“卓恩宗”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果268个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]显示面板及其制备方法-CN202310851010.5在审
发明人：胡威威;卓恩宗;谢俊烽 -专利权人：滁州惠科光电科技有限公司;惠科股份有限公司
申请日： 2023-07-11 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H10K59/12 文献下载
摘要：本申请公开了一种显示面板及其制备方法，属于显示技术领域。显示面板制备方法包括：提供阵列基板，对阵列基板上依次沉积的第一有机发光层和第一阴极层进行刻蚀，得到层叠在一起的图形化第一有机发光层和图形化第一阴极；进而依次沉积第二有机发光层和第二阴极层，并在刻蚀过程中，通过图形化第一阴极保护图形化第一有机发光层，以得到图形化第二有机发光层和图形化第二阴极，进而采用相同方法得到图形化第三有机发光层和图形化第三阴极，并沉积辅助电极，以使图形化第一阴极、图形化第二阴极和图形化第三阴极相连接，制得显示面板。本申请解决了常规的显示面板制备成本较高的技术问题。
显示面板及其制备方法

[发明专利]阵列基板及其制备方法、显示面板-CN202310641324.2在审
发明人：胡威威;卓恩宗;詹仁宏;袁海江 -专利权人：滁州惠科光电科技有限公司;惠科股份有限公司
申请日： 2023-05-31 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本申请提供一种阵列基板及其制备方法、显示面板。阵列基板包括基板、栅极、像素电极、绝缘层、漏极、保护层和公共电极，所述栅极和所述像素电极设于所述基板的同一侧，所述像素电极与所述栅极同层并间隔设置，所述绝缘层覆盖所述栅极和所述像素电极，所述漏极位于所述绝缘层背离所述基板的一侧，所述保护层设于所述绝缘层背离所述基板的一侧，所述保护层覆盖所述漏极，所述公共电极的至少部分设于所述保护层背离所述绝缘层的一侧，所述公共电极与所述漏极和所述像素电极电连接。本申请的技术方案能够提升公共电极与薄膜晶体管电连接的稳定性并且简化阵列基板的制备流程。
阵列及其制备方法显示面板

[发明专利]薄膜晶体管、集成栅极驱动电路及显示面板-CN202310621003.6在审
发明人： 卓恩宗;董浩;袁海江 -专利权人：滁州惠科光电科技有限公司;惠科股份有限公司
申请日： 2023-05-26 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本申请提供一种薄膜晶体管、集成栅极驱动电路及显示面板，所述薄膜晶体管包括绝缘层、有源层、第一电极和第二电极，所述绝缘层的能隙在4.0ev‑6.7ev之间，所述绝缘层与所述有源层层叠设置，所述有源层的材料包括非晶硅，所述第一电极和所述第二电极位于所述有源层背离所述绝缘层的一侧，所述第二电极与所述第一电极间隔设置，所述第二电极与所述第一电极通过所述有源层连通。本申请的技术方案能够提高薄膜晶体管中的绝缘层的能隙，从而降低有源层的光退化。
薄膜晶体管集成栅极驱动电路显示面板

[发明专利]显示面板及其制作方法-CN202111141938.1有效
发明人：夏玉明;卓恩宗;袁海江 -专利权人：惠科股份有限公司
申请日： 2021-09-28 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： G02F1/1343 文献下载
摘要：本申请公开了一种显示面板及其制作方法，所述显示面板的制作方法，包括步骤：提供一衬底基板；在所述衬底基板上形成有机材料层；在所述有机材料层上形成透明导电层；对所述透明导电层进行氧化处理；形成显示面板。通过上述方案，以提高透明导电层的抗干扰能力。
显示面板及其制作方法

[发明专利]阵列基板及其制备方法，显示面板-CN202310606738.1在审
发明人：胡威威;卓恩宗;袁海江 -专利权人：惠科股份有限公司
申请日： 2023-05-25 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： H10K59/80 文献下载
摘要：本申请提供一种阵列基板及其制备方法，显示面板，阵列基板包括薄膜晶体管、依次层叠设置于薄膜晶体管的第一导电层、反射层、第二导电层和半导体层，薄膜晶体管包括第一区域和第二区域，第一导电层、反射层和第二导电层位于第一区域和第二区域，半导体层位于第一区域，位于第一区域的第一导电层、反射层、第二导电层和半导体层配合形成第一阳极结构，第一阳极结构用于与第一发光层连接，第一发光层的发光颜色为蓝色，位于第二区域的第一导电层、反射层和第二导电层配合形成第二阳极结构，第一阳极结构的厚度大于第二阳极结构的厚度。本申请的技术方案能够解决OLED显示器出现暗点的问题。
阵列及其制备方法显示面板

[发明专利]背光模组及其制备方法、显示面板-CN202210759042.8有效
发明人： 卓恩宗;夏玉明;张合静;林春燕;康报虹 -专利权人：惠科股份有限公司
申请日： 2022-06-30 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本申请提供一种背光模组及其制备方法、显示面板，制备方法包括：在基板上形成初始半导体层，所述初始半导体层的材质包括非晶硅或非晶金属氧化物；以及，以预设温度区间在所述初始半导体层上形成磊晶叠层，并使所述初始半导体层在所述预设温度区间形成半导体层，所述半导体层的材质包括微晶硅或微晶金属氧化物。本申请的技术方案能够保证较佳的电子迁移率的同时不对基板造成损伤。
背光模组及其制备方法显示面板

[发明专利]石墨烯导电薄膜的制备方法、以及薄膜晶体管和显示装置-CN202110100183.4有效
发明人：夏玉明;卓恩宗;余思慧 -专利权人：北海惠科光电技术有限公司;惠科股份有限公司
申请日： 2021-01-25 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： H01L29/41 文献下载
摘要：本发明公开一种石墨烯导电薄膜的制备方法、以及薄膜晶体管和显示装置，其中，石墨烯导电薄膜的制备方法包括以下步骤：采用原子层沉积技术在介孔二氧化硅的孔道的内壁面上沉积金属催化层；将沉积金属催化层后的介孔二氧化硅分散在第一有机溶剂中，得到分散液，将分散液制成薄膜；以薄膜为模板，采用化学气相沉积工艺制备石墨烯纳米线，并去除薄膜，得到石墨烯纳米线；将石墨烯纳米线分散至第二有机溶剂中，得到成膜液，将成膜液涂设于基板的表面，得到石墨烯导电薄膜。本发明提供的制备方法，通过原料的选择和步骤的设计，并充分结合不同工艺的优势，使制得的石墨烯导电薄膜的导电性、透明度和物理性能优良，且适合大规模生产。
石墨导电薄膜制备方法以及薄膜晶体管显示装置

[发明专利]栅极单元及其制备方法、阵列基板的制备方法、显示机构-CN202010733059.7有效
发明人：夏玉明;卓恩宗;唐崇伟 -专利权人：北海惠科光电技术有限公司;惠科股份有限公司
申请日： 2020-07-27 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本发明涉及一种栅极单元及其制备方法、阵列基板的制备方法、显示机构。该栅极单元的制备方法包括如下步骤：在衬底上设置导电层；在导电层远离衬底的一侧形成光刻胶层；对光刻胶层进行曝光处理，再经显影而在光刻胶层上形成贯通光刻胶层的凹槽，形成具有图案的光刻胶层；及在具有图案的光刻胶层上电化学沉积功能材料，然后去除光刻胶层，得到形成有图案层的导电层，得到栅极单元。采用上述制备方法得到的栅极单元能够制备充电时间较短的阵列基板。
栅极单元及其制备方法阵列显示机构

[发明专利]显示面板、显示装置及显示面板的制作方法-CN202310232012.6在审
发明人：朱虹玲;卓恩宗;袁海江 -专利权人：惠科股份有限公司
申请日： 2023-02-28 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： G02F1/1343 文献下载
摘要：本申请涉及显示领域，本申请公开了一种显示面板、显示装置及显示面板的制作方法，所述显示面板包括第一基板、第二基板和隔垫物，所述第一基板和所述第二基板对盒设置，所述隔垫物设置在所述第一基板和所述第二基板之间，所述第一基板靠近所述隔垫物的一侧设置有第一电极层，所述第二基板靠近所述隔垫物的一侧设置有第二电极层，所述隔垫物一端与所述第一电极层连接，另一端与所述第二电极层抵接，所述第二电极层与所述隔垫物抵接位置处的表面设置有多个凹坑。本申请通过以上方式，改善曲面显示面板弯曲后隔垫物位置偏移，使得曲面显示面板出现mura等显示不良的问题。
显示面板显示装置制作方法

[发明专利]过流保护电路和显示面板的驱动电路-CN202111602420.3有效
发明人： 卓恩宗;张合静 -专利权人：惠科股份有限公司
申请日： 2021-12-24 - 公布日： 2023-06-16 - 主分类号： H02H3/08 文献下载
摘要：本申请公开了一种过流保护电路和显示面板的驱动电路，过流保护电路包括第一控制模块、第二控制模块、检测支路、第一检测模块以及第二检测模块；检测支路的一端连接至第一控制模块和第二控制模块之间，另一端连接至第一检测模块和第二检测模块的输入端；检测支路上的电流为待检测电流，当第一检测模块检测到待检测电流小于一预设的第一阈值时，控制第二控制模块关断，断开负载端；当第二检测模块检测到待检测电流大于一预设的第二阈值时，控制第一控制模块关断，断开电源端。本申请通过以上方式解决电源端或负载端任一端出现大电流，可通过该过流保护电路使整个驱动电路关断，以实现过流保护。
保护电路显示面板驱动

[发明专利]一种开关元件的制备方法、阵列基板的制备方法和显示面板-CN202011327088.X有效
发明人：林春燕;卓恩宗;郑浩旋 -专利权人：北海惠科光电技术有限公司;惠科股份有限公司
申请日： 2020-11-24 - 公布日： 2023-06-16 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本申请公开了一种开关元件的制备方法、阵列基板的制备方法和显示面板，所述开关元件的制备方法包括步骤：在衬底上形成具有第一宽度的多晶硅层；在多晶硅层上依次形成栅极绝缘层、栅极金属层和蚀刻阻挡层，所述栅极金属层具有一第二宽度，所述蚀刻阻挡层具有一第三宽度；对多晶硅层进行第一次离子注入形成过渡掺杂区；对蚀刻阻挡层进行灰化处理，得到具有第四宽度的蚀刻阻挡层；进行第二次离子注入，形成重掺杂区、未掺杂区和轻掺杂区；所述第四宽度大于等于所述第二宽度；通过增加蚀刻阻挡层，改变蚀刻阻挡层的宽度完成梯度离子注入，可以减少光罩，且栅极层宽度大于等于多晶硅层宽度，可以改善短沟道效应。
一种开关元件制备方法阵列显示面板

[发明专利]一种液晶显示面板、薄膜晶体管及其制备方法-CN202011639252.0有效
发明人：夏玉明;卓恩宗;康报虹 -专利权人：北海惠科光电技术有限公司;惠科股份有限公司
申请日： 2020-12-31 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本申请适用于显示技术领域，提供了一种液晶显示面板、薄膜晶体管及其制备方法，通过在第一道光罩制程中，制备包括第一氮化物导电层、金属层和第二氮化物导电层的源漏极层及光刻胶层；和/或，在第二道光罩制程中，将第二次湿刻的持续时间缩短为85S～95S；和/或，在第二道光罩制程中，将第二次干刻的持续时间延长为40S～50S，可以有效减小接触层的拖尾大小、增大栅极层和漏源极层之间的通道长度和沟道区域的长度，使薄膜晶体管的关态电流正常，提高基于该薄膜晶体管实现的液晶显示面板的可靠性降低，降低产生画面异常的概率。
一种液晶显示面板薄膜晶体管及其制备方法

[发明专利]薄膜晶体管、显示面板以及薄膜晶体管的制作方法-CN202310297025.1在审
发明人：朱虹玲;卓恩宗;康报虹 -专利权人：滁州惠科光电科技有限公司;惠科股份有限公司
申请日： 2023-03-23 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本申请公开了一种薄膜晶体管、显示面板以及薄膜晶体管的制作方法，涉及显示技术领域，所述薄膜晶体管包括衬底、栅极、栅极绝缘层、有源层、欧姆接触层、源极和漏极，所述栅极形成在所述衬底上，所述栅极绝缘层形成在所述栅极上，所述有源层形成在所述栅极绝缘层上，所述欧姆接触层形成在所述有源层上，所述源极和漏极均形成在所述欧姆接触层上，还包括第一绝缘层，所述第一绝缘层形成在所述欧姆接触层与所述有源层之间，其中，所述第一绝缘层的膜厚为30‑50A；本申请通过以上设计，增高有源层能带势垒，阻隔空穴，降低TFT关态电流。
薄膜晶体管显示面板以及制作方法

[发明专利]薄膜晶体管的制备方法、薄膜晶体管及显示面板-CN202110554362.5有效
发明人： 卓恩宗;夏玉明;雍万飞;康报虹 -专利权人：惠科股份有限公司
申请日： 2021-05-20 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本申请公开一种薄膜晶体管的制备方法、薄膜晶体管及显示面板，其中薄膜晶体管包括衬底、栅极层、栅介质层、有源层、欧姆接触层和极性层；栅极层设置在衬底上；栅介质层覆盖在衬底和栅极层上；有源层设置在栅介质层上；欧姆接触层的数量为两个，两个欧姆接触层间隔设置于有源层上；极性层的数量为两个，两个极性层一一对应的设置于欧姆接触层背离有源层的一侧面，极性层至少包括与欧姆接触层接触的缓冲层。本申请中，缓冲层起到均化应力的作用，在后续加工时，作用应力先经缓冲层然后传递至欧姆接触层和有源层，并且使作用在欧姆接触层和有源层的挤压力更均衡，避免应力集中，从而降低对欧姆接触层和有源层上造成的损伤，有效改善显示残影问题。
薄膜晶体管制备方法显示面板

[发明专利]阵列基板及其制作方法和显示面板-CN202210448296.8有效
发明人：张合静;杨帆;刘振;卓恩宗;康报虹 -专利权人：惠科股份有限公司
申请日： 2022-04-27 - 公布日： 2023-04-21 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本申请公开了一种阵列基板及其制作方法和显示面板，所述阵列基板包括衬底和设置在所述衬底上的第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管为金属氧化物薄膜晶体管，所述第二薄膜晶体管为低温多晶硅薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管包括第一有源层，所述第一有源层至少部分结晶，所述第二薄膜晶体管包括第二有源层，所述第一有源层和第二有源层不同层设置，且所述第一有源层更靠近所述衬底。通过在沉积完金属氧化物薄膜晶体管中的金属氧化物半导体之后，进一步对金属氧化物半导体处理，使得金属氧化物半导体至少部分结晶，使得金属氧化物半导体键接更加稳定，从而提高低温多晶氧化物阵列基板中金属氧化物薄膜晶体管的迁移率和稳定性。
阵列及其制作方法显示面板

1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
下一页»
尾页
共 268 条