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[发明专利]半导体基板中的高电阻率的多深度区域-CN202010946437.X在审
发明人：史蒂芬·M·宣克;安东尼·K·史塔佩尔;西瓦·P·阿度苏米利;I·麦卡勒姆-库克;米歇尔·J·阿布-卡里尔 -专利权人：格芯公司
申请日： 2020-09-10 - 公布日： 2021-04-13 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明涉及半导体基板中的高电阻率的多深度区域，其包括电性隔离的半导体结构和形成包括电性隔离的半导体结构的方法。浅沟槽隔离区从半导体基板的顶面延伸至半导体基板中。半导体基板包括单晶半导体材料，浅沟槽隔离区围绕半导体基板的有源设备区。多晶层形成在半导体基板中。多晶层具有有源设备区下方的第一区段和多个浅沟槽隔离区下方的第二区段。多晶层的第一区段相对于半导体基板的顶面位于与多晶层的第二区段不同的深度。
半导体中的电阻率深度区域

[发明专利]半导体封装结构-CN202210121899.7在审
发明人：张成敬 -专利权人：三星半导体（中国）研究开发有限公司;三星电子株式会社
申请日： 2022-02-09 - 公布日： 2022-05-06 - 主分类号： H01L23/38 文献下载
摘要：提供了一种半导体封装结构，半导体封装结构包括：半导体封装件；基板；焊球，设置在半导体封装件与基板之间；以及半导体热电元件，包括至少一对热电偶，并且一对热电偶包括一个P型半导体和一个N型半导体，其中，半导体热电元件设置在半导体封装件与基板之间，并且通过基板而被施加有电压。
半导体封装结构

[发明专利]半导体多晶化系统和对单晶半导体基板进行多晶化的方法-CN201610556752.5有效
发明人：严允晟 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2016-07-14 - 公布日： 2018-07-27 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体多晶化系统和对单晶半导体基板进行多晶化的方法，所述半导体多晶化系统具有多个喷射口，所述喷射口用于喷射热气体使单晶半导体基板中的单晶半导体多晶化。本发明通过喷射口向单晶半导体基板喷射热气体，在热气体中热量的作用下，单晶半导体基板中的单晶半导体变为多晶半导体，从而实现多晶化。
半导体多晶系统进行方法

[发明专利]半导体模块-CN200410076668.0有效
发明人：谷江尚史;久野奈柄;细川浩二 -专利权人：株式会社日立制作所;尔必达存储器株式会社
申请日： 2004-04-29 - 公布日： 2005-02-02 - 主分类号： H01L25/00 文献下载
摘要：一种半导体模块，其特征是包括：具有半导体元件、配线基板和在上述半导体元件的与上述配线基板侧的面相对侧的面上形成的第1有机膜的半导体封装，上述配线基板具有连接上述半导体元件的配线构件和连接上述配线构件的外部端子；以及装载上述半导体封装的安装基板；第1上述半导体封装和第2上述半导体封装相层叠；在上述第1半导体封装的上述配线基板与上述第2半导体封装的上述第1有机膜之间以及上述安装基板与上述半导体封装之间，具有第2
半导体模块

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN200410098024.1无效
发明人：柴田和孝 -专利权人：罗姆股份有限公司
申请日： 2004-12-03 - 公布日： 2005-06-08 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：本发明提供一种通过在半导体基板的背面侧形成薄的树脂层，从而可以防止半导体基板的翘曲，可以良好地进行半导体基板的薄型化(表面磨削处理)，并且，由此可以降低半导体装置中产生的裂纹或损害的半导体装置的制造方法和制造装置其特征在于，具有：半导体基板(1)；形成于半导体基板(1)的一个表面上的突起电极(2)或配线中的至少一方，同时，具有：形成于半导体基板(1)的一个表面上的第一树脂膜(3)和形成于半导体基板(1)的另一表面上的第二树脂膜(4)，第二树脂膜(4)具有吸收对该半导体基板(1)的另一个表面的冲击程度的低弹性，并且比半导体基板的厚度还薄。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]半导体基板、半导体装置及半导体装置的制造方法-CN201310102666.3无效
发明人：木村龙一 -专利权人：日东电工株式会社
申请日： 2013-03-27 - 公布日： 2013-10-23 - 主分类号： H01L33/48 文献下载
摘要：本发明提供一种在将半导体元件密封时能够抑制电线的变形的半导体基板、半导体装置及半导体装置的制造方法。半导体基板包括：电路基板，从外部向该电路基板供电；多个半导体元件，其被支承于电路基板之上；以及多条电线，其以分别与多个半导体元件相对应的方式设置，一端与半导体元件电连接，另一端与电路基板电连接。多条电线以沿着在电路基板上具有中心点的假想圆的径向的方式延伸。
半导体装置制造方法

[发明专利]层叠体、层叠体的制造方法以及半导体基板的制造方法-CN202180079636.8在审
发明人：绪方裕斗;新城彻也;森谷俊介;福田拓也;奥野贵久 -专利权人：日产化学株式会社
申请日： 2021-11-26 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：一种层叠体，具有：支承基板；半导体基板，在所述支承基板侧具有凸块；无机材料层，介于所述支承基板与所述半导体基板之间，且与所述半导体基板相接；以及粘接层，介于所述支承基板与所述无机材料层之间，且与所述支承基板和所述无机材料层相接，所述层叠体用于在所述层叠体中的所述半导体基板的加工后使所述支承基板与所述半导体基板分离的用途，所述支承基板与所述半导体基板分离时的、所述无机材料层与所述粘接层的粘接力小于所述无机材料层与所述半导体基板的粘接力
层叠制造方法以及半导体

[发明专利]具有三维层叠结构的半导体器件的制造方法-CN200910208940.9有效
发明人：小柳光正 -专利权人：佐伊科比株式会社
申请日： 2005-08-19 - 公布日： 2010-05-26 - 主分类号： H01L21/50 文献下载
摘要：本发明提供一种在具有三维层叠结构的半导体器件中，使用埋入布线容易地实现所层叠的半导体电路层间的层叠方向上的电气连接的半导体器件的制造方法。在构成多层该半导体电路层中的一层的半导体基板的内部或表面从其表面一侧起，形成所要的元件或电路；用第1绝缘膜覆盖形成了该元件或电路的该半导体基板表面；贯穿该第1绝缘膜到达该半导体基板的内部，同时还从该半导体基板表面一侧起形成用第2绝缘膜覆盖内壁面的沟槽；从该半导体基板的表面一侧起，向该沟槽的内部充填导电材料形成导电插头；使用配置于与该导电插头的该半导体基板的表面一侧的端部对应的位置的第1电极，将该半导体基板固定于该支持基板或多层该半导体电路层中的另一层上；将固定于该支持基板或多层该半导体电路层中的另一层上的该半导体基板从其背面一侧起选择性地除去，以此使该第2绝缘膜露出于该半导体基板的背面一侧；以及选择性地除去露出于该半导体基板的背面一侧的该第2绝缘膜，以此使该导电插头露出于该半导体基板的背面一侧的工序。
具有三维层叠结构半导体器件制造方法

[实用新型]半导体装置-CN201620672681.0有效
发明人：朴锦阳;朴俊书;颜吉和 -专利权人：艾马克科技公司
申请日： 2016-06-29 - 公布日： 2017-04-05 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：半导体装置。本实用新型提供一种电子装置。作为非限制性实例，本实用新型的各种态样提供一种半导体装置，其包括基板；半导体晶粒，其在基板上；互连结构(或导电连接构件)，其电连接基板与半导体晶粒；柱，其在基板上且自基板突起，且相较于半导体晶粒具有较小高度；上部半导体封装体，其安装于半导体晶粒上且电连接至柱；以及囊封物，其在基板上并且囊封上部半导体封装体。
半导体装置

[发明专利]半导体元件的处理方法-CN202110108116.7在审
发明人：张俊群 -专利权人：东莞新科技术研究开发有限公司
申请日： 2021-01-27 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： H01L21/263 文献下载
摘要：本发明涉及半导体加工领域，公开了一种半导体元件的处理方法，包括：用防静电薄膜将半导体元件固定在基板的一面上；其中，所述半导体元件的正面远离所述基板；对所述基板的远离所述半导体元件的一面进行离子刻蚀；将所述半导体元件与所述基板分离采用本发明实施例，能够使得半导体元件通过基板得到应力的释放，从而有效减少半导体元件因应力产生的型变，并且不会对半导体元件造成损坏。
半导体元件处理方法

[发明专利]半导体装置及半导体装置的制造方法-CN201510117186.3有效
发明人：林将司 -专利权人：丰田自动车株式会社
申请日： 2015-03-17 - 公布日： 2017-12-05 - 主分类号： H01L23/34 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体装置及半导体装置的制造方法，其在于散热板上钎焊接合有半导体基板的半导体装置中，提供了一种使散热性提高的技术。半导体装置(10)具有半导体基板(20)；焊料(64)，其被接合于半导体基板(20)上；散热板(50)，其为经由焊料(64)而与半导体基板(20)连接的散热板，并具有与焊料(64)接触的突起部(54)；树脂(70)，其将半导体基板(20)、焊料(64)、和突起部(54)密封。
半导体装置制造方法

[发明专利]半导体装置-CN202110776239.8在审
发明人：吉田崇一 -专利权人：富士电机株式会社
申请日： 2017-12-15 - 公布日： 2021-10-15 - 主分类号： H01L27/07 文献下载
摘要：提供一种半导体装置，具备：半导体基板；晶体管部，其设置于所述半导体基板，且在所述半导体基板的上表面侧具有第一导电型的发射区，在所述半导体基板的下表面侧具有第二导电型的集电区；二极管部，其设置于所述半导体基板，且在所述半导体基板的下表面侧具有第一导电型的阴极区；发射电极，其设置在所述半导体基板的上表面的上方；以及保护膜，其至少一部分设置在发射电极的上方，所述阴极区在与所述半导体基板的上表面平行的面不与所述保护膜重叠
半导体装置

[发明专利]半导体装置-CN201780019961.9有效
发明人：大井幸多;小野泽勇一;伊仓巧裕 -专利权人：富士电机株式会社
申请日： 2017-10-16 - 公布日： 2021-08-31 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：提供一种半导体装置，其具备：半导体基板；第一导电型的漂移区，其形成于半导体基板；第二导电型的集电区，其在半导体基板形成于半导体基板的下表面与漂移区之间；以及第一导电型的高浓度区，其在半导体基板形成于漂移区与集电区之间，且掺杂浓度比所述漂移区高，半导体基板的深度方向上的高浓度区的掺杂浓度分布具有一个以上的峰，高浓度区的掺杂浓度分布的峰中的最靠所述半导体基板的下表面侧的第一峰与半导体基板的下表面之间的距离为3μm以下。
半导体装置

[实用新型]半导体封装-CN201521066064.8有效
发明人：郑丁太 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2015-12-18 - 公布日： 2016-12-07 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本实用新型公开一种半导体封装，其可包括主基板、与主基板通过间隙隔开的子基板以及设置在主基板上的半导体芯片。半导体封装可包括互连构件，互连构件被配置为将半导体芯片连接至子基板并包括多股扭曲的导线。半导体封装可包括覆盖主基板和半导体芯片的主模制构件以及覆盖子基板的子模制构件。半导体封装可包括应力缓冲层，应力缓冲层被配置为填充主基板和子基板之间的间隙并包围互连构件。
半导体封装

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN200810180956.9无效
发明人：山野孝治;町田洋弘 -专利权人：新光电气工业株式会社
申请日： 2008-11-20 - 公布日： 2009-05-27 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体器件及其制造方法，该方法包括：制备步骤，制备半导体基板，所述半导体基板包括多个半导体芯片形成区域和设置在所述多个半导体芯片形成区域之间并包括基板切割位置的划线区域；半导体芯片形成步骤，在所述多个半导体芯片形成区域上形成具有电极焊盘的半导体芯片；第一绝缘层形成步骤，在半导体芯片和半导体基板的划线区域上形成第一绝缘层；第二绝缘层形成步骤，在所述第一绝缘层的除与所述基板切割位置相对应的区域以外的部分上形成第二绝缘层；以及切割步骤，在所述基板切割位置处切割所述半导体基板。
半导体器件及其制造方法