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[发明专利]布线结构、半导体装置结构及其制造方法-CN201910979322.8在审
发明人：竺明宪;王启宇 -专利权人：日月光半导体制造股份有限公司
申请日： 2019-10-15 - 公布日： 2020-04-24 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：所述重布层包含钝化层及金属层。所述金属层嵌入在所述钝化层中，且所述钝化层具有开口以暴露所述金属层的部分。所述电衬垫位在所述钝化层的所述开口中及所述金属层上。
布线结构半导体装置及其制造方法

[实用新型]一种防钝化的高压VDMOS器件-CN202121795854.5有效
发明人：冯羽;王恒亮;张峰 -专利权人：杭州华芯微科技有限公司
申请日： 2021-08-03 - 公布日： 2022-03-18 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种防钝化的高压VDMOS器件，包括衬底、外延、金属电极和接触孔，金属电极裸露在外，其特征在于，在金属电极外部设有钝化层。本实用新型在晶圆金属电极生成之后，在晶圆表面再覆盖一层钝化保护层，利用钝化层的致密性来屏蔽外界的沾污，起到保护晶圆的作用。
一种钝化高压 vdmos 器件

[发明专利]一种重金属复合钝化剂及其制备方法与应用-CN202010715548.X有效
发明人：陶树明 -专利权人：北京中耕绿洲生态科技有限公司
申请日： 2020-07-23 - 公布日： 2021-12-14 - 主分类号： C09K17/40 文献下载
摘要：本发明公开了一种重金属复合钝化剂及其制备方法与应用。该重金属复合钝化剂由有机碳‑铁络合共沉淀物和高吸附材料螯合复配而成。其制备方法，包括如下步骤：将所述有机碳‑铁络合共沉淀物的悬浮液和所述高吸附材料混合，进行螯合反应，即得到所述重金属复合钝化剂。本发明所述的重金属复合钝化剂应用于土壤镉砷双重污染同步钝化或制备用于土壤镉砷双重污染同步钝化的产品中。本发明能实现镉、砷同时吸附与钝化，以修复镉、砷污染的土壤。
一种重金属复合钝化剂及其制备方法应用

[发明专利]一种阵列基板及其制作方法-CN201910197001.2有效
发明人：卓恩宗;刘振;雍万飞;张合静 -专利权人：惠科股份有限公司
申请日： 2019-03-15 - 公布日： 2022-06-07 - 主分类号： G02F1/1362 文献下载
摘要：所述阵列基板的制作方法包括步骤：形成衬底；在所述衬底上依次形成第一金属层、栅极绝缘层、半导体层和第二金属层；在所述第二金属层上形成钝化层；在所述钝化层上形成透明电极层；其中，所述钝化层膜厚在2000埃米到本申请通过改变钝化层的膜厚，将钝化层膜厚做在2000埃米到3000埃米之间，使钝化层的薄膜应力降低，增加了钝化层和第二金属层之间的附着力，抑制了底切的产生，提高了液晶面板的良率。
一种阵列及其制作方法

[实用新型]一种金属铸件的表面钝化处理装置-CN201920044756.4有效
发明人：朱九羊;朱若楠;潘晨;成七玲 -专利权人：泰兴市九羊机械设备有限公司
申请日： 2019-01-11 - 公布日： 2019-09-20 - 主分类号： C23C22/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及钝化的相关技术领域，具体为一种金属铸件的表面钝化处理装置，包括钝化浸入池，钝化浸入池的上端焊接有液压升缩杆，液压升缩杆的上端焊接有连接杆，连接杆的底端焊接有弹簧，弹簧的底端焊接有安装板，安装板焊接在放置框的上段内壁上，放置框上开设有第一通孔；有益效果为：该装置通过将金属铸件放置在钝化池中，且通过装置可进行上下运动，使其钝化表面浸入更加完整；通过将金属铸件放置在可进行前后移动的放置板上，且在钝化上面之后，将金属铸件捞起进行反面浸入
金属铸件浸入焊接钝化表面钝化处理安装板放置框连接杆升缩杆上端弹簧底端本实用新型钝化表面前后移动上段内壁上下运动通过装置钝化池放置板通孔

[发明专利]半导体器件的金属线路图案及其制造方法-CN200710198831.4无效
发明人：白寅喆 -专利权人：东部高科股份有限公司
申请日： 2007-12-07 - 公布日： 2008-06-11 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供了一种用于半导体器件的金属线路图案的形成方法。该方法包括，在半导体衬底上形成初步结构，其具有下部阻挡金属层、金属层、和具有第一厚度的上部阻挡层和/或钝化层；移除该钝化层的上表面，使得该钝化层具有第二厚度；在该钝化层上形成次钝化层；在该次钝化层上形成附着力增强物和光致抗蚀剂图案；以及通过采用该光致抗蚀剂图案作为蚀刻掩模蚀刻该初步结构形成金属线路图案。
半导体器件金属线路图案及其制造方法

[发明专利]一种土壤中重金属镉污染的钝化剂及其制备方法与应用-CN202211441727.4在审
发明人：刘桂华;范成五;柴冠群;罗沐欣键;蒋亚;王丽;秦松 -专利权人：贵州省土壤肥料研究所
申请日： 2022-11-17 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： C09K17/06 文献下载
摘要：本发明属于土壤重金属污染治理与修复技术领域，本发明公开了一种土壤中重金属镉污染的钝化剂及其制备方法与应用。本发明将方解石粉末、石灰、陶瓷废料和钢渣制备得到钝化剂。供试土壤经本发明所述钝化剂处理后10个月，土壤中有效态重金属镉含量降低了29.3～29.4％。即本发明所得钝化剂钝化镉的效果优异。并且本发明所述钝化剂在处理土壤时无需特定的环境条件，可以进行原位处理，减少了人工和成本。本发明还提供了所述土壤中重金属镉污染的钝化剂的制备方法，所述制备工艺简单，无需采用大型设备，仅通过煅烧即可完成钝化剂的制备，减少了能耗。
一种土壤重金属污染钝化剂及其制备方法应用

[发明专利]一种单铝的金属熔丝处理方法-CN200910243498.3无效
发明人：叶文正;谭志辉 -专利权人：北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司
申请日： 2009-12-24 - 公布日： 2011-06-29 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明公开了一种单铝的金属熔丝处理方法，该方法包括：对晶圆钝化层上涂的光刻胶进行曝光和显影处理，获得露出金属熔丝区钝化层的第一开口；对晶圆进行气体刻蚀，去除所述第一开口区域中的钝化层；对钝化层上重新涂的光刻胶进行曝光和显影处理，获得露出压焊点区域钝化层的第二开口；重新对晶圆进行气体刻蚀，去除所述第二开口区域中的钝化层。应用本发明实施提供的方法解决现有技术中因金属熔丝上钝化层的开口与压焊点钝化层的开口尺寸不一致，导致金属熔丝刻断或压焊点刻蚀后存在残留等问题。
一种金属处理方法

[实用新型]一种用于机械制造的钝化设备-CN202220327860.6有效
发明人：王波;张崎静 -专利权人：扬州工业职业技术学院
申请日： 2022-02-12 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： C23C22/00 文献下载
摘要：本实用新型属于钝化设备技术领域，且公开了一种用于机械制造的钝化设备，包括基座，所述基座顶部安装有储液箱，且基座顶部靠近储液箱的一侧安装有电动推杆，所述电动推杆的伸缩端安装有基板，所述基板顶部固定连接有第一电机本实用新型通过挂钩悬挂需要钝化的金属材料，通过第二电机带动顶板转动，从而带动金属材料移动至储液箱上方，通过电动推杆带动顶板和金属材料下降，通过储液箱内部的钝化液对金属材料钝化，通过第二电机和电动推杆配合，让装置可以进行流水式作业，大大降低了金属材料的钝化难度，提高了金属材料的钝化效率。
一种用于机械制造钝化设备

[发明专利]半导体结构及其制造方法-CN201610297864.3有效
发明人：王晓东 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2016-05-06 - 公布日： 2019-09-27 - 主分类号： H01L21/56 文献下载
摘要：一种半导体结构及其制造方法，所述方法包括：提供基底；在基底上形成具有第一开口的顶层金属层；形成位于第一开口底部基底上的第一底层钝化层、位于顶层金属层上且与第一底层钝化层分立的第二底层钝化层；形成覆盖顶层金属层、第一底层钝化层和第二底层钝化层的导电层，导电层具有第二开口，第二开口侧壁与第一底层钝化层侧壁齐平；在第二开口底部、侧壁和部分导电层上形成顶层钝化层。本发明通过形成第一底层钝化层和第二底层钝化层，使导电层中第二开口的侧壁与第一底层钝化层的侧壁齐平，因此，第一底层钝化层的顶部拐角区域，导电层无拐角存在，从而减小顶部拐角区域顶层钝化层因承受过大的应力而断裂的问题
半导体结构及其制造方法

[实用新型]一种金属粉钝化装置-CN202020793818.4有效
发明人：李姗姗 -专利权人：郑州晨曦新材料有限公司
申请日： 2020-05-14 - 公布日： 2020-12-08 - 主分类号： C23C22/73 文献下载
摘要：本实用新型涉及金属粉加工领域，尤其涉及一种金属粉钝化装置，包括钝化罐，所述钝化罐顶部通过转动组件一设置有进料管，进料管顶部设置有进料斗，进料管底部伸入钝化罐内上部，且进料管底部为弯折状；所述钝化罐底部中心位置设有出料口，钝化罐底部还设置有用于向钝化罐内输送钝化剂的输送管，所述输送管的尾部穿过出料口垂直设于钝化罐内，钝化罐内的输送管上还连通设置有喷射支管，喷射支管上设有喷孔，所述输送管与出料口同轴心，且输送管外径小于出料口直径，出料口上设置有用于阻挡出料口的开合组件，所述钝化罐通过管道连接有真空泵；本实用新型结构简单，工作效率高，使得金属粉钝化更彻底、充分。
一种金属钝化装置

[发明专利]半导体器件和用于形成半导体器件的方法-CN201910283859.0在审
发明人： J.P.康拉特;W.贝格纳;R.埃斯特夫;R.盖斯贝格尔;F.格拉泽;J.希尔森贝克;R.K.约施;S.克拉姆普;S.克里韦克;G.卢皮纳;楢桥浩;A.韦尔克尔;S.韦勒特 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2019-04-10 - 公布日： 2019-10-22 - 主分类号： H01L23/29 文献下载
摘要：一种半导体器件，其包括布置在半导体衬底上的接触金属化层、布置在半导体衬底上的无机钝化结构、以及有机钝化层。位于接触金属化层和无机钝化结构之间的有机钝化层垂直地位于比位于无机钝化结构顶部上的有机钝化层的一部分更靠近半导体衬底的位置。
半导体器件有机钝化层钝化结构衬底半导体接触金属化层垂直地

[发明专利]一种硼基金属钝化剂及其制备方法-CN202210731208.5在审
发明人：张由贵;张复修;徐钦峰;王效勇 -专利权人：淄博凯美可工贸有限公司
申请日： 2022-06-24 - 公布日： 2022-10-11 - 主分类号： B01J33/00 文献下载
摘要：本发明属于金属钝化剂生产技术领域，涉及一种硼基金属钝化剂及其制备方法。所述硼基金属钝化剂为硼酸‑双氧水反应液与碳酸铈的混合物，制备工艺简单。与现有技术相比，该金属钝化剂有效组份含量高，热分解温度高，粘度小，无腐蚀无异味，加注方便，能保持催化剂微反活性在加钝化剂前后维持在62左右不下降。该硼基金属钝化剂在催化裂化装置中使用，可不变更原有催化剂装置的各项工艺条件，加注使用方便，且不产生危废、氢烷比更低。
一种基金钝化剂及其制备方法

[实用新型]一种抗氧化PP-R铜管-CN201921287916.4有效
发明人：梁娟;王伟 -专利权人：浙江爱康实业有限公司
申请日： 2019-08-09 - 公布日： 2020-05-26 - 主分类号： F16L9/147 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种抗氧化PP‑R铜管，其特征在于，包括：一内层铜管和包裹在所述内层外部的外层抗热氧老化PP‑R管，所述外层抗热氧老化PP‑R管的表面覆盖有经过铜金属钝化剂钝化处理的铜金属钝化膜。本实用新型提供的抗氧化PP‑R铜管，采用内外双管结合结构，结构简单合理，在外层抗热氧老化PP‑R管加入铜金属钝化剂形成一层铜金属钝化膜，有效防止内层铜管对外层抗热氧老化PP‑R管热氧化降解作用。同时铜金属钝化剂也有效防止内层铜管的氧化变色。
一种氧化 pp 铜管

[发明专利]一种背接触晶体硅异质结太阳能电池及制备方法-CN201810011692.8在审
发明人：沈辉;林文杰;梁宗存;吴伟梁;包杰;刘宗涛;赵影文 -专利权人：中山大学
申请日： 2018-01-05 - 公布日： 2018-07-24 - 主分类号： H01L31/074 文献下载
摘要：本发明公开了一种背接触晶体硅异质结太阳能电池，所述太阳能电池包括：硅基体、第一钝化层、第二钝化层、减反射薄膜、金属氧化物反射极、金属电极、LiFx薄膜；第一钝化层沉积在所述硅基体上表面；减反射薄膜沉积在第一钝化层的上表面；第二钝化层沉积在所述硅基体下表面；金属氧化物反射极沉积在第二钝化层的下表面的一端，LiFx薄膜沉积在第二钝化层的下表面的另一端；金属电极蒸镀在所述金属氧化物反射极和LiFx薄膜的下表面；金属氧化物反射极和LiFx薄膜之间设置有空隙；金属氧化物反射极为太阳能电池的正极，金属电极为所述太阳能电池的负极。本发明通过设置金属氧化物反射极，避免了由发射极引起的寄生性吸收、俄歇复合和“死层”问题。
钝化层金属氧化物反射极下表面沉积太阳能电池硅基体薄膜异质结太阳能电池减反射薄膜金属电极背接触晶体硅上表面正极负极薄膜沉积俄歇复合发射极寄生性金属电反射死层蒸镀制备吸收

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