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[发明专利]半导体器件-CN202080083144.1在审
发明人：藤永阳一郎;铃木优美;大上丞 -专利权人：索尼半导体解决方案公司
申请日： 2020-10-08 - 公布日： 2022-07-12 - 主分类号： H01L23/38 文献下载
摘要：提供一种可以减小尺寸并且包括珀耳帖元件的半导体器件。该半导体器件包括半导体基板和面向该半导体基布置的珀耳帖元件。该珀耳帖元件具有第一基板和布置在第一基板与半导体基板之间的热电半导体。该半导体基板具有设置在面向该第一基板的表面侧的第一电极。该第一基板具有设置在面向该半导体基板的表面侧的第二电极。第一电极和第二电极均连接至热电半导体。
半导体器件

[发明专利]光检测器-CN201980021327.8在审
发明人：杉浦裕树;井上晓登 -专利权人：松下知识产权经营株式会社
申请日： 2019-03-12 - 公布日： 2020-11-06 - 主分类号： H01L31/107 文献下载
摘要：固体摄像元件(100)具备：P型的半导体基板(10)；N型的第一半导体层(11)，位于半导体基板(10)的上方，在第一区域(A1)中与半导体基板(10)接合；以及N型的第二半导体层(12)，在比第一区域(A1)靠外侧的第二区域(A2)中位于半导体基板(10)及第一半导体层(11)之间，其杂质浓度比第一半导体层(11)的杂质浓度低。半导体基板(10)及第一半导体层(11)形成APD1；在半导体基板(10)的厚度方向上，第二半导体层(12)达到比半导体基板(10)及第一半导体层(11)的边界部(14)靠下方的位置。
检测器

[发明专利]半导体装置、层叠型半导体装置以及内插器基板-CN200910149877.6无效
发明人：细野真行;柴田明司;稻叶公男 -专利权人：日立电线株式会社
申请日： 2007-11-16 - 公布日： 2009-12-16 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：本发明涉及半导体装置、层叠型半导体装置以及内插器基板。具体地，本发明提供应力缓和能力优良的半导体装置、层叠型半导体装置以及用于该半导体装置的内插器基板，所述的应力产生于内插器基板和印刷配线板(母板)之间，或者层叠型半导体装置的半导体装置之间。为了缓和所述应力，本发明的半导体装置具备含有绝缘基板和配线图案的内插器基板、半导体元件、接合半导体元件和内插器基板之间的连接层以及在内插器基板上配置的焊球等外部端子，其特征在于，所述绝缘基板，在比半导体元件的搭载部更靠外侧的位置上形成狭缝
半导体装置层叠以及内插器基板

[发明专利]一种超薄半导体基板加工工艺-CN202111015071.5在审
发明人：严立巍;符德荣;文锺;陈政勋 -专利权人：浙江同芯祺科技有限公司
申请日： 2021-08-31 - 公布日： 2021-11-26 - 主分类号： H01L21/56 文献下载
摘要：本发明公开一种超薄半导体基板加工工艺，包括以下步骤：S1、将半导体基板固定后于底部喷吹气流将半导体基板吹平；S2、在半导体基板顶面涂布聚酰亚胺，固化后形成聚酰亚胺薄膜；S3、将半导体基板底部键合在Si载板上；S4、通过溶剂溶解除去聚酰亚胺薄膜；S5、将半导体基板与Si载板置于高温炉管中加热形成永久键合，以进行后续的晶圆制程。本发明通过气流将超薄半导体基板吹平，通过涂布聚酰亚胺固化形成聚酰亚胺薄膜对半导体基板进行定型，防止半导体基板边缘再次发生翘曲，将半导体基板键合在Si载板进行后续的半导体基板基板元件制造，可以利用现行的Si片生产线进行半导体基板的加工，提高了晶圆的产线效益。
一种超薄半导体加工工艺

[发明专利]半导体装置-CN201510497228.0有效
发明人：高永权;金兑炯;金知晃;徐善京;赵泰济 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2015-08-13 - 公布日： 2020-11-17 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：提供了半导体装置，所述半导体装置包括：第一半导体基板，第一划片线区和第一芯片区限定在第一半导体基板中；第一对准记号，位于第一半导体基板内部并且位于第一划片线区中，以与第一半导体基板的上侧分隔开；第二半导体基板，位于第一半导体基板上，第二划片线区和第二芯片区限定在第二半导体基板中；第二对准记号，位于第二半导体基板内部并且位于第二划片线区中，以与第二半导体基板的上侧分隔开，其中，第二半导体基板位于第一半导体基板上
半导体装置

[发明专利]半导体器件及半导体模块-CN201210504640.7无效
发明人：北川光彦 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2012-11-30 - 公布日： 2013-10-23 - 主分类号： H01L23/58 文献下载
摘要：本发明提供半导体器件及半导体模块。半导体器件具备包括第1及第2主面的半导体基板，半导体基板具备在半导体基板内形成的第1导电型的第1半导体层、在第1半导体层的第1主面侧的表面形成的第2导电型的第2半导体层、在第2半导体层的表面形成的第1导电型的第3半导体层、及在第1半导体层的第2主面侧的表面形成的第2导电型的第4半导体层。器件还具备：控制电极，形成于半导体基板的第1主面侧；及第1主电极，形成于半导体基板的第1主面侧。器件还具备：第2主电极，形成于半导体基板的第2主面侧；及接合终端部，形成于半导体基板的第2主面侧，具有将第4半导体层包围的环状的平面形状。
半导体器件半导体模块

[发明专利]半导体器件及其制造工艺以及电子装置-CN201210052600.3有效
发明人：长田昌也 -专利权人：索尼公司
申请日： 2012-03-02 - 公布日： 2017-11-17 - 主分类号： H01L23/538 文献下载
摘要：本公开涉及半导体器件及其制造工艺以及电子装置。所述半导体器件包括包括半导体的半导体基板；形成在所述半导体基板内的第一表面侧上的电极层；层叠在所述半导体基板的第一表面上的框体层；导体层，形成在通过使所述电极层在所述半导体基板的第一表面上暴露出来的方式加工所述半导体基板和所述框体层而形成的开口部分中；纵孔，形成为从所述半导体基板的第二表面穿透所述半导体基板直到所述导体层；和配线层，在所述纵孔的端部处经由所述导体层电气地连接至所述电极层，并延伸至所述半导体基板的第二表面。
半导体器件及其制造工艺以及电子装置

[发明专利]半导体基板以及半导体基板的制造方法-CN201480071089.9在审
发明人：今冈功;内田英次;须田淳 -专利权人：株式会社丰田自动织机;须田淳
申请日： 2014-12-25 - 公布日： 2016-08-31 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：本发明涉及半导体基板及其制造方法。本发明提供一种多种半导体层露出于表面的半导体基板。半导体基板具备：支承基板、被配置于支承基板的表面的单晶的第1半导体层、被配置于第1半导体层的表面的一部分的单晶的第2半导体层、以及被配置于第1半导体层的未配置有第2半导体层的表面的单晶的第3半导体层。第3半导体层的晶体取向与第1半导体层一致，并由与第1半导体层相同材料形成。
半导体以及制造方法

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN200710088984.3有效
发明人：吉见英章;梅本光雄;恩田和美;堀中和己 -专利权人：三洋电机株式会社
申请日： 2007-03-29 - 公布日： 2007-10-03 - 主分类号： H01L23/367 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体装置及其制造方法，其能提高散热性。半导体装置(10)包括：半导体基板(11)、搭载在半导体基板(11)上表面的散热器(17)及在半导体基板(11)下表面形成的配线(14)等。散热器(17)搭载在半导体基板(11)上表面，其平面大小与半导体基板(11)大体相同。另外，散热器(17)的厚度为500μm～2mm，也可以形成为比半导体基板(11)厚。通过由散热器(17)加强，半导体基板(11)可以变薄到例如50μm左右，因此，其结果可以使半导体装置(10)整体变薄。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]半导体分隔装置-CN201910549165.7有效
发明人： I·D·裘兰德;D·里奇;G·哈里斯 -专利权人：朗美通技术英国有限公司
申请日： 2019-06-24 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： H01L23/16 文献下载
摘要：本文描述一种半导体基板堆，其包括：在堆中布置的多个半导体基板，其中半导体基板包括多个相对的面对表面，其中相邻的半导体基板的所述面对表面由间隙隔开，每个半导体基板在所述堆的暴露边缘处具有边缘表面。间隔件附接到至少一个半导体基板中的每一者的多个面对表面中的一者上，并在相邻的半导体基板之间延伸以限定所述间隙并掩蔽每个各自半导体基板的中心部分。
半导体分隔装置

[发明专利]半导体装置及半导体装置的制造方法-CN200710007704.1无效
发明人：冈秀明;金本启 -专利权人：精工爱普生株式会社
申请日： 2007-01-29 - 公布日： 2007-08-08 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体装置。该半导体装置包括：半导体层(60)，在将半导体基板(10)蚀刻到规定深度而得到的第一区域，通过外延生长而形成，该半导体层距半导体基板(10)底面的高度与半导体基板(10)表面的高度实质相同；嵌入绝缘层(240)，嵌入到半导体基板(10)与半导体层(60)之间；和元件分离体，在水平面内，对半导体层(60)内的各元件区域间以及半导体层(60)与半导体基板(10)之间进行元件分离。因此，可以得到一种在混载有SOI结构与体结构的半导体基板上形成的半导体装置，而不会增大芯片尺寸。
半导体装置制造方法

[发明专利]半导体装置、层叠型半导体装置以及内插器基板-CN200910149878.0无效
发明人：细野真行;柴田明司;稻叶公男 -专利权人：日立电线株式会社
申请日： 2007-11-16 - 公布日： 2009-12-16 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：本发明涉及半导体装置、层叠型半导体装置以及内插器基板。具体地，本发明提供应力缓和能力优良的半导体装置、层叠型半导体装置以及用于该半导体装置的内插器基板，所述的应力产生于内插器基板和印刷配线板(母板)之间，或者层叠型半导体装置的半导体装置之间。为了缓和所述应力，本发明的半导体装置具备含有绝缘基板和配线图案的内插器基板、半导体元件、接合半导体元件和内插器基板之间的连接层以及在内插器基板上配置的焊球等外部端子，其特征在于，所述绝缘基板形成具有高低差的段差部，以使在半导体元件的外侧配置的外部端子的搭载部和半导体元件的搭载部不在同一平面上。
半导体装置层叠以及内插器基板

[发明专利]半导体封装件及其制造方法-CN201110442371.1无效
发明人：锺启生 -专利权人：日月光半导体制造股份有限公司
申请日： 2011-12-26 - 公布日： 2012-07-04 - 主分类号： H01L25/00 文献下载
摘要：一种半导体封装件及其制造方法。半导体封装件包括半导体元件、第二基板、第二半导体芯片及第二封装体。半导体元件包括第一基板、第一半导体芯片及第一封装体。第一基板具有相对的第一面与第二面。第一半导体芯片设于第一基板的第一面上。第一封装体包覆第一半导体芯片。第二基板具有凹部，半导体元件对应凹部设于第二基板上。第二半导体芯片设于第一基板的第二面上。第二封装体包覆半导体元件及第二半导体芯片且填满第二基板的凹部。
半导体封装及其制造方法

[发明专利]具有光学收发器的半导体封装件-CN201410521024.1有效
发明人：黃仁哲;赵日焕;金基永;梁庆模;安在浚;赵淙晧 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2014-09-30 - 公布日： 2017-12-12 - 主分类号： H01L31/12 文献下载
摘要：具有光学收发器的半导体封装件。一种半导体封装件，包括封装基板；第一半导体基板和第二半导体基板，其堆叠在封装基板上；以及光学收发器，其产生和接收利用穿过第一半导体基板的红外(IR)线在封装基板与第二半导体基板之间行进的光学信号。
具有光学收发半导体封装

[发明专利]半导体基板的处理方法-CN200910137337.6有效
发明人：吴孟修;陈永芳;戴煜暐;王嘉庆;温志中;洪傅献;邱颂盛 -专利权人：新日光能源科技股份有限公司
申请日： 2009-04-24 - 公布日： 2010-10-27 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：一种半导体基板的处理方法，其应用在光电转换模块，处理方法包括下列步骤：提供一半导体基板，其具有两个表面；对半导体基板的至少一个表面进行结构化处理；对半导体基板的所述表面进行扩散；涂布一抗反射层在半导体基板的所述表面；以及机械表面处理半导体基板的两个表面的至少一个表面，且机械表面处理半导体基板的两个表面的至少一个表面的步骤施行在上述任两个连续的步骤之间。因此，经过机械表面处理后的半导体基板的表面能更加粗糙，且同时使原本存在半导体基板内部的缺陷能聚集在半导体基板的表面，并通过后续处理以一并地对聚集在半导体基板的表面的缺陷移除，以提高半导体基板整体的光电转换效率
半导体处理方法