - 主分类号： H01S5/323 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体激光元件，能够在使用了由氮化物半导体构成的基板的半导体激光元件中良好地限制光来降低FFP的脉动。半导体激光元件在由GaN构成的基板之上具有由氮化物半导体构成且折射率高于基板的发光层，在基板与发光层之间从基板的一侧起依次具有：由AlGaN构成的第一氮化物半导体层；由Al组成比大于第一氮化物半导体层的AlGaN构成的第二氮化物半导体层；由InGaN构成的第三氮化物半导体层；和由Al组成比大于第一氮化物半导体层的AlGaN构成、且膜厚大于第二氮化物半导体层的第四氮化物半导体层。
半导体激光元件

[发明专利]半导体装置-CN201410181198.8有效
发明人：畑田出穂;大鸟居英;冈修一;柳川周作 -专利权人：索尼公司
申请日： 2014-04-30 - 公布日： 2019-04-05 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明涉及半导体装置，该半导体装置包括：基底基板，在所述基底基板上布置有基板电极；以及半导体元件，所述半导体元件包括通过焊料与所述基板电极电连接的芯片电极，且在所述半导体元件的下表面侧上形成有光吸收层。根据本发明，可利用激光束来移除半导体元件，且无需覆盖光吸收材料。这样，在不增加制造成本的情况下，可从半导体装置中仅移除失效半导体元件。
半导体装置

[发明专利]复合基板的制造方法及复合基板-CN201280045370.6无效
发明人：高田朋幸;山田永;秦雅彦;前田辰郎;板谷太郎;安田哲二 -专利权人：住友化学株式会社;独立行政法人产业技术综合研究所
申请日： 2012-09-21 - 公布日： 2014-05-21 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：本发明提供一种具备半导体结晶层的复合基板的制造方法，包括：在半导体结晶层形成基板上依次形成牺牲层及半导体结晶层的步骤；将半导体结晶层形成基板与转印目的基板相贴合，使得半导体结晶层形成基板的第一表面与转印目的基板的要与第一表面相接触的第二表面相面对；将半导体结晶层形成基板及转印目的基板的全部或一部分浸渍于刻蚀液中对牺牲层进行刻蚀，在使半导体结晶层保留在转印目的基板侧的状态下将转印目的基板与半导体结晶层形成基板相分离的步骤。此处，转印目的基板具有非柔性基板和有机物层，有机物层的表面为第二表面。
复合制造方法

[发明专利]光半导体元件、光半导体装置、光传输系统以及光半导体装置的制造方法-CN201980088132.5在审
发明人：稻田智志;大野健一;皆见健史;村上朱实;早川纯一朗;大塚勤 -专利权人：富士胶片商业创新有限公司
申请日： 2019-12-03 - 公布日： 2021-11-26 - 主分类号： H01L31/02 文献下载
摘要：光半导体元件具备：半绝缘性的半导体基板；柱状体，其形成于半导体基板的正面侧，从正面侧射出光或接受光；与柱状体连接的正面侧的电极；形成于半导体基板的背面侧的背面侧的电极；导电部件，其贯通半导体基板，对正面侧的电极与背面侧的电极进行连接，并且具有向半导体基板的正面侧突出的突出部。
半导体元件装置传输系统以及制造方法

[发明专利]半导体装置-CN200880011773.2无效
发明人：熊野畅;中川英二 -专利权人：罗姆股份有限公司
申请日： 2008-04-11 - 公布日： 2010-02-24 - 主分类号： H01L21/822 文献下载
摘要：本发明提供一种能够提高装置整体的耐压的半导体装置。半导体装置包含：半导体基板；形成于所述半导体基板表层部的pMOS；形成于所述半导体基板的表层部并在电源与地线之间与所述pMOS串联连接的nMOS；和基板电位控制电路，用于控制所述半导体基板的背面的电位为比地线电位高且比所述电源的电位低的中间电位
半导体装置

[发明专利]半导体封装件及其制法-CN201310015592.X有效
发明人：黄富堂;柯俊吉 -专利权人：矽品精密工业股份有限公司
申请日： 2013-01-16 - 公布日： 2017-11-10 - 主分类号： H01L23/552 文献下载
摘要：一种半导体封装件及其制法，该半导体封装件，包括基板；第一半导体组件，其设于该基板上，且该第一半导体组件具有接地连接该基板的第一电性连接垫；形成于该第一半导体组件上的导电层，且该导电层电性连接该基板；第二半导体组件，其通过该导电层设于该第一半导体组件上；以及形成于该基板上的封装胶体，使该第一半导体组件及第二半导体组件嵌埋于该封装胶体中，以利用导电层电性连接该基板的接地垫达到电磁屏蔽的效果。
半导体封装及其制法

[发明专利]基板及半导体磊晶结构的雷射分离方法-CN202110240272.9在审
发明人：林俊成;谢宗桦 -专利权人：鑫天虹(厦门)科技有限公司
申请日： 2021-03-04 - 公布日： 2022-09-06 - 主分类号： B23K26/38 文献下载
摘要：本发明为一种基板及半导体磊晶结构的雷射分离方法，主要提供至少一半导体装置，其中半导体装置包括一基板及至少一半导体磊晶结构的层迭。以一雷射照射半导体装置的一边缘区域，并分离位于边缘区域的基板与半导体磊晶结构。通过一压合装置压迫半导体装置的边缘区域，而后以雷射照射半导体装置的一内部区域，并分离位于内部区域的基板与半导体磊晶结构，其中分离内部区域的基板及半导体磊晶结构时所产生的气体会由边缘区域排出，以防止在分离过程中对半导体磊晶结构造成损伤
半导体结构雷射分离方法