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[发明专利]图形生成方法及掩膜版的制备方法-CN201810784631.5有效
发明人：陈譞博 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2018-07-17 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： G03F1/44 文献下载
摘要：本发明揭示了一种图形生成方法及掩膜版的制备方法，所述图形生成方法包括：提供第一坐标系，划分为多个区域并分别设定坐标，所述多个区域包括第一目标区域及其周围至少一个第一外围区域；以及，依据所述多个区域的坐标检测所述第一目标区域周围的第一外围区域中的图形，并依据所述第一外围区域中的图形生成所述第一目标区域中的图形。由此，通过外围区域中的图形限定目标区域中生成的图形，使得实际图形生成过程可控，以便获得所需要的图形，最终获得高质量的掩膜版。
图形生成方法掩膜版制备

[发明专利]电子束参数的确定方法及装置-CN202310745806.2在审
发明人：曹晨乐;陈晨;韩春营 -专利权人：中科晶源微电子技术（北京）有限公司
申请日： 2023-06-21 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： G03F1/44 文献下载
摘要：本申请提供一种电子束参数的确定方法及装置，涉及半导体技术领域，该方法包括：在版图数据对应的实际掩膜版图中进行测量，以得到量测数据，量测数据包括测量点的量测尺寸；基于点扩散函数形式，构建电子束模型；基于电子束模型，对版图数据进行仿真处理，以确定测量点对应的仿真尺寸；基于所述量测尺寸、所述仿真尺寸及代价函数，确定代价值；判断所述代价值是否满足预设条件；在所述代价值不满足预设条件的情况下，基于所述代价值，调整所述电子束模型当前的参数值，并返回执行所述基于所述电子束模型，对所述版图数据进行仿真处理，以确定所述测量点对应的仿真尺寸的步骤，直至得到电子束模型的目标参数值，从而提高了电子束模型的精度。
电子束参数确定方法装置

[发明专利]掩模板及光刻方法-CN202310721560.5在审
发明人：杨尚勇;邱杰振;颜天才 -专利权人：物元半导体技术（青岛）有限公司
申请日： 2023-06-16 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： G03F1/44 文献下载
摘要：本发明属于半导体制造技术领域，具体涉及一种掩模板及光刻方法。该掩模板包括主体区域以及相对地位于主体区域两侧的第一切割道区域和第二切割道区域；在第一切割道区域中设有第一套刻量测标志及第一不透光区域，在第二切割道区域中设有第二套刻量测标志及第二不透光区域，第一不透光区域在第一切割道区域中的位置与第二套刻量测标志在第二切割道区域中的位置相同，且第一不透光区域的尺寸大于等于第二套刻量测标志的尺寸，第二不透光区域在第二切割道区域中的位置与第一套刻量测标志在第一切割道区域中的位置相同，且第二不透光区域的尺寸大于等于第一套刻量测标志的尺寸。使用该掩模板进行光刻后，切割道区域中的套刻量测标志可以被保留下来。
模板光刻方法

[发明专利]图案尺寸测量方法、光学邻近校正模型的修正方法及装置-CN202310756331.7在审
发明人：梁涛 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2023-06-21 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： G03F1/44 文献下载
摘要：本申请实施例提供一种图案尺寸测量方法、光学邻近校正模型的修正方法及装置，该图案尺寸测量方法包括：读取量测中心点的坐标，并基于量测中心点的坐标，生成视野窗口；截取位于所述视野窗口内的待测量图案；基于所述待测量图案的顶点坐标，确定所述待测量图案的量测位置；基于所述量测位置测量所述待测量图案的尺寸。实现了大批量图案量测位置的自动提取，提高了量测位置提取以及尺寸测量的效率，进而提高了OPC模型修正的效率。
图案尺寸测量方法光学邻近校正模型修正方法装置

[发明专利]掩模倾斜角度测量装置及曝光设备-CN202311111043.2在审
发明人：谢稳;杨振;张丽丽;马卫民 -专利权人：光科芯图（北京）科技有限公司
申请日： 2023-08-31 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： G03F1/44 文献下载
摘要：本发明涉及光刻技术领域，公开了一种掩模倾斜角度测量装置及曝光设备，该掩模倾斜角度测量装置包括：光束输出部，用于输出光束；全息掩模，设置在所述光束输出部输出的光束的光路上，所述全息掩模上设有至少两个对称的斜坡；波前探测器，设置在经过所述全息掩模后的光束的光路上，用于测量经过两个所述斜坡的光束的波前；其中，所述斜坡的参数满足以预设倾斜角度经过两个所述斜坡的光束的波前差大于所述波前探测器的测量精度。本发明使用斜坡这一简单的结构，不需要进行套刻和大量复杂的采集计算，通过对波前的观察就能实现对全息掩模角度的测量，因此本发明具有精度高、成本低、操作简单的优点。
倾斜角度测量装置曝光设备

[发明专利]相移掩模、检测元件、散焦量检测方法、焦点调整方法以及器件的制造方法-CN202280014132.2在审
发明人：泷优介;矢岛海都;牛田正男;冨冈贞祐;原笃史;铃木一弘;樋口潔 -专利权人：株式会社尼康
申请日： 2022-04-22 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： G03F1/44 文献下载
摘要：本发明涉及相移掩模(100、200)，其具有基材(10)、第1半透过层(20)和第2半透过层(20)、以及遮光层(30)，在上述基材的表面形成有测量标记，该测量标记具有下述区域沿着与上述表面平行的排列方向相邻地设置的图案：配置有第1半透过层的第1区域(A1)；上述基材表面露出的第2区域(B1)；配置有上述遮光层的第3区域(C)；配置有第2半透过层的第4区域(A2)；以及上述基材表面露出的第5区域(B2)。
相移检测元件散焦方法焦点调整以及器件制造

[发明专利]掩膜版及掩膜版质量测试方法-CN202310897865.1在审
发明人：金枝;唐星;张鑫 -专利权人：长鑫科技集团股份有限公司
申请日： 2023-07-20 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： G03F1/44 文献下载
摘要：本公开提供了一种掩膜版及掩膜版质量测试方法，掩膜版包括曝光区和非曝光区，曝光区设置有主图形，非曝光区设置有至少一个图形密度监测标记，图形密度监测标记包括量测图形以及包围量测图形的密度填充图形；其中，至少一个图形密度监测标记中的密度填充图形的密集度与主图形的密集度匹配，图形密度监测标记中的量测图形的实际尺寸和目标尺寸的偏差用于监测掩膜版的质量。本公开提供的掩膜版中，通过设置包括量测图形以及密度填充图形的图形密度监测标记，通过监测量测图形的实际尺寸和目标尺寸之间的偏差，以确定主图形受图案的排布密集程度的尺寸偏差，从而确定掩膜版的质量，避免光刻工艺中采用存在缺陷的掩膜版，从而减少成本损失的风险。
掩膜版质量测试方法

[发明专利]掩膜版和半导体装置-CN202310858374.6在审
发明人：张秀璇 -专利权人：长鑫科技集团股份有限公司
申请日： 2023-07-12 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： G03F1/44 文献下载
摘要：本公开提供一种掩膜版和半导体装置，掩膜版包括基板、主掩膜图形和辅助掩膜图形，主掩膜图形和辅助掩膜图形均位于基板上，主掩膜图形的边缘包括沿预设方向间隔设置的两个预设边缘，各预设边缘均沿同一方向延伸，且预设边缘的延伸方向与预设方向相交；两个预设边缘处均间隔设置有辅助掩膜图形，且辅助掩膜图形分别靠近对应的预设边缘设置，沿预设方向，辅助掩膜图形的宽度小于主掩膜图形的宽度。在预设方向上，通过量测辅助掩膜图形与对应的预设边缘之间的间距、辅助掩膜图形的宽度以及辅助掩膜图形的位置坐标，可以推算出主掩膜图形的位置和尺寸。因此，本公开提供的掩膜版和半导体装置，可以提高获得的主掩膜图形的位置和尺寸的结果的准确度。
掩膜版半导体装置

[发明专利]一种光罩及图像校准方法-CN201911330770.1有效
发明人：熊易斯 -专利权人：武汉新芯集成电路制造有限公司
申请日： 2019-12-20 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： G03F1/44 文献下载
摘要：本发明公开了一种光罩及图像校准方法，属于半导体技术领域，光罩包括：非曝光区内设置有一标记图案，标记图案包括亮场图案和暗场图案，亮场图案和暗场图案分别包括多个具有不同关键尺寸的标准图形，且标准图形中的最小关键尺寸小于曝光区中图形的最小关键尺寸；方法包括：光罩缺陷检查台通过扫描标记图案进行图像校准；上述技术方案有益效果是：保证图像校准的准确性和精确性的同时缩短了缺陷扫描程式的建立时间，提高了光罩缺陷检查台的工作效率。
一种图像校准方法

[发明专利]掩膜版及掩膜版质量测试方法-CN202010279765.9有效
发明人：汪美里 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2020-04-10 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： G03F1/44 文献下载
摘要：本发明公开了一种掩膜版及掩膜版质量测试方法，掩膜版包括：掩膜曝光区和非掩膜曝光区；所述掩膜曝光区设置有掩膜图形；所述非掩膜曝光区设置有测试区域；所述测试区域包括至少一个测试标记；所述测试标记的设计尺寸和实际尺寸之间的偏差用于测量所述掩膜版的质量。本发明提供了一种掩膜版及掩膜版质量测试方法，以降低掩膜版容易出现质量问题而需要重新制作的风险。
掩膜版质量测试方法

[发明专利]标尺、光罩及判断阵列基板边缘曝光是否合规的方法-CN202011546602.9有效
发明人：檀小芳;宋志伟;李宝顺 -专利权人： TCL华星光电技术有限公司
申请日： 2020-12-24 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： G03F1/44 文献下载
摘要：本申请提供一种标尺、光罩及判断阵列基板边缘曝光是否合规的方法，标尺包括基准刻度线、参照刻度线、第一识别图案以及第二识别图案，第一识别图案位于基准刻度线的一侧，第二识别图案位于参照刻度线的一侧，第一识别图案和第二识别图案相对于基准刻度线和参照刻度线位于相同侧，并将该标尺应用于光罩的挡板处以及阵列基板的边缘曝光区域，通过测试识别装置识别读取第一识别图案和第二识别图案，来判断挡板的透光区或阵列基板的边缘曝光区域的曝光情况是否合规，从而减少人工误读，实现阵列基板的边缘曝光区域的洗边精度和挡板精度的实时监控，提升产品工艺生产周期。
标尺判断阵列边缘曝光是否合规方法

[发明专利]一种掩模版监测图形的布置方法-CN202310313090.9在审
发明人：尤春;杨长华;刘维维;汪志得;莫金圻 -专利权人：无锡中微掩模电子有限公司
申请日： 2023-03-28 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： G03F1/44 文献下载
摘要：一种掩模版监测图形的布置方法，在掩膜版的四角设置包括7个模块的预定图形，第一模块包括分别在clear区和dark区放置的若干组十字形图形；第二模块包括设置在clear区的不同线条宽度的横竖线条组，同一线条宽度的横竖线条组的线条间距梯次配置；第三模块包括设置在dark区的不同线条宽度的横竖线条组，同一线条宽度的横竖线条组中线条间距梯次配置；第四模块包括横线条组和竖线条组，组内线条宽度逐级递增，且线条间距相等；第五模块为回字形图形，其内部为正方形，外部是正方形环；第六模块为分布在clear区和dark区的不同尺寸的方孔；第七模块为一组呈阶梯形排布的正方形。本发明可以缩减寻找掩模版测量点的时间，从而在降低人员工作量的同时大幅提高机台产能。
一种模版监测图形布置方法

[发明专利]掩膜版、检测遮光板移动精度的方法-CN202310470712.9在审
发明人：严峰;郑海昌 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2023-04-26 - 公布日： 2023-07-07 - 主分类号： G03F1/44 文献下载
摘要：本发明提供一种掩膜版、检测遮光板移动精度的方法，提供带有特定图形的掩膜版，利用掩膜版对基片进行刻蚀形成标准片；移动两个第一遮光件和两个第二遮光件靠近中心区域，以分别对相应检测图形区域的部分进行遮挡；沿第一方向移动掩膜版，并利用掩膜版对标准片进行曝光，以得到测试片；以及根据测试片上每个套刻图形组中出现的曝光图形的图形单元的数量，判断相应遮光板的移动精度，可有效避免现有技术中的人为目检的主观判断因素，实现实时有效监控光刻机遮光板的移动精度，确保产品品质的稳定安全，且规避停机手动操作，保证生产的连续性。
掩膜版检测遮光板移动精度方法

[发明专利]光罩检测标识位置设置方法及带有具有检测标识的光罩-CN202310274709.X在审
发明人：张秀璇 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2023-03-16 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： G03F1/44 文献下载
摘要：本公开是关于一种光罩检测标识位置设置方法及带有具有检测标识的光罩，所述光罩检测标识位置设置方法包括：提供多个光罩；于所述光罩上划分图案区和非图案区；选择一光罩的非图案区与其他另一光罩的非图案区重叠的区域为标记区，于所述标记区设置检测标识。本公开通过将芯片区按照光罩层别划出用于透光的图案区，在图案区外的其他区域设置检测标识，无需增加芯片区面积即可使检测标识靠近图案区，不损失裸片数量；同时选择将检测标识设置于非图案区重叠的区域，能够达到对不同光罩间相对位置进行检测的目的，进一步提高检测有效性。
检测标识位置设置方法带有具有

[发明专利]便捷测量光掩模上光罩护膜蒙贴位移量的方法及光掩模-CN202211623777.4在审
发明人：田正洲;葛海鸣;包忍 -专利权人：广州新锐光掩模科技有限公司
申请日： 2022-12-16 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： G03F1/44 文献下载
摘要：本申请提供一种便捷测量光掩模上光罩护膜蒙贴位移量的方法及光掩模，涉及光掩模的技术领域，其步骤如下：在光掩模表面设置标尺，标尺以光掩模表面设置的定位线为基准，标尺每格度数的量级为微米级；蒙贴光罩护膜于光掩模的表面；通过显微镜观测光罩护膜的边沿在标尺上的读数，得出光罩护膜于光掩模表面蒙贴的位移量。通过设置标尺，利用光掩模上预先设置的标尺，对光罩护膜于光掩模表面蒙贴的位移量进行测量，只要借助显微镜辅助即可，无需使用标注差量测基台，降低了检测光罩护膜蒙贴位移量所需成本，进而降低了光掩模的整体成本。
便捷测量光掩模上光罩护膜蒙贴位移方法

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