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- [发明专利]被加工物的加工方法-CN201810316110.7有效
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小幡翼
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株式会社迪思科
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2018-04-10
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2023-10-27
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H01L21/78
- 一种被加工物的加工方法，用简单的方法将被加工物分割成芯片。被加工物具有透明基板、在基板表面的第1树脂层、在基板背面的第2树脂层，第1树脂层由多条分割预定线划分成多个区域，该方法具备：带粘贴步骤，将粘接带粘贴在第2树脂层；保持步骤，用激光加工装置的卡盘工作台对被加工物进行保持；树脂层除去步骤，对被加工物照射具有对第1树脂层来说为吸收性、对基板来说为透过性的波长的激光束，用烧蚀加工沿分割预定线除去第1树脂层；改质层形成步骤，越过除去第1树脂层的区域对被加工物照射激光束，在基板内部沿分割预定线形成改质层；分割步骤，扩展粘接带，以改质层为起点沿该分割预定线将基板和第2树脂层断裂，被加工物分割成芯片。
- 加工方法
- [发明专利]高精度定向转移二维材料的系统、方法和用途-CN202311036419.8有效
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王海东;罗旭雯
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清华大学
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2023-08-17
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2023-10-20
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H01L21/78
- 本发明公开了高精度定向转移二维材料的系统、方法和用途。该转移二维材料的系统用于制备异质结，二维材料用于形成异质结，该系统包括：微米级切刀、微米级夹取装置、微米级探针、操作平台、显示装置、驱动装置、控制单元，驱动装置与微米级切刀、微米级夹取装置、微米级探针相连；控制单元与驱动装置和显示装置相连，且适于通过显示装置放大操作平台的操作画面和二维材料的位置，以及基于驱动装置执行以下操作：控制微米级切刀对位于操作平台上的二维材料进行切割、控制微米级夹取装置对二维材料进行转移、控制微米级探针对二维材料进行辅助定位。该系统结构简单，操作方便，能够精确控制二维材料转移，实现高精度异质结的制备。
- 高精度定向转移二维材料系统方法用途
- [发明专利]加工基板的方法-CN201910782502.7有效
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卡尔·海因茨·普利瓦西尔;长冈健辅
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株式会社迪思科
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2019-08-23
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2023-10-13
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H01L21/78
- 本发明涉及加工基板(W)的方法。基板(W)具有一个面(1)和与该面(1)相反的面(6)。基板(W)在所述面(1)上或者在与该面(1)相反的面(6)上具有至少一个凹部(7)。该方法包括：提供保护膜(4)，并将保护膜(4)施加至基板(W)的具有至少一个凹部(7)的面上，使得保护膜(4)的正表面(4a)的至少中央区域与基板(W)的具有至少一个凹部(7)的面直接接触。该方法还包括：向保护膜(4)施加压力，使得保护膜(4)沿所述至少一个凹部(7)的深度的至少一部分进入凹部(7)中；以及对基板(W)的所述面(1)和/或与该面(1)相反的面(6)进行加工。
- 加工方法
- [发明专利]一种薄晶圆散热片及其制作工艺-CN202010478956.8有效
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严立巍;李景贤;陈政勋
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绍兴同芯成集成电路有限公司
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2020-05-29
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2023-10-13
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H01L21/78
- 本发明公开了一种薄晶圆散热片及其制作工艺，属于晶片生产技术领域，包括以下步骤：S1：在完成晶圆正面工艺之后，使用粘合剂将晶圆正面与玻璃载板键合；S2：在晶圆背面进行研磨和刻蚀；S3：涂布光阻剂，进行黄光工艺和离子注入工艺；S4：生成附着层和阻挡层；S5：在阻挡层上生成铜种子层；S6：进行黄光工艺，显影生成掩膜板图案；S7：进行电化学电镀工艺，在铜种子层上电镀上厚铜膜；S8：去除光阻层；S9：刻去除晶粒间切割道上的铜、镍、钛的金属层；S10：蚀刻晶粒间的切割道；S11：清洗残留物及聚合物；S12：附着在蓝膜框架上；S13：将玻璃载板从晶圆上移除；S14：清洗粘合剂；本方案解决了现有技术中无法在薄晶圆上布置足够厚度的散热片的问题。
- 一种薄晶圆散热片及其制作工艺
- [发明专利]晶片的加工方法-CN201811036196.4有效
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铃木克彦;伴祐人
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株式会社迪思科
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2018-09-06
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2023-10-13
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H01L21/78
- 提供晶片的加工方法。晶片在由交叉形成的多条分割预定线划分的正面的各区域分别形成有器件，该方法包含：切削槽形成工序，从晶片的正面侧沿着分割预定线通过切削刀具形成深度相当于器件芯片的完工厚度的切削槽；密封工序，利用密封材料将晶片的正面密封；磨削工序，从晶片的背面侧将晶片磨削至器件芯片的完工厚度而使切削槽中的密封材料露出；对准工序，通过红外线拍摄构件从晶片的正面侧透过密封材料拍摄晶片的正面侧而检测对准标记，根据对准标记检测应进行激光加工的分割预定线；和分割工序，从晶片的正面侧沿着分割预定线照射对于密封材料具有吸收性的波长的激光束，通过烧蚀加工将晶片分割成正面和4个侧面被密封材料围绕的各个器件芯片。
- 晶片加工方法
- [发明专利]晶片的加工方法-CN201910393174.1有效
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吉川敏行;北村宏
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株式会社迪思科
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2019-05-13
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2023-10-03
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H01L21/78
- 提供晶片的加工方法，能够抑制晶片分割时的加工不良的产生。该晶片的加工方法包含如下的工序：计算工序，根据由于激光束的照射而在晶片上产生的热传导的偏差的影响，确定在被照射激光束的分割预定线的两侧要确保的区域的大小，在将该区域中所包含的器件的列数设为N的情况下，计算满足N＜2n的最小的2n；2n加工工序，通过按照分割预定线的该最小的2n条的间隔对分割预定线照射激光束而在晶片上形成加工痕；以及二等分加工序，反复进行通过对将分别包含在加工痕所划分的多个区域中的器件的列数二等分的分割预定线照射激光束而在晶片上形成加工痕的工序，直至该加工痕所划分的区域中所包含的器件的列数为1。
- 晶片加工方法
- [发明专利]晶圆切割方法-CN202310647532.3在审
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雷永庆;申艳珍;彭瑞钦;袁燊喜
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麦斯塔微电子（深圳）有限公司
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2023-06-01
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2023-09-29
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H01L21/78
- 本申请公开了一种晶圆切割方法，晶圆切割方法包括：将第一晶圆和第二晶圆键合以形成键合晶圆；将键合晶圆固定至承载体；从键合晶圆背离承载体的一侧对键合晶圆进行第一次切割，其中，在第一次切割时切割至少部分键合晶圆且未切割承载体，以在键合晶圆上形成第一切割道；沿第一切割道对键合晶圆进行第二次切割，其中，在第二次切割时切割部分承载体，以在承载体上形成第二切割道。上述方案，通过将第一晶圆和第二晶圆键合后再进行切割，简化了生产工艺，节约时间和成本，将键合晶圆固定至承载体上，切割时分两次切割，降低崩边、裂片、污染或多晶改变的风险。
- 切割方法
- [发明专利]一种IC芯片的柔性化制造方法-CN202010416150.6有效
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申强;袁晓康;常洪龙
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西北工业大学
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2020-05-17
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2023-09-26
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H01L21/78
- 本发明公开了一种一种IC芯片柔性化制造方法，属于芯片制造技术和半导体技术领域。该方法将裸芯片贴合在衬底表面，形成基体；在所述基体表面旋涂第一层柔性聚合物将芯片完全包埋，包埋厚度30‑100μm；在所述柔性聚合物表面形成电路通道；通过刻蚀和金属溅射工艺实现裸芯片引脚端口与电路通道互联互通；在所述已形成电路通道的柔性聚合物表面再旋涂第二层柔性聚合物形成完整封装；将上述形成完整封装的芯片进行切割，通过直接剥离完成与衬底的分离，获得柔性芯片，完成所述芯片柔性化制造。本发明利用现有的制作常规芯片的设备和工艺通过涂覆粘合剂、旋涂柔性聚合物等工艺，IC裸芯片实现柔性化制造，不但增强了芯片的柔韧性，还极大地保护了内部芯片。
- 一种ic芯片柔性制造方法
- [发明专利]一种半导体封装的切割方法-CN202210256413.0在审
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魏厚韬
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合肥矽迈微电子科技有限公司
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2022-03-16
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2023-09-22
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H01L21/78
- 本发明提供的一种半导体封装的切割方法，将切割平台台面与水平面具有夹角设计不为0°，将需要切割的含有多个芯片的整体封装体固定在切割平台台面上，在整体封装体的纵向上，从整体封装体的底端的一排芯片的两端均进行纵向切割，且切割长度不超过整体封装体底端的一排芯片的相邻一排芯片的位置，然后进行横向切割，横向切割时，是从整体封装体的左端边缘直接切割刀右端边缘，且横向切割经过纵向切割所形成的切割道，横向切割后，整体封装体底端的一排芯片由于受到重力的作用，直接掉落，并进行收集，再重复进行上述的纵向切割和横向切割，直到整体封装体切割完全为止。不需要进行人工刮落并收集，省时省力，且大大增加了生产效率。
- 一种半导体封装切割方法
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