“聂俊峰”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果74个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种海战场态势仿真分析系统-CN202310902487.1在审
发明人： 聂俊峰;陈行军;隋金坪;褚骁庚;林宗祥 -专利权人：中国人民解放军海军大连舰艇学院
申请日： 2023-07-21 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： G06F30/27 文献下载
摘要：本发明公开了一种海战场态势仿真分析系统，包括：海战场表示模块用于建立海战场表示模型；海战场事件仿真模块用于获取海战场事件仿真数据集，以实现对海战场事件的信息抽取；多级特征融合语义匹配模块用于建立多级特征融合语义匹配模型，获取海战场事件仿真数据用于预测分类的向量；实现多源海战场情况数据的动态接入和异构存储；海战场事件推荐模块基于海战场事件推荐算法，获取海战场事件推荐数据；海战场事件文本可视化模块用于实现海战场大数据的可视化交互。本发明能够使得在复杂海战场环境下，向指挥员展示情报事件发生的“脉络”和完整图景，展示相关海战场平台在特定海域和时间内的海战场行动，非常有利于指挥员对敌情的深入掌握。
一种海战态势仿真分析系统

[发明专利]一种海上任务规划与推演仿真分析方法-CN202310910512.0在审
发明人：陈行军;褚骁庚;林宗祥;聂俊峰;隋金坪 -专利权人：中国人民解放军海军大连舰艇学院
申请日： 2023-07-24 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： G06F16/21 文献下载
摘要：本发明公开了一种海上任务规划与推演仿真分析方法，通过战事知识库的知识数据设置战事本体知识库，结合本体建模语言设计出基于事件本体的模型，确定海战场事件本体的类以及类的层次化结构设置建立海上战场规则文件模型来描述海战场作战事件，基于战事语义网规则获取海上战场规则文件模型的海战场作战规则；海战场作战规则根据BN推理引擎模块进行推理获得海战场作战规则的执行事件；并将所述执行事件通过人机交互系统进行可视化展示，实现基于海上任务规划与推演仿真的战场作战规则的表述。
一种海上任务规划推演仿真分析方法

[发明专利]一种基于混合粒度事件的海战推理方法-CN202310910506.5在审
发明人：陈行军;聂俊峰;褚骁庚;林宗祥;隋金坪 -专利权人：中国人民解放军海军大连舰艇学院
申请日： 2023-07-24 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： G06N5/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于混合粒度事件的海战推理方法，包括根据战事知识库的知识数据确定本体的领域和应用的范围中的重要术语与概念词；并根据重要术语与概念词建立词汇列表；根据词汇列表定义本体类及类的层次，确定类之间的父子关系与并列关系；并定义类的属性及属性约束，获取海战场作战事件本体模型；通过海战场作战事件本体模型对海战场混合粒度作战信息实施例化，获取多个海战场作战事件并存储在战法规则知识库；根据BN推理引擎模块对获取各海战场作战事件进行推理，获取下一时刻执行的海战场作战事件。便于描述海战场作战的关键事件，语义要素以及事件之间的关系，大大提高了通过军事领域知识分析与指挥员决策知识对海战场任务的推演的效率。
一种基于混合粒度事件海战推理方法

[实用新型]一种电池包及用电装置-CN202321290539.6有效
发明人： 聂俊峰 -专利权人：中创新航科技集团股份有限公司
申请日： 2023-05-24 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： H01M50/242 文献下载
摘要：本实用新型涉及电池技术领域，公开了一种电池包及用电装置，电池包包括：受力梁，受力梁沿第一方向贯穿形成有安装孔；悬吊组件，穿设于安装孔内，悬吊组件包括与受力梁的底部相抵接的支撑部；受力梁具有两个在第二方向上相对设置的梁壁以及形成于两个梁壁中间的中空腔，梁壁朝向中空腔一侧延伸形成有至少一个加强板；悬吊组件还包括承重补强部，承重补强部适于抵接并支撑加强板。本实用新型提供的电池包，在支撑部与受力梁的底部相抵接的基础上，通过增加承重补强部，可以使承重补强部与加强板的配合，参与分担电池包的重量，以分散受力梁的底面对应底板的位置承受的压力，避免受力梁的底面受压过大发生变形，防止影响电池包的密封性。
一种电池用电装置

[发明专利]半导体装置的形成方法-CN201810789550.4有效
发明人：林俊豪;林育樟;聂俊峰;张惠政 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-07-18 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一实施例为半导体装置的形成方法。方法包括形成鳍状物于基板上。形成栅极结构于鳍状物上。形成凹陷于与栅极结构相邻的鳍状物中。以p型掺质形成组成渐变掺杂区于鳍状物中。组成渐变掺杂区自凹陷的下表面延伸至垂直深度，且垂直深度低于鳍状物中的凹陷。形成源极/漏极区于凹陷中与组成渐变掺杂区上。
半导体装置形成方法

[发明专利]半导体器件及其形成方法-CN201911044198.2有效
发明人：刘思杰;聂俊峰;张惠政 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-10-30 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本公开涉及半导体器件及其形成方法。一种形成半导体器件的方法，包括：对半导体衬底执行第一注入工艺以形成深p阱区域，利用扩散阻滞元素对半导体衬底执行第二注入工艺以形成共同注入区域，以及对半导体衬底执行第三注入工艺，以在深p阱区域上方形成浅p阱区域。共同注入区域通过浅p阱区域的一部分与半导体衬底的顶表面间隔开，并且深p阱区域和浅p阱区域彼此连接。形成n型鳍式场效应晶体管(FinFET)，其中深p阱区域和浅p阱区域用作n型FinFET的阱区域。
半导体器件及其形成方法

[发明专利]半导体装置-CN201710212206.4有效
发明人：林育樟;简薇庭;聂俊峰;邱文礼;张惠政;梁春昇 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-04-01 - 公布日： 2022-11-18 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本公开实施例公开半导体装置。装置包含半导体鳍状物。栅极堆叠位于半导体鳍状物上。栅极堆叠包含栅极介电物于半导体鳍状物上，以及栅极位于栅极介电物上。栅极与栅极介电物的上表面彼此齐平。第一层间介电物与半导体鳍状物上的栅极堆叠相邻。第一层间介电物施加压缩应力至栅极堆叠上。
半导体装置

[发明专利]半导体器件的源极/漏极结构及其形成方法-CN202210395063.6在审
发明人：林育樟;陈亮吟;聂俊峰;张惠政;杨育佳 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-04-15 - 公布日： 2022-09-09 - 主分类号： H01L29/08 文献下载
摘要：本公开涉及半导体器件的源极/漏极结构及其形成方法。提供了半导体器件及其形成方法。该方法包括形成从衬底延伸的半导体鳍片。在半导体鳍片上方形成虚设栅极堆叠。虚设栅极堆叠沿着半导体鳍片的侧壁和顶表面延伸。半导体鳍片被图案化以在半导体鳍片中形成凹陷。半导体材料被淀积在凹陷中。在半导体材料上执行植入工艺。植入工艺包括将第一植入物植入到半导体材料中并且将第二植入物植入到半导体材料中。第一植入物具有第一植入能量。第二植入物具有与第一植入能量不同的第二植入能量。
半导体器件结构及其形成方法

[发明专利]一种自动定量下料装袋设备-CN202010611707.1有效
发明人：王涛;许英南;聂俊峰;马全成;陈忠;赵乐然 -专利权人：海南大学;苏州和瑞科自动化科技有限公司
申请日： 2020-06-30 - 公布日： 2022-08-02 - 主分类号： B65B43/18 文献下载
摘要：本发明属于自动化生产技术领域，尤其涉及一种自动定量下料装袋设备，包括：开袋装置、空袋整形装置、下料装袋装置、精配重装置、二次整袋装置、袋子封口装置、装袋下料装置、分度盘。所述八个装置分别位于分度盘各区域外沿，并按逆时针顺序分布排列。所述装袋装置共设置有8套，全部固定在分度盘上。并随着八装置分度盘逆时针转动。各装置通过分度盘串联一起，组成完整的自动化下料装袋系统。该系统通过各装置之间协调配合，实现了散装物料的全自动精准下料、包装、封口与输送等功能。极大的提高了生产效率。
一种自动定量装袋设备

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201711187641.2有效
发明人：王参群;聂俊峰 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-11-24 - 公布日： 2022-05-03 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：提供了半导体器件及其制造方法。在一些实施例中，辐散的离子束用于将离子注入覆盖层内，其中，覆盖层位于半导体鳍上方的第一金属层、介电层和界面层上方。然后将离子从覆盖层驱使至第一金属层、介电层和界面层的一个或多个内。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]敲击式橡胶果脱壳机-CN201910231177.5有效
发明人：王涛;聂俊峰;王远荣;陈忠 -专利权人：海南大学
申请日： 2019-03-26 - 公布日： 2022-04-05 - 主分类号： A23N5/00 文献下载
摘要：本发明属于林业产品加工机械技术领域，涉及一种敲击式橡胶果脱壳机。敲击式橡胶果脱壳机通过破壳单元、分离单元和分选单元分别完成对橡胶果的敲击破壳流程、对橡胶果破壳后果壳和果仁的分离流程以及对果仁的去屑和收集的分选流程。本发明采用仿手工式敲击破碎橡胶果的撞击原理法，通过敲击锤与输送装置的配合，敲击锤敲击橡胶果破壳，再由分离单元的分离滚对破壳的橡胶果进行果壳和果仁分离，提高了对橡胶果的脱壳率；采用了风力分选单元，并分别设置分选后的果壳和果仁出料口，提升了果仁的纯净度。本发明提高了橡胶果加工和综合利用的经济效益，适用于橡胶果综合利用企业。
敲击橡胶脱壳

[发明专利]半导体装置的形成方法-CN202110935630.8在审
发明人：王宝明;邱哲夫;聂俊峰;张惠政;杨育佳 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-08-16 - 公布日： 2022-02-22 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：一种半导体装置的形成方法，包括：布植第一导电类型的多个掺质到半导体基底中，以形成第一井，外延成长通道层于上述半导体基底上，以及形成栅极结构于上述鳍片的通道区域之上。上述半导体基底包括第一半导体材料。布植上述掺质的步骤是在150℃至500℃的范围内的温度下进行。上述通道层包括第二半导体材料。上述通道层受到上述第一导电类型的上述掺质所掺杂。
半导体装置形成方法

[发明专利]FINFET器件及其形成方法-CN201710968319.7有效
发明人：林育樟;聂俊峰;张惠政;张添舜;简薇庭;曹志彬;李后儒 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-10-18 - 公布日： 2022-02-11 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供了一种FinFET器件及形成FinFET器件的方法。该方法包括在鳍上方且沿着鳍的侧壁沉积伪栅极，该鳍从半导体衬底向上延伸，沿着伪栅极的侧壁形成第一栅极间隔件，以及用碳等离子体掺杂第一栅极间隔件以形成碳掺杂的栅极间隔件。该方法还包括形成与鳍的沟道区相邻的源极/漏极区，并且将碳从碳掺杂的栅极间隔件扩散到鳍的第一区域中以提供第一碳掺杂区。第一碳掺杂区设置在源极/漏极区的至少部分和鳍的沟道区之间。
finfet 器件及其形成方法

[发明专利]半导体晶圆支撑装置、加工系统及半导体晶圆转移方法-CN202110748968.2在审
发明人：刘思杰;邱哲夫;王宝明;聂俊峰;张惠政;杨育佳 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-07-02 - 公布日： 2021-12-28 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本公开实施例提供一种半导体晶圆支撑装置、加工系统及半导体晶圆转移方法。半导体晶圆支撑装置包括升降销。升降销具有配置以与半导体晶圆的背面接触的第一端以及至少一应力降低特征。应力降低特征可配置以降低升降销与晶圆之间的接触应力。
半导体支撑装置加工系统转移方法

[发明专利]半导体制造设备-CN202110733577.3在审
发明人：林育樟;张添舜;聂俊峰;张惠政;杨育佳 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-06-30 - 公布日： 2021-11-30 - 主分类号： H01J37/317 文献下载
摘要：本公开涉及一种半导体制造设备。离子低温布植制程的实施例使用布植后加热载台，以在低温布植期间在高真空下加热被布植的晶圆。接着将被布植的晶圆转移至装载锁定室，其具有比高真空较低的真空度。
半导体制造设备

1
2
3
4
5
下一页»
尾页
共 74 条