专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]熔丝修调结构及其制备方法、集成电路-CN202211569477.2有效
  • 吕慧瑜;罗杰馨;柴展 - 上海功成半导体科技有限公司
  • 2022-12-08 - 2023-09-12 - H01L23/525
  • 本发明公开了一种熔丝修调结构及其制备方法、集成电路,涉及集成电路芯片修调技术领域。该熔丝修调结构包括N型衬底、位于N型衬底上的第一绝缘层、位于第一绝缘层上的熔丝层以及位于熔丝层上的第二绝缘层;熔丝层上具有间隔设置的第一焊盘和第二焊盘,第二绝缘层上开设有露出第一焊盘的第一窗口和露出第二焊盘的第二窗口;熔丝修调结构还包括位于第一绝缘层和N型衬底之间的P型区,P型区和N型衬底共同形成沿第二绝缘层朝向第一绝缘层的方向导通的PN结。该熔丝修调结构能够解决熔丝在熔断时易导致第一绝缘层被破坏的问题,从而能够避免熔丝修调结构产生漏电流,进而可以提高IC的可靠性。
  • 熔丝修调结构及其制备方法集成电路
  • [发明专利]用于集成电路失效保护熔丝封装的方法及设备-CN201711452772.9有效
  • B·J·马莱;史蒂夫·库默尔;B·S·库克 - 德州仪器公司
  • 2017-12-27 - 2023-08-08 - H01L23/525
  • 本发明涉及用于集成电路失效保护熔丝封装的方法及设备。在所描述的实例中,一种设备(图1A,100)包含:集成电路裸片(116),其具有多个端子;所述集成电路裸片(116)位于具有用于外部连接的引线(112)的引线框的裸片垫部分(118)上,所述引线(112)中的至少一些具有电耦合到所述集成电路裸片(116)的至少一个端子的内部部分;熔丝元件(120),其耦合在所述引线框(112)的所述引线中的一者与从所述集成电路裸片(116)的所述多个端子选择的至少一个端子之间;及囊封材料(110),其围绕所述集成电路裸片及所述引线框以形成包含所述集成电路裸片及所述熔丝元件的封装集成电路,且在所述囊封材料中具有围绕所述熔丝元件(120)的腔体(122)使得所述熔丝元件与所述囊封材料间隔开。
  • 用于集成电路失效保护封装方法设备
  • [发明专利]一种修调电路-CN202110643179.2有效
  • 王钊 - 合肥中感微电子有限公司
  • 2021-06-09 - 2023-07-18 - H01L23/525
  • 本发明提供一种修调电路,其包括:芯片;密封环,其设置于所述芯片的边缘且环绕所述芯片;至少两个修调压焊区,其位于所述密封环外侧;至少一个熔丝,其位于所述密封环外侧,每个熔丝连接于对应的两个所述修调压焊区之间;至少两个连接端,其位于所述密封环内侧的芯片中,每个连接端与一个修调压焊区对应;从所述密封环下穿过的至少两个电连接通道,每个电连接通道电性连接对应的一个连接端和对应的一个修调压焊区。与现有技术相比,本发明将修调压焊区和熔丝放在芯片的密封环之外,并通过埋层和深阱构成的电连接通道进行压焊区与芯片的内部电路的连接,从而可以不打断密封环结构,可以节省芯片面积。
  • 一种电路
  • [实用新型]一种功率模块、电机控制器及车辆-CN202223427507.4有效
  • 史睿;杨胜松 - 比亚迪半导体股份有限公司
  • 2022-12-20 - 2023-07-18 - H01L23/525
  • 本申请实施例提供了一种功率模块、电机控制器及车辆,所述功率模块包括衬底,衬底设有多个导电区,多个导电区在衬底上沿第一方向间隔设置,用于传输电信号。导电区设有功率端子,功率端子设置于导电区沿第二方向的中间区域,用于获取导电区的电信号。其中,第一方向与第二方向垂直。这样,功率端子可以电连接于导电区的多个位置,使得功率端子与导电区的多个位置形成多个电流回路。由于功率端子电连接于导电区的中间区域,功率端子在导电区上进行电流传输时,产生的功率回路能够分布于衬底的中央,并使得功率端子与导电区的多个位置形成的多个电流回路的平均回路长度较短。从而,减小了导电区上电流回路产生的寄生电感。
  • 一种功率模块电机控制器车辆
  • [发明专利]一种半导体器件反熔丝结构及其制备方法-CN201711046556.4有效
  • 请求不公布姓名 - 长鑫存储技术有限公司
  • 2017-10-31 - 2023-07-04 - H01L23/525
  • 本发明提供一种半导体器件反熔丝结构及制备方法,制备包括:提供一半导体衬底,具有有源区及隔离区;于半导体衬底内定义一反熔丝配置区,形成一环绕反熔丝配置区的沟槽结构,反熔丝配置区包括位于有源区内的第一部分及延伸至隔离区内的第二部分;于沟槽结构的底部及局部侧壁形成介质层和导电层;于隔离区内形成电连接于导电层且第一接触窗,于有源区内形成与沟槽结构远离第一接触窗的一侧具有第二间距的第二接触窗。通过上述方案,本发明通过在埋入式金属线的一角设置凸出部,可以控制线路导通时的连接点,将第一接触窗设置在隔离区中,以保证器件导通时的稳定性,其制备可以在存储器的埋入式字符线的制备流程中完成,无需增加额外的工艺步骤。
  • 一种半导体器件反熔丝结构及其制备方法
  • [发明专利]熔丝构件和半导体元件-CN202210749364.4在审
  • 商凯博;饶瑞修 - 南亚科技股份有限公司
  • 2022-06-28 - 2023-06-09 - H01L23/525
  • 本公开提供一种熔丝构件和具有该熔丝构件的半导体元件。该熔丝构件包括具有一表面的一主动区域、从该主动区域的该表面延伸至该主动区域中的一第一熔丝介电层、被该第一熔丝介电层围绕的一第一栅极金属层、从该主动区域的该表面延伸至该主动区域中的一第二熔丝介电层、以及被该第二熔丝介电层围绕的一第二栅极金属层。该第一栅极金属层与该第二栅极金属层电性连接。
  • 构件半导体元件
  • [发明专利]半导体元件结构及半导体电路-CN202210812374.8在审
  • 杨吴德 - 南亚科技股份有限公司
  • 2022-07-11 - 2023-06-09 - H01L23/525
  • 本申请提供一种半导体元件结构及半导体电路。该半导体元件结构包括一第一栅极结构、一第二栅极结构以及一第一主动区。该第一栅极结构沿一第一方向延伸,并与一第一晶体管电性连接。该第二栅极结构沿该第一方向延伸,并与一第二晶体管电性连接。该第一主动区沿不同于该第一方向的一第二方向延伸,并跨越该第一栅极结构和该第二栅极结构。该第一栅极结构和该第一主动区共同形成一第一熔丝元件。该第二栅极结构和该第一主动区共同形成一第二熔丝元件。
  • 半导体元件结构电路
  • [发明专利]efuse熔丝的版图结构-CN202310181333.8在审
  • 晏颖 - 上海华力集成电路制造有限公司
  • 2023-02-27 - 2023-06-02 - H01L23/525
  • 本发明提供一种efuse熔丝的版图结构,由于efuse熔丝的版图结构的端子层、至少两层中间金属层以及顶金属层依次层叠设置,且通过连接结构将端子层中的第一端子、所有中间金属层中的第一金属结构以及顶金属层连接在一起,以及通过连接结构将端子层中的第二端子、所有中间金属层中的第二金属结构以及顶金属层连接在一起,以形成N型立体的efuse熔丝的版图结构,如此以使efuse单元中的布线沿空间排布,进而能够减少efuse单元的版图面积,实现缩减efuse整体面积的目的。
  • efuse版图结构

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