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[发明专利]智能卡芯片的加工方法及智能卡芯片-CN201911042325.5在审
发明人：熊伟;陈华伦 -专利权人：华虹半导体(无锡)有限公司
申请日： 2019-10-30 - 公布日： 2020-01-24 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：所述方法包括：提供具有至少一个金属顶层的智能卡芯片；在至少一个金属顶层上沉积钝化层；对钝化层进行平坦化处理；对至少一个金属顶层中的目标金属顶层上方的钝化层通过刻蚀工艺进行去除，使目标金属顶层暴露在外；在钝化层和目标金属顶层上涂布聚亚酰胺层；对目标金属顶层上方的聚亚酰胺层进行去除形成引脚通孔，使目标金属顶层通过引脚通孔暴露在外。本申请通过在金属顶层沉积钝化层后，通过对钝化层进行平坦化处理，从而使智能卡芯片的表面变得平坦，在受到压力时能够较为均匀地受力，同时，通过在钝化层上设置聚亚酰胺层，能够进一步增加缓冲作用和机械性能，提高了智能卡芯片的抗压性能
顶层智能卡芯片目标金属钝化层聚亚酰胺层金属沉积钝化层平坦化处理去除通孔引脚机械性能芯片制造技术缓冲作用抗压性能刻蚀工艺暴露申请受力平坦加工

[发明专利]一种GaN HEMT器件及其制备方法-CN201810528016.8有效
发明人：刘洪刚;孙兵;常虎东 -专利权人：苏州闻颂智能科技有限公司
申请日： 2018-05-29 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：该GaN HEMT器件包括N型帽层、第一钝化层、第一介质层；N型帽层、第一钝化层和第一介质层的中部贯通设有栅金属区；第二钝化层形成于栅金属区内并覆盖暴露于栅金属区内的N型帽层、第一钝化层和第一介质层的侧表面以及势垒层的部分上表面；第二介质层形成于栅金属区内并层叠于第二钝化层上；栅金属层覆盖形成于暴露于栅金属区内的势垒层的剩余上表面、第二钝化层及第二介质层上；第二钝化层和第二介质层叠置在栅金属层的两侧。采用N型帽层来降低源漏的寄生电阻，采用侧墙工艺制作叠置在栅金属层两侧的第二钝化层及第二介质层，来缩小栅长尺寸和降低寄生电容，从而获得具有优异射频特性的GaN HEMT器件。
一种 gan hemt 器件及其制备方法

[发明专利]一种农田土壤重金属污染的修复方法-CN201910351179.8有效
发明人：王祺;郭丽莉;熊静;李书鹏;何玮淑;宋倩;王蓓丽;阎思诺 -专利权人：北京建工环境修复股份有限公司
申请日： 2019-04-28 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： B09C1/00 文献下载
摘要：本发明属于土壤保护技术领域，具体涉及一种农田土壤重金属污染的修复方法。该方法采用重金属钝化剂与土壤混合均匀，养护后种植第一农作物，然后种植超富集植物，同时施加重金属活化剂，再然后施加钝化剂，种植第二农作物后，先施加重金属钝化剂可以有效降低重金属淋失风险，同时避免重金属富集于农作物内，而后再施用重金属活化剂，种植超富集植物，吸收重金属，降低土壤中重金属的含量，植物根系未覆盖范围内土壤中的重金属由于重金属钝化剂的存在保持低淋失风险。本发明采用植物富集技术和施加重金属钝化剂的方法既可以从根本上去除重金属的问题，又可以在种植作物时对重金属进行钝化处理，提高了土壤的使用效率。
一种农田土壤重金属污染修复方法

[发明专利]一种表面聚合物钝化的稳定金属锂粉制备方法及应用-CN201910207863.9在审
发明人：林少雄;陆大班;杨立铭;曹勇 -专利权人：合肥国轩高科动力能源有限公司
申请日： 2019-03-19 - 公布日： 2019-06-14 - 主分类号： B22F1/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种表面聚合物钝化的稳定金属锂粉制备方法及应用，在惰性气体氛围中，将金属锂在有机惰性溶剂中加热到熔融状态，经分散作用得到表面未经钝化的金属锂粉；然后以带有活性基团的长链聚合物为钝化剂与表面未经钝化的金属锂粉作用，得到表面聚合物钝化的稳定金属锂粉；通过该方法制备的金属锂粉不仅有表面钝化的效果；而且经预锂化，注液后，锂粉表层的微量聚合物可以溶解在电解液中，从而释放内部的锂，所以电池内部不会存在不可溶解的锂金属，大大提高了电芯的安全性能且提高了金属锂的有效利用率
金属锂钝化锂粉表面聚合物稳定金属制备溶解惰性气体氛围有机惰性溶剂长链聚合物微量聚合物有效利用率安全性能表面钝化电池内部分散作用活性基团熔融状态电解液钝化剂预锂化锂金属电芯注液加热应用释放

[发明专利]一种钢水脱氧用包芯线-CN200610045669.8无效
发明人：孙中强;党君祥 -专利权人：沈阳东北大学冶金技术研究所
申请日： 2006-01-17 - 公布日： 2006-07-19 - 主分类号： C21C7/06 文献下载
摘要：一种钢水脱氧用包芯线，采用钝化氧化钙粉剂、钝化金属钙粉剂作为包芯原料，采用钢带或铝带为包皮材料；所采用的氧化钙粉剂、金属钙粉剂，按重量比计其比例为(2～5)∶1；所采用的钢带或铝带厚度为0.3～0.8mm内芯为氧化钙粉剂、钝化金属钙粉剂的混合物，或为复合结构，中心层为钝化金属钙粉芯，在钝化金属钙粉芯外层包裹钝化氧化钙粉，最外层采用钢带或铝带。本发明的包芯线用于钢水脱氧处理，能提高待处理钢水中金属钙的溶解度，溶解钙大于0.005％；能控制反应速度，防止钢水喷溅。对于适用于金属铝脱氧+金属钙复合脱氧的钢种，采用铝带作为包芯皮，形成钙铝复合深度脱氧，达到深度脱氧的目的。
一种钢水脱氧用包芯线

[实用新型]具有含氧气体制冷系统的钽金属表面钝化装置-CN201120077798.1有效
发明人：王治道;马跃忠;李天平;赵兵;刘建伟;张建华;雒国清;王晓伟;杨宁;李仲香;赵春霞;任志东 -专利权人：宁夏东方钽业股份有限公司
申请日： 2011-03-23 - 公布日： 2011-12-14 - 主分类号： C23C8/10 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种钽金属表面钝化装置，该钝化装置包括热处理炉以及含氧气体制冷系统，所述含氧气体制冷系统使钝化用含氧气体冷却到0℃或以下，再通入热处理炉中使钽金属表面钝化。本实用新型钽金属表面钝化装置具有如下优点：安全可靠，生产效率高，不会发生钽粉激烈氧化，得到的钽金属氧、氢含量低，并且由此制备的阳极漏电流低，电性能好。
具有氧气体制系统金属表面钝化装置

[发明专利]用于钝化金属表面的方法-CN201580018917.7有效
发明人： M·格拉博夫斯基;D·布卢彻;M·科尔特;M·布莱特曼;S·维尔塔宁 -专利权人：奥迪股份公司
申请日： 2015-03-21 - 公布日： 2018-09-11 - 主分类号： C25D13/20 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于钝化轻质金属构件(3)的金属表面(25)的方法，在该方法中，在钝化步骤(P)中将转化层(5)涂覆到轻质金属构件(3)的表面(25)上。根据本发明，进行钝化步骤(P)，在其中，在使用含水的钝化溶液的情况下在金属的构件表面(25)上产生含磷酸钙的转化层(5)，该转化层具有构件材料的和钝化溶液的氧化物和氢氧化物并且包含氨基酸。
用于钝化金属表面方法

[发明专利]具有用于化学镀镍沉积的种子层的底部凸块金属化结构-CN200880020888.8无效
发明人：托马斯·施特罗特曼 -专利权人：弗利普芯片国际有限公司
申请日： 2008-06-20 - 公布日： 2010-03-31 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：公开了一种具有用于化学镀镍沉积的种子层的底部凸块金属化(UBM)结构和方法，其涉及UBM结构，该结构包括半导体基板，至少一个最后金属层、钝化层、金属种子层以及金属化层。该至少一个最后金属层形成在半导体基板的至少一部分上。而且，钝化层形成在半导体基板的至少一部分上。另外，钝化层包括多个开口。另外，钝化层由非导电材料形成。该至少一个最后金属层通过多个开口暴露。金属种子层形成在钝化层上并覆盖多个开口。金属化层形成在金属种子层上。金属化层由化学镀沉积形成。
具有用于化学沉积种子底部金属化结构

[发明专利]MOM电容的形成方法-CN202110313014.9在审
发明人：韩国庆;吴慧慧;吴姗姗 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2021-03-24 - 公布日： 2021-07-30 - 主分类号： H01L23/522 文献下载
摘要：本发明提供了一种MOM电容的形成方法中，包括：提供半导体基底，包括相邻的第一区和第二区，在半导体基底上分别形成顶层金属层和钝化层；部分刻蚀位于第一区的钝化层露出顶层金属层的表面，以形成呈叉指形状的图案化的钝化层；以图案化的钝化层为掩膜刻蚀位于第一区的顶层金属层和部分半导体基底，以形成呈叉指状的图案化的顶层金属层和图案化的半导体基底；在图案化的钝化层表面和图案化的半导体基底的表面形成介质层，介质层覆盖图案化的钝化层、图案化的顶层金属层和图案化的半导体基底的侧壁；刻蚀位于第二区的介质层和图案化的钝化层露出顶层金属层的表面，以形成焊垫。本发明可以保持图案化的顶层金属层(叉指结构)的顶部完整。
mom 电容形成方法

[发明专利]一种促进化学钝化剂修复复合重金属污染土壤的方法-CN202310889377.6在审
发明人：金吉媛;丁文川;李桥;曾晓岚;刘杰;黄仁莉;米瑞冬 -专利权人：中国电建集团成都勘测设计研究院有限公司
申请日： 2023-07-17 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： B09C1/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种促进化学钝化剂修复复合重金属污染土壤的方法，包括以下步骤：S1、首先向复合重金属污染土壤中加入化学钝化剂，并与污染土壤混合均匀；S2、向加入化学钝化剂的污染土壤施加直流交变电场进行处理；本发明通过直流电场的电化学效应将土壤中初始存在的低溶解性重金属化合物活化释放出重金属离子，然后利用直流交变电场使重金属离子在土壤中往复迁移移动以促进重金属离子与化学钝化剂充分反应，从而使土壤中更多的重金属与化学钝化剂形成更加稳定的化合物而实现高效快速稳定化，不仅可以提高化学钝化效果，而且可以显著减少钝化剂用量。
一种促进化学钝化剂修复复合重金属污染土壤方法

[实用新型]一种金属铸件表面钝化装置-CN202221294757.2有效
发明人：郭庆军;王蕾;董世强;郭帅;常鹏 -专利权人：沈阳聚星机床有限公司
申请日： 2022-05-27 - 公布日： 2022-11-15 - 主分类号： C23C22/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种金属铸件表面钝化装置，包括装置本体，所述装置本体的内部两侧均安装有丝杆，两个所述丝杆外侧均套接有夹持机构，所述装置本体一侧设有喷淋机构。本实用新型通过电动推杆工作可以调节两个夹持板之间的距离，使得两个夹持板能够对不同尺寸的金属铸件进行夹持和固定，通过伺服电机工作可以带动两个丝杆发生转动，使得金属铸件能够浸泡于装置本体内部的钝化液内，同时输料泵可以将装置本体内部的钝化液通过输料管输送到喷淋板内，通过喷淋板可以对金属铸件未浸泡到钝化液中的位置进行喷淋，使得金属铸件能够全面的与钝化液接触，进而使得金属铸件的钝化更加的全面均匀，同时能够提高金属铸件钝化的效率。
一种金属铸件表面钝化装置

[发明专利]降低钝化层应力的方法及钝化层应力缓冲结构-CN202011164359.4在审
发明人：蒙飞 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2020-10-27 - 公布日： 2021-01-15 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供了一种降低钝化层应力的方法及钝化层应力缓冲结构。降低钝化层应力的方法包括提供设计版图，用于定义一带状金属层的结构，所述带状金属层包括至少一个拐角区域，拐角区域内包括一个大于180°的第一拐角和一个小于180°的第二拐角，且第一拐角和第二拐角相加为360°；修改设计版图中的第一拐角和第二拐角，以在第一拐角和第二拐角处形成应力缓冲结构；根据所述设计版图在一衬底的表面依次形成金属层和钝化层，所述钝化层的第一拐角和第二拐角处形成有钝化层应力缓冲结构。本发明提供的降低钝化层应力的方法通过改变带状金属层的结构来改变钝化层的结构，从而缓解钝化层的内部应力影响，进而减少或避免钝化层的特殊位置出现缺陷。
降低钝化应力方法缓冲结构

[发明专利]超宽带晶圆级封装匹配结构-CN202210123804.5在审
发明人：王璞;刘强;郭齐 -专利权人：成都天成电科科技有限公司
申请日： 2022-02-10 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： H01L23/538 文献下载
摘要：本申请涉及一种超宽带晶圆级封装匹配结构，包括：芯片晶圆级封装部分和PCB部分，芯片晶圆级封装部分包括：封装衬底、芯片、第一钝化层、RDL、第二钝化层、UBM和焊球。芯片包括：功能面、底面和芯片焊盘；芯片的底面镶嵌在封装衬底中，且芯片的功能面外露；第一钝化层包括：第一钝化层金属通孔；第一钝化层设置在芯片的功能面外侧，且第一钝化层金属通孔中心与芯片焊盘中心对齐；RDL包括：RDL信号线和RDL金属接地；RDL设置在第一钝化层外侧；UBM包括：信号UBM和接地UBM；UBM设置在第二钝化层中；第二钝化层设置在RDL外侧；芯片通过焊球和PCB部分垂直互连；其中，RDL信号线设置有匹配节，用于调节第一钝化层金属化通孔和信号UBM之间的阻抗失配。
宽带晶圆级封装匹配结构

[发明专利]凸点及其形成方法-CN200910197082.2无效
发明人：王津洲 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2009-10-13 - 公布日： 2011-05-04 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：其中凸点的形成方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有金属垫层和钝化层，所述金属垫层镶嵌于钝化层中，且通过钝化层上的开口暴露出金属垫层；在钝化层开口内的金属垫层及钝化层上形成金属屏蔽层；在金属屏蔽层上形成光刻胶层，所述光刻胶层上有与金属垫层位置对应的开口；在光刻胶层开口内的金属屏蔽层上形成籽晶层和凸点下金属层；去除光刻胶层后，刻蚀去除金属垫层位置以外的金属屏蔽层；在金属屏蔽层、籽晶层和凸点下金属层两侧形成侧墙；在凸点下金属层上放置凸点；回流凸点。
及其形成方法

[发明专利]半导体器件的制备方法-CN202010802342.0在审
发明人：韩瑞津;曾辉 -专利权人：广州粤芯半导体技术有限公司
申请日： 2020-08-11 - 公布日： 2020-11-10 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体器件的制备方法，将氢钝化工艺调整到在顶层金属互联层上形成第一钝化层之后，在进行氢钝化工艺时，顶层金属互联层被第一钝化层覆盖，第一钝化层可以在氢钝化工艺的升降温过程中充分抑制顶层金属互联层因热膨胀系数差导致应力失配进而引起的热应变，防止顶层金属互联层产生丘形缺陷，避免顶层金属互联层与封装引线的电连接不牢固，防止因丘形缺陷导致膜内空洞，避免顶层金属互联层与下方的导电过孔之间拉应力，最大限度地保证了互联结构的电阻完整性，提高了器件的成品率及可靠性
半导体器件制备方法

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