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[发明专利]光刻胶输送系统-CN202011091893.7有效
发明人：金在植;张成根;林锺吉;贺晓彬;丁明正;杨涛;李俊峰;王文武 -专利权人：中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司
申请日： 2020-10-13 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： B05C11/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种光刻胶输送系统，该光刻胶输送系统包括光刻胶供给瓶、缓冲罐和排液胶泵，其中，缓冲罐的顶部设置有进液口和排液口，进液口与光刻胶供给瓶通过进液管路连通，以使光刻胶流入；缓冲罐的底部设置有光刻胶出口，光刻胶出口用于与光刻胶喷嘴连通，以使光刻胶流入光刻胶喷嘴中；排液胶泵与排液口通过排液管路连通，以抽取缓冲罐中的空气。本发明中排液胶泵通过抽取的方式促使光刻胶进入缓冲罐，降低或避免了光刻胶中产生气泡的可能性；而且排液口设置在缓冲罐的顶部，能够将缓冲罐中的空气以及含有气泡的光刻胶抽取出去，不仅避免了浪费大量光刻胶，而且避免了后续光刻胶涂布时由于气泡造成的晶圆缺陷。
光刻输送系统

[发明专利]一种镀锌钢板连接装置-CN202310483839.4在审
发明人：张鸿儒;丁明正;王克阳;魏强;高波;高瞻;陈俊杰 -专利权人：中建八局第一建设有限公司
申请日： 2023-04-26 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： B21D39/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种镀锌钢板连接装置，属于风管制作装置技术领域。包括磁吸附车，设置在磁吸附车上的支撑架，以及设置在支撑架上、位于磁吸附车外的气锤；磁吸附车包括设置磁吸附轮的车体，以及相对应设置在车体纵向两端的两个导向件；作业时，磁吸附轮吸附行驶于镀锌钢板顶面上，两个导向件分别与联合角咬口相配合，气锤的锤头作用于联合角咬口顶面上。本发明提供的一种镀锌钢板连接装置结构及制作简单、拆装方便自动化程度高、省时省力且锤击力度均匀、避免作业时噪音对作业人员造成损伤、使用灵活、作业效率高。
一种镀锌钢板连接装置

[发明专利]晶圆曝光投影图的设定方法及系统-CN202010575069.2有效
发明人：刘智龙;贺晓彬;丁明正;刘强;李亭亭;刘金彪 -专利权人：中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司
申请日： 2020-06-22 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本申请公开了一种晶圆曝光投影图的设定方法及系统，该方法包括：生成覆盖晶圆在第一方向上的上下边缘的矩形曝光投影图；所述曝光投影图具有若干行和列的矩形投影块，每一所述投影块包括若干行和列的投影单元；沿着所述第一方向移动同一行或同一列的投影块，使得所述同一行或同一列的投影块位于所述晶圆内的投影单元数量增加。本申请提供的晶圆曝光投影图的设定方法，设定的晶圆曝光投影图，在只改变曝光投影图的形状而不变更工艺流程的情况下就可以增加有效投影单元的个数，从而增加了曝光投影后的晶圆上有效裸片的个数，从而避免了晶圆浪费，提高了晶圆利用率，降低了生产成本。
曝光投影图设定方法系统

[发明专利]涂胶机的控制方法、涂胶机的控制系统以及涂胶机-CN202010761685.7有效
发明人：张成根;林锺吉;金在植;贺晓彬;刘强;丁明正 -专利权人：中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司
申请日： 2020-07-31 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： B05C5/02 文献下载
摘要：本申请属于半导体技术领域，具体涉及一种涂胶机的控制方法、涂胶机的控制系统以及涂胶机，该涂胶机的控制方法包括获取光刻胶膜层的需求厚度，控制光刻胶流向晶圆，根据需求厚度，改变晶圆的转速。根据发明实施例的涂胶机的控制方法，在进行晶圆涂胶的过程中，控制晶圆的转速发生变化，能够实现一种光刻胶采用不同的转速进行旋转，形成不同厚度的膜层，扩大了一种光刻胶在不同的转速下所形成的膜层厚度的范围，进而减少涂胶机上所装设的光刻胶的种类，降低了成本投入。另外，通过改变晶圆的旋转速度，快速去除光刻胶中的气泡，改善线宽粗糙度。
涂胶控制方法控制系统以及

[发明专利]紧急按钮装置及具有其的设备-CN202010702042.5有效
发明人：梁贤石;金成昱;金帅炯;贺晓彬;李亭亭;刘金彪;丁明正;刘强 -专利权人：中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司
申请日： 2020-07-21 - 公布日： 2023-06-16 - 主分类号： H01H13/02 文献下载
摘要：本申请属于电气装置技术领域，具体涉及一种紧急按钮装置及具有其的设备，该紧急按钮装置包括壳体，壳体内设置有第一电连接结构，紧急按钮装置还包括升降组件，升降组件的一端伸至壳体内，且升降组件的一端设置有与第一电连接结构对应的第二电连接结构，升降组件处于下降状态时，第二电连接结构与第一电连接结构配合使紧急按钮装置处于正常状态，升降组件处于上升状态时，第二电连接结构与第一电连接结构配合使紧急按钮装置处于紧急状态。根据本申请的紧急按钮装置，升降组件处于下降状态时紧急按钮装置处于正常状态，升降组件处于上升状态时紧急按钮装置处于紧急状态，以此减少由于失误按压紧急按钮装置导致紧急按钮装置进入紧急状态的现象。
紧急按钮装置具有设备

[发明专利]一种图形化用抗反射涂层组合物及图形化方法-CN202011606828.3有效
发明人：李祥华;李大烨;贺晓彬;刘强;丁明正;杨涛 -专利权人：中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司
申请日： 2020-12-28 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： C09D129/04 文献下载
摘要：本申请涉及一种图形化用水溶性抗反射涂层，以及使用该水溶性抗反射涂层进行图形化的方法，由于在正、负光刻胶层之间涂布了该水溶性抗反射涂层，避免了直接在正光刻胶层上涂布负光刻胶层引起的二者的反应而导致的不良等问题，从而能够很好的一并进行正光刻胶层和负光刻胶层的双光刻胶层涂布，极大地简化了工艺流程，节约了工艺时间和成本。
一种图形化用反射涂层组合方法

[发明专利]光刻胶分配器以及半导体制造设备-CN202011140748.3有效
发明人：李其衡;贺晓彬;丁明正;刘强;杨涛 -专利权人：中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司
申请日： 2020-10-22 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： B05C5/02 文献下载
摘要：本发明提供的一种光刻胶分配器以及半导体制造设备，涉及半导体技术领域，包括：喷嘴壳体上开设有多个内腔，每个内腔对应设置有一个喷嘴，喷嘴装配在喷嘴壳体的外壁并与对应的内腔连通；多个单元喷涂组件与多个内腔一一对应；其中，单元喷涂组件包括单元瓶和驱动装置，单元瓶装配在内腔并与喷嘴连通，驱动装置与单元瓶驱动装配，以驱动单元瓶内的光刻胶沿喷嘴流出。在上述技术方案中，如果需要更换光刻胶时，只需要将该光刻胶分配器内不同单元喷涂组件移动到半导体的对应位置，将装载的不同光刻胶继续进行涂敷工作即可。所以，整个光刻胶的更换过程中并不需要机械结构的改变，只需要选择光刻胶分配器内不同的单元喷涂组件对应进行涂敷工作即可。
光刻分配器以及半导体制造设备

[发明专利]智能家居系统的设备入网及通信优化方法-CN202111009970.4有效
发明人： 丁明正;赵元表;毛振静 -专利权人：杭州控客信息技术有限公司
申请日： 2021-08-31 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H04L12/28 文献下载
摘要：本发明提供了一种智能家居系统的设备入网及通信优化方法，包括快速入网方法A：A1.特定网关识别所述智能设备的物模型ID；A2.特定网关根据物模型及物模型ID判断智能设备是否为特定设备，若是，则直接根据所述的物模型ID从物模型中获取设备信息，并基于所获取到的设备信息与所述的智能设备建立连接。本方案将设备与网关通过物模型关联起来，适用于提供设备、网关整套智能家居系统的企业，同属于一家企业的设备和网关通过利用物模型能够实现设备快速入网，节约入网过程中的通信资源，避免入网过程对网络资源造成的影响。
智能家居系统设备入网通信优化方法

[发明专利]一种硅基探测器及其制备方法-CN202211419156.4在审
发明人：许高博;闫乙男;殷华湘;丁明正;孙朋 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2022-11-14 - 公布日： 2023-02-28 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本发明涉及一种硅基探测器，其在不改变衬底厚度的前提下对器件的p+注入区进行设计和处理，并进行碳注入，增加产生电子‑空穴对以及产生雪崩效应的面积，从而增大器件的击穿电压，提高器件的抗辐照性能。另外，本发明引入了深沟槽环状隔离结构。与传统硅基探测器相比，不需要通过离子注入得到保护环，减小了边缘电场对器件性能的影响，并且可以在形成阵列时拥有较小的死区面积，提高集成密度，进而提高探测效率。本发明还涉及所述硅基探测器的制备方法。
一种探测器及其制备方法

[发明专利]基于无响应发包实现设备状态差异化同步执行的系统-CN202210873919.6在审
发明人： 丁明正;丁翰;郑哲哲 -专利权人：杭州控客信息技术有限公司
申请日： 2022-07-22 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： H04J3/06 文献下载
摘要：本方案公开了一种基于无响应发包实现设备状态差异化同步执行的系统，系统内的所有受控设备均处于静默状态；网关用于为每个受控设备设定延时时间；网关包括网关应用层和网关底层，受控设备包括设备底层和设备应用层；网关应用层针对每个受控设备依次向网关底层发送一次包含延时时间的控制命令包，网关底层将控制命令包发送给相应设备底层；设备底层将收到的控制命令包发送给设备应用层，设备应用层在延时时间后执行控制命令；网关在空闲状态下向受控设备发送状态请求，设备应用层将返回状态响应包。本方案提出一种新的通信机制，能够确保发包成功率，同时配合延时控制策略使设备状态差异化控制下的设备能够实现在同一时间执行。
基于响应发包实现设备状态异化同步执行系统

[发明专利]晶圆清洗设备及晶圆清洗方法-CN202010762993.1有效
发明人：金在植;张成根;林锺吉;贺晓彬;丁明正;李亭亭;刘金彪 -专利权人：中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司
申请日： 2020-07-31 - 公布日： 2022-11-04 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶圆清洗设备及晶圆清洗方法，晶圆清洗设备包括支撑盘、转轴、位置检测器、调整组件、清洗液喷嘴和控制器，支撑盘用于放置和吸附待清洗的晶圆，转轴与支撑盘连接并能够带动支撑盘旋转；位置检测器用于检测和判断晶圆是否偏离设定位置；调整组件用于移动晶圆以调整晶圆的位置；清洗液喷嘴用于向晶圆喷涂清洗液；控制器分别与支撑盘、转轴、位置检测器、调整组件以及清洗液喷嘴信号连接，用于接收位置检测器反馈的信号，以及控制支撑盘、转轴、调整组件以及清洗液喷嘴动作。本发明公开的晶圆清洗设备能够避免晶圆在清洗时因初始位置误差引起的晶边清洗宽窄不对称，进而避免了在后续工艺过程中造成缺陷，提高了产品良率。
清洗设备方法

[发明专利]全屋智能系统中多控单元的联动开关状态同步方法-CN202110653066.0有效
发明人：毛振静;周博闻;丁明正 -专利权人：杭州控客信息技术有限公司
申请日： 2021-06-11 - 公布日： 2022-10-28 - 主分类号： H04L12/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种全屋智能系统中多控单元的联动开关状态同步方法，每个多控单元包括多个联动开关，通过以下方式实现多控单元中各联动开关的状态同步：S1.一个联动开关状态改变；S2.所述的联动开关发送状态报文给单元内的其他联动开关；S3.其他联动开关接收到状态报文后依报文同步状态。本方案多控单元中的各个联动开关之间实现直接同步，无需经过网关，具有同步速度快，不受网关网络影响等优点，即使网关宕机仍然能够无障碍同步。
智能系统中多控单元联动开关状态同步方法

[发明专利]化学气相沉积装置及化学气象沉积方法-CN202110397430.1在审
发明人：蒋镇宪;白国斌;高建峰;王桂磊;丁明正;田光辉 -专利权人：中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司
申请日： 2021-04-13 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明提供一种化学气相沉积装置及化学气象沉积方法，其中化学气相沉积装置包括：供气头、载件和机箱；载件位于机箱内，载件用于承托晶圆，载件位于供气头朝向沉积方向的一侧，供气头朝向沉积方向的表面开设有喷射口，供气头用于通过喷射口向载件喷射反应气体，以对载件所承托的晶圆进行化学气相沉积；供气头朝向沉积方向的一端的外围周侧套接有保护套，喷射口位于保护套内；保护套的内壁与供气头朝向沉积方向的表面形成一反应凹槽；在供气头对载件上的晶圆进行化学气相沉积时，载件用于承托晶圆的一端位于反应凹槽内，载件与保护套间隙配合。本发明能够提高晶圆化学气相沉积的均匀性，进而提高晶圆的质量。
化学沉积装置气象方法

[发明专利]半导体设备自动化维护检测系统以及方法-CN202110267691.1在审
发明人：南兑浩;李大烨;丁明正;贺晓彬;刘强;刘金彪;王桂磊 -专利权人：中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司
申请日： 2021-03-12 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明提供的一种半导体设备自动化维护检测系统以及方法，涉及半导体技术领域，包括：获取单元用于获取半导体设备中包含的工艺单元的列表信息；记录单元用于获取每个工艺单元的维护记录，并根据该维护记录生成历史维护信息；处理单元用于根据历史维护信息对全部工艺单元进行分类，并根据该分类的结果生成分类维护信息；计划单元用于根据分类维护信息对每个工艺单元生成对应的维护计划，并根据维护计划生成维护控制信息。在上述技术方案中，在自动控制下可以保证不同工艺单元中的零部件均能够得到及时且正确的维护检测控制，保证零部件在发生问题前得到及时的维护处理，保证半导体设备能够正常运转，形成良好的工作状态。
半导体设备自动化维护检测系统以及方法

[发明专利]光学邻近修正方法、掩模版及掩模版制作方法-CN202110254793.X在审
发明人：李其衡;贺晓彬;杨涛;刘强;丁明正 -专利权人：中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司
申请日： 2021-03-09 - 公布日： 2022-09-13 - 主分类号： G03F1/36 文献下载
摘要：本公开提供一种光学邻近修正方法、掩模版及掩模版制作方法，修正方法包括：提供当层图形和与所述当层图形相邻的前层图形，所述当层图形包括多个图形单元；根据每个所述图形单元的设计参数，以及所述前层图形对每个所述图形单元的光学影响系数，将所述多个图形单元进行分组，得到多个图形组；对不同的所述图形组采用不同的光学邻近修正模型进行修正，获得修正后的掩模版图形。本公开在对当层图形进行光学邻近修正时考虑了前层图形的光学影响，可以减少因前层图形的光学影响而产生的图形错误，从而提高了光学邻近修正的精度。
光学邻近修正方法模版制作方法

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