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[发明专利]半导体用粘接剂、半导体装置以及制造该半导体装置的方法-CN201680062779.7有效
发明人：本田一尊;茶花幸一;小野敬司;永井朗 -专利权人：昭和电工材料株式会社
申请日： 2016-10-26 - 公布日： 2021-07-20 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：公开了一种制造半导体装置的方法，半导体装置具备：半导体芯片；基板及/或另外的半导体芯片；以及介于它们之间的粘接剂层。该方法包括下述工序：通过将具有半导体芯片、基板、另外的半导体芯片或半导体晶片、以及粘接剂层的层叠体用暂时压接用按压构件夹持来进行加热以及加压，由此将基板、另外的半导体芯片或半导体晶片暂时压接在半导体芯片上；通过将层叠体用不同于暂时压接用按压构件的另外准备的正式压接用按压构件夹持来进行加热以及加压，由此将半导体芯片的连接部与基板或另外的半导体芯片的连接部进行连接。
半导体用粘接剂装置以及制造方法

[发明专利]半导体装置-CN201811429595.7在审
发明人：榊原明徳 -专利权人：丰田自动车株式会社
申请日： 2018-11-28 - 公布日： 2019-06-04 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：本发明是一种半导体装置。半导体装置具备：半导体元件；绝缘基板，其配置有半导体元件；以及外部连接端子，其经由绝缘基板而与半导体元件电连接。绝缘基板具有：绝缘层；内侧导体层，其位于绝缘层的一侧并与半导体元件电连接；以及外侧导体层，其位于绝缘基板的另一侧。外部连接端子沿着其长边方向具有薄壁区间和厚度比薄壁区间大的厚壁区间，且在薄壁区间与绝缘基板的内侧导体层接合。
绝缘基板半导体元件半导体装置导体层薄壁绝缘层外部连接端子电连接接合厚度比长边厚壁配置

[发明专利]半导体装置和半导体装置的制造方法-CN202080024662.6在审
发明人：阿形泰典;吉村尚;泷下博;目黑美佐稀;根本道生;安喰彻;小野泽勇一 -专利权人：富士电机株式会社
申请日： 2020-09-15 - 公布日： 2021-11-09 - 主分类号： H01L29/36 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体装置，其具备具有上表面和下表面并包含体施主的半导体基板，半导体基板的深度方向上的氢化学浓度分布除了设置有局部的氢浓度峰的部分以外，从下表面到上表面为止是平坦的且单调地增加或单调地减小，半导体基板的施主浓度遍及从上表面到下表面为止的整个半导体基板而高于体施主浓度。可以以在深度方向上贯穿半导体基板的方式从半导体基板的上表面或下表面照射氢离子。
半导体装置制造方法

[发明专利]半导体封装-CN202110270222.5在审
发明人：金喆禹 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-03-12 - 公布日： 2021-11-26 - 主分类号： H01L23/13 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体封装，该半导体封装包括封装基板、在封装基板上的半导体芯片以及在封装基板和半导体芯片之间的多个底部填充物。封装基板包括形成在封装基板中的沟槽和分别在沟槽的两侧的多个坝。在半导体封装的其中封装基板提供基础参考水平的剖视图中，所述多个坝的顶表面可以位于比半导体芯片的底表面低的水平处。
半导体封装

[发明专利]半导体装置的制造方法以及半导体装置-CN201880037604.X有效
发明人：清井明 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2018-04-24 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：在步骤(T1)中，从半导体基板的背面进行受主离子的注入。在步骤(T2)中，通过进行将半导体基板浸渍到含氢氟酸的药液的湿处理，对半导体基板导入氢原子。在步骤(T3)中，通过对半导体基板的背面照射质子，对半导体基板导入氢原子，并且形成照射缺陷。在步骤(T4)中，通过对半导体基板进行退火处理，氢原子和照射缺陷反应而形成氢关联施主，并且照射缺陷减少。
半导体装置制造方法以及

[发明专利]液晶显示器和液晶投影机-CN200710108170.1有效
发明人：市川武史 -专利权人：佳能株式会社
申请日： 2007-05-30 - 公布日： 2007-12-05 - 主分类号： G02F1/13 文献下载
摘要：将多个液晶调制电极以矩阵形式布置在半导体基板28上，将具有透明电极23的透光基板47与半导体基板层压在一起并在两者之间夹置液晶，半导体基板连接到电连接到外部的柔性印刷板25，透明电极不通过半导体基板而连接到柔性印刷板的布线，而布线连接到半导体基板，由此透明电极电连接到半导体基板。半导体基板28提供有防静电保护电路，并且透明电极通过布线连接到防静电保护电路。
液晶显示器液晶投影机

[发明专利]包括层叠基板的半导体装置及制造该半导体装置的方法-CN202110153230.1在审
发明人：金基范;金钟薰 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2021-02-04 - 公布日： 2021-11-30 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：本发明提供一种包括层叠基板的半导体装置及制造该半导体装置的方法。一种半导体装置包括垂直层叠在第一半导体基板上的第二半导体基板。第一半导体基板包括覆盖第一半导体基板主体的第一表面的第一扩散阻挡层、以及具有暴露于第一扩散阻挡层的第二表面的第三表面的第一通孔。第二半导体基板包括第二半导体基板主体、直接接合到第一扩散阻挡层的第二表面的第二扩散阻挡层、以及具有比第一通孔的第三表面更小的表面面积并直接接合至第一通孔的第三表面的前焊盘。
包括层叠半导体装置制造方法

[发明专利]用于制造SOI基板及半导体器件的方法-CN200810166534.6有效
发明人：山崎舜平;大沼英人;饭漥阳一;山本孔明;牧野贤一郎 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2008-10-10 - 公布日： 2009-04-15 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：提供一种用于制造设置有甚至当使用了诸如玻璃基板等等之类的具有低耐热温度的基板时仍可实际使用的半导体层的SOI基板的方法。该半导体层通过以下步骤转变为支撑基板：用离子从一表面的离子照射半导体晶片以形成损伤层；在该半导体晶片的一表面上形成绝缘层；使支撑基板的一表面附着到形成在半导体晶片上的绝缘层上，并进行热处理以将该支撑基板结合到半导体晶片上；以及在损伤层处分离为半导体晶片和支撑基板。通过湿法刻蚀和用激光束照射半导体层的表面去除在半导体层上部分剩余的损伤层。
用于制造 soi 半导体器件方法

[发明专利]半导体装置的制造方法-CN200410044785.9无效
发明人：佐佐木薰;山本佳司 -专利权人：三洋电机株式会社
申请日： 2004-05-18 - 公布日： 2005-02-02 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：本发明提供一种使半导体装置薄型化的制造方法。在半导体基板(10)的表面的各区域(10A)中形成集成电路。对半导体基板(10)进行机械研磨，以便保留为比缺陷从半导体基板(10)的背面到达表面的深度还厚。接着，根据主要利用化学反应的蚀刻，至少要再削薄机械研磨工序后的所述半导体基板(10)的背面的凹凸量的厚度。这样，通过使半导体基板(10)的背面更平滑，从而在以后的工序中，即使在利用绝缘树脂层(12)，将下部支撑基体(16)粘接固定在半导体基板(10)的背面上，以形成层叠体时，也可以使应力不集中到半导体基板(10)的背面的凹凸部分上，从而可以提高半导体装置的动作的可靠性。
半导体装置制造方法

[发明专利]半导体元件及其制造方法-CN201180037298.8有效
发明人：门胁嘉孝;丰田达宪 -专利权人：同和电子科技有限公司
申请日： 2011-07-26 - 公布日： 2013-04-10 - 主分类号： H01L33/32 文献下载
摘要：本发明提供一种不会在分离时由于化合物半导体层的内部应力而生成化合物半导体层裂纹的半导体元件及其制造方法。一种半导体元件的制造方法，其是具备在支撑基板（30）上接合有半导体层的结构的半导体元件制造方法，其具备在生长基板（11）上经由分离层（12）来形成由半导体层构成的元件区域（15a）的元件区域形成工序、在生长基板上形成柱状物（21）的柱状物形成工序、在支撑基板接合半导体层以及柱状物上部的接合工序、通过去除分离层使半导体层下表面与生长基板分离，并且不让柱状物与生长基板分离的分离工序，以及将柱状物与支撑基板分离的工序。
半导体元件及其制造方法

[实用新型]半导体组件-CN201420645843.2有效
发明人：蓝诚宇;王亮;徐文辉 -专利权人：比亚迪股份有限公司
申请日： 2014-10-31 - 公布日： 2015-03-25 - 主分类号： H01L23/367 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种半导体组件，包括：第一基板和第二基板，第一基板和第二基板沿上下方向间隔开设置，第一基板和第二基板上分别设有第一主电极和第二主电极；半导体芯片，半导体芯片设在第一基板和/或第二基板上且位于第一基板和第二基板之间；金属块，金属块的一侧与半导体芯片相连，另一侧与第一基板或第二基板相连；多个信号电极，第一主电极和第二主电极与第一基板和第二基板之间、半导体芯片与第一基板或第二基板之间、金属块与半导体芯片和第一基板或第二基板之间、信号电极与第一基板和/或第二基板之间分别通过金属连接层相连。根据本实用新型的半导体组件，半导体芯片产生的热量可以通过第一基板和第二基板散热，提高了散热效率。
半导体组件

[发明专利]半导体集成电路、电子设备、固态摄像装置和摄像装置-CN201110248188.8有效
发明人：工藤义治 -专利权人：索尼公司
申请日： 2011-08-26 - 公布日： 2012-03-21 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明涉及半导体集成电路、电子设备、固态摄像装置和摄像装置。它们均包括：第一半导体基板，在所述第一半导体基板中形成模拟电路和数字电路之中的所述模拟电路的一部分，所述数字电路对输出自所述模拟电路的模拟输出信号进行数字转换；第二半导体基板，在所述第二半导体基板中形成所述模拟电路的其余部分和所述数字电路；和基板连接部，其将所述第一半导体基板和所述第二半导体基板彼此连接，其中，所述基板连接部将所述第一半导体基板中的所述模拟电路的所述一部分产生的模拟信号传输到所述第二半导体基板。根据本发明，能够抑制由于多个电路块划分到多个芯片而导致的基板总面积的增加。
半导体集成电路电子设备固态摄像装置

[发明专利]半导体器件安装装置-CN202011585355.3在审
发明人：崔伦华;朴廷敏 -专利权人： JMJ韩国株式会社
申请日： 2020-12-28 - 公布日： 2021-10-22 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件安装装置。该半导体器件安装装置包括：基板装载单元(111)，其供应排列有半导体单元(11)的基板(10)；一个或多个半导体器件装载器，其供应半导体器件；第一视觉检测单元(130)，其检测半导体单元(11)的排列状态；一个或多个半导体器件拾取器，其将半导体器件安装在半导体单元(11)上；一个或多个粘合剂固化单元(150)，其固化介于半导体单元(11)和半导体器件之间的粘合剂并进行安装；基板卸载单元(160)，其取出安装有半导体器件的基板其中，粘合剂固化单元(150)将热源仅有限地传递到一个或多个要固化的半导体单元(11)，从而在基板(10)上每个被提供热源的半导体单元(11)与没有被提供热源的半导体单元(11)产生温差。
半导体器件安装装置

[发明专利]半导体基板结构及其制造方法-CN201811181955.6有效
发明人：卢智宏;蔡明洁;张杰雄 -专利权人：奕力科技股份有限公司
申请日： 2018-10-11 - 公布日： 2022-10-04 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体基板结构，包括半导体元件基板以及黏着组件。半导体元件基板具有主动面以及位于主动面上的多个凹陷。黏着组件包括黏着层以及底膜，且黏着层填入多个凹陷中，以使半导体元件基板与黏着组件彼此接合。本发明还提供一种半导体基板结构的制造方法。
半导体板结及其制造方法

[发明专利]半导体基板制造方法-CN200680030873.0有效
发明人：八百隆文;曹明焕 -专利权人：东北技术使者株式会社
申请日： 2006-08-24 - 公布日： 2008-08-20 - 主分类号： C30B29/38 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体基板制造方法，本发明的第1技术方案的半导体基板制造方法，其特征在于，该半导体基板制造方法包含：准备基底基板的准备工序；在上述基底基板上叠层至少2层多重层的叠层工序，该多重层包含剥离层及半导体层；分离上述半导体层的分离工序。
半导体制造方法