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- [发明专利]半导体封装-CN202310357676.5在审
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朴珉庆;宋生燮;郑锜泓
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三星电子株式会社
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2023-04-04
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2023-10-27
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H01L23/498
- 一种半导体封装包括衬底、设置在衬底上的第一芯片结构、设置在衬底上的第二芯片结构、设置在第一芯片结构和第二芯片结构之间的至少一个控制器、以及接合线结构,该至少一个控制器包括设置于在第一方向上彼此相对的边缘上的边缘焊盘、以及设置在边缘焊盘之间的中心焊盘。衬底包括:第一接合焊盘,沿垂直于第一方向的第二方向布置;以及第二接合焊盘,沿第二方向布置在第一接合焊盘与第一芯片结构之间的空间和第一接合焊盘与第二芯片结构之间的空间中的至少一个空间中。接合线结构包括将边缘焊盘连接到第一接合焊盘的第一接合线结构、以及将中心焊盘连接到第二接合焊盘的第二接合线结构。
- 半导体封装
- [发明专利]用于低温接合的结构和方法-CN202310947688.3在审
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塞普里昂·艾米卡·乌卓
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艾德亚半导体科技有限责任公司
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2017-10-25
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2023-10-27
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H01L23/498
- 一种制造组件的方法,其可包含将在第一基板的第一表面处的第一电性传导元件的顶表面与在第二基板的主要表面处的第二电性传导元件的顶表面并置。其中为下列中之一者:所述第一传导元件的所述顶表面可下凹至所述第一表面之下,或所述第二基板的所述顶表面可下凹至所述主要表面之下。电性传导纳米粒子是被设置在所述第一传导元件和所述第二传导元件的所述顶表面之间。所述传导纳米粒子具有的长度尺寸是小于100纳米。所述方法亦可包含至少在所述经并置的第一传导元件和第二传导元件的界面处提高温度到一结合温度,在所述结合温度时所述传导纳米粒子可造成冶金结合形成于所述经并置的第一传导元件和第二传导元件之间。
- 用于低温接合结构方法
- [发明专利]半导体装置-CN202310259408.X在审
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小平悦宏;关野裕介;伊藤太一
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富士电机株式会社
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2023-03-10
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2023-10-27
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H01L23/498
- 本发明提供抑制并联连接的多个半导体芯片的电流不平衡的半导体装置。布线板在短边侧具备输出部分,在短边侧具备与半导体芯片的输出电极电连接的纵向连接部分及横向连接部分。此时,纵向连接部分从输出部分侧的端部沿着长边形成有狭缝。由此,从配置于距端子接合区最近的位置的半导体芯片输出的电流经由纵向连接部分和横向连接部分直到到达布线板的输出部分为止。该电流路径与从配置于距端子接合区最远的位置的半导体芯片输出的电流到达布线板的输出部分为止的电流路径之差变小。
- 半导体装置
- [发明专利]焊盘结构和电子器件-CN202211625257.7有效
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吕慧瑜;罗杰馨;柴展
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上海功成半导体科技有限公司
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2022-12-16
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2023-10-27
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H01L23/498
- 本申请的实施例提出了一种焊盘结构和电子器件。焊盘结构包括衬底、第一绝缘膜层、BPSG绝缘膜、阻隔层、金属电极和打线,第一绝缘膜层设置衬底的一侧;BPSG绝缘膜设置在第一绝缘膜层远离衬底的一侧,BPSG绝缘膜上形成有槽结构,槽结构贯穿BPSG绝缘膜;一部分阻隔层设置在BPSG绝缘膜远离衬底的一侧,另外一部分阻隔层设置在槽结构内并与第一绝缘膜层贴合;金属电极设置在阻隔层远离衬底的一侧,打线设置在金属电极远离衬底的一侧。根据本申请实施例中的焊盘结构,其在BPSG绝缘膜上形成多个槽结构,如此,能够减少BPSG绝缘膜与阻隔层的接触面积,并以此减少金属电极从第一绝缘膜层剥离的风险,提高焊盘结构的可靠性。
- 盘结电子器件
- [发明专利]半导体封装件-CN201910358470.8有效
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金炳镐;崔在薰;崔朱伶
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三星电子株式会社
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2019-04-30
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2023-10-27
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H01L23/498
- 本发明提供一种半导体封装件,所述半导体封装件包括:连接构件,具有彼此背对的第一表面和第二表面,并包括至少一个绝缘层和重新分布层,所述重新分布层包括贯穿所述绝缘层的过孔和连接到所述过孔并位于所述绝缘层的上表面上的RDL图案;半导体芯片,设置在所述第一表面上,并包括连接到所述重新分布层的连接焊盘;以及包封剂,设置在所述第一表面上并包封所述半导体芯片。所述重新分布层包括设置在所述绝缘层的表面上的种子层和设置在所述种子层上的镀层。所述绝缘层和所述种子层的构成所述过孔的部分之间的界面包括第一凹凸表面,所述第一凹凸表面具有30nm或更大的表面粗糙度。
- 半导体封装
- [实用新型]功率模块-CN202320283677.5有效
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林曦
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美垦半导体技术有限公司
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2023-02-21
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2023-10-27
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H01L23/498
- 本实用新型公开了一种功率模块,所述功率模块,包括:基板,所述基板设有第一导电线路;芯片,所述芯片设于所述基板且与所述第一导电线路焊接连接;绝缘层,所述绝缘层覆盖所述芯片和所述基板,所述绝缘层设有朝向所述芯片延伸的第一走线通道;第二导电线路,所述第二导电线路位于所述绝缘层的背离所述第一导电线路的一侧,所述第二导电线路通过填充于所述第一走线通道的第一导电金属件与所述芯片电连接。本申请提出的功率模块通过第二导电线路和第一导电金属件代替相关技术中的键合铝线,有效降低系统寄生电感。
- 功率模块
- [发明专利]一种高密度IC封装载板-CN202310951854.7在审
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王桂;胡良峰;周维
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江西天佑半导体有限公司
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2023-07-31
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2023-10-24
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H01L23/498
- 本发明公开了一种高密度IC封装载板,包括基板和导电铜层,在所述基板上阵列分布有若干个封装单元,每个封装单元的正面由多个独立、隔断的导电铜层形成对应数量的导电板功能区,在基板上每个封装单元的两侧设有多个通孔,所述通孔内设有侧铜壁,通孔的数量与导电板功能区数量一致,并且每个导电板功能区的导电铜层对应连接其中一个通孔侧铜壁,每个封装单元的背面设有与通孔一一对应的由导电铜层形成的引脚焊盘,且引脚焊盘的导电铜层与对应通孔侧铜壁连通,每个封装单元两侧的切割线与多个通孔的中心线重合。本发明的IC封装载板省去了引脚电镀、引脚折弯等工序,精简了封装流程,缩短了加工周期,提升了生产效率,节约了成本。
- 一种高密度ic装载
- [发明专利]半导体装置-CN202310398447.8在审
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清水康贵
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三菱电机株式会社
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2023-04-14
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2023-10-24
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H01L23/498
- 得到能够提高制造性的半导体装置。第1电路图案(5)在俯视观察时具有凹部(7)。第2电路图案(6)配置于凹部(7)。多个半导体芯片(4)接合至第1电路图案(5)之上。导线(8)将多个半导体芯片(4)的上表面电极与第2电路图案(6)连接。第2电路图案(6)的宽度随着从电流在第2电路图案(6)中流动的电流路径的上游到下游而增大。第1电路图案(5)在俯视观察时在凹部(7)的侧方具有台阶(9),凹部(7)的宽度与第2电路图案(6)的宽度的增大相匹配地阶梯状增大。
- 半导体装置
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