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[发明专利]一种后掺杂式N型接触钝化电池-CN201911036683.5有效
发明人：王伟;马志杰;张一波;顾文操;盛健;张淳 -专利权人：协鑫集成科技股份有限公司;协鑫集成科技（苏州）有限公司;张家港协鑫集成科技有限公司
申请日： 2019-10-29 - 公布日： 2021-07-06 - 主分类号： H01L31/068 文献下载
摘要：本发明公开了一种后掺杂式N型接触钝化电池，包括N型硅片、正面结构以及背面结构，背面结构包括隧穿层、n+多晶硅层、背面钝化层以及背面金属电极，隧穿层、n+多晶硅层以及背面钝化层沿渐远N型硅片的方向依次设置，N型接触钝化电池还包括本征多晶硅层和n++重掺杂区域，本征多晶硅层设于n+多晶硅层与背面钝化层之间，n++重掺杂区域贯穿本征多晶硅层，n++重掺杂区域的内端与n+多晶硅层接触，背面金属电极贯穿背面钝化层，背面金属电极的内端与n++重掺杂区域的外端接触。本发明既可以减少背面的自由载流子吸收，提升双面电池的双面率，又消除金属化区域的金属复合，进一步提升N型接触钝化电池转化效率。
一种掺杂接触钝化电池

[发明专利]一种金属化硅通孔的制备方法、金属化硅通孔及滤波器-CN202211059901.9有效
发明人：王矿伟;钱盈;赖志国;杨清华 -专利权人：苏州臻芯微电子有限公司
申请日： 2022-09-01 - 公布日： 2022-12-16 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本申请提供了一种金属化硅通孔的制备方法、金属化硅通孔及滤波器。该金属化硅通孔的制备方法包括提供衬底；在衬底的表面形成硅通孔；对硅通孔进行金属化处理，以在硅通孔内形成导电层，其中，导电层延伸至衬底的表面；在衬底表面设置有导电层的一侧形成钝化层；对钝化层进行图形化，以在钝化层形成第一开口结构，其中，第一开口结构包括第一子开口结构，第一子开口结构和硅通孔连通；对钝化层进行坚膜处理。本申请实施例提供的技术方案，避免了钝化层在坚膜处理过程中，钝化层在金属化硅通孔内挥发的气体的作用下出现鼓起或者破裂的现象，进而提高了钝化层和滤波器的良率。
一种金属化硅通孔制备方法滤波器

[发明专利]钙钛矿太阳能电池及其制备方法-CN201811459618.9有效
发明人：朱桂;安扬;田清勇;范斌 -专利权人：昆山协鑫光电材料有限公司
申请日： 2018-11-30 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： H10K30/10 文献下载
摘要：钙钛矿太阳能电池包括依次层叠的透明导电衬底、电子传输层、钝化扩散层、钙钛矿光敏层、空穴传输层以及金属电极，或者钙钛矿太阳能电池包括依次层叠的透明导电衬底、空穴传输层、钝化扩散层、钙钛矿光敏层、电子传输层以及金属电极；其中，钝化扩散层的材质为碱金属盐。上述钙钛矿太阳能电池，采用碱金属盐作为钝化扩散层，且钝化扩散层位于钙钛矿光敏层的一侧，一方面，碱金属盐能够扩散进入钙钛矿光敏层，使得晶粒更大，减少内部缺陷，从而维持器件的稳定性，另一方面钝化扩散层能够使晶界的界面钝化
钙钛矿太阳能电池及其制备方法

[实用新型]一种后刻蚀式N型接触钝化电池-CN201921832835.8有效
发明人：王伟;马志杰;张一波;顾文操;盛健;张淳 -专利权人：协鑫集成科技股份有限公司;协鑫集成科技（苏州）有限公司;张家港协鑫集成科技有限公司
申请日： 2019-10-29 - 公布日： 2020-04-07 - 主分类号： H01L31/0236 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种后刻蚀式N型接触钝化电池，包括N型硅片、正面结构以及背面结构，背面结构包括隧穿层、n+多晶硅层、背面钝化层以及背面金属电极，隧穿层、n+多晶硅层以及背面钝化层沿渐远N型硅片的方向依次设置，n+多晶硅层朝向背面钝化层的表面局部凸出并嵌入背面钝化层中，背面金属电极贯穿背面钝化层，背面金属电极的内端与n+多晶硅层的凸出部份接触，其中，n+多晶硅层的非凸出部份的厚度为10‑50nm，n+多晶硅层的凸出部份的厚度为本实用新型既可以减少背面的自由载流子吸收，提升双面电池的双面率，又消除金属化区域的金属复合，进一步提升N型接触钝化电池转化效率。
一种刻蚀接触钝化电池

[发明专利]用于半导体器件的钝化结构化和镀覆-CN202110960441.6在审
发明人： R·K·约希;A·贝伦特;R·盖斯贝格尔;A·扎茨;J·施拉明格;J·施米德;M·施塔诺夫尼克;J·施泰因布伦纳 -专利权人：英飞凌科技奥地利有限公司
申请日： 2021-08-20 - 公布日： 2022-02-22 - 主分类号： H01L21/56 文献下载
摘要：公开了用于半导体器件的钝化结构化和镀覆。在此描述了一种方法和通过该方法生产的功率半导体器件。方法包括：在半导体衬底上形成结构化的金属化层；在结构化的金属化层上形成保护层；在结构化的金属化层上形成第一钝化，其中保护层被插入在第一钝化和结构化的金属化层之间；对第一钝化进行结构化以暴露保护层的一个或多个区；移除保护层的一个或多个被暴露的区以暴露结构化的金属化层的一个或多个部分；以及在结构化第一钝化并且移除保护层的一个或多个被暴露的区之后，在第一钝化上形成第二钝化并且对结构化的金属化层的一个或多个被暴露的部分进行无电镀覆
用于半导体器件钝化结构镀覆

[发明专利]一种金属材料表面纳米级钝化膜的测试表征方法-CN202310269780.9在审
发明人：杨晓;陈洁明;潘恒沛;张先锋;刘岩;高灵清;陈庆垒 -专利权人：洛阳船舶材料研究所（中国船舶集团有限公司第七二五研究所）
申请日： 2023-03-20 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： G01N23/2251 文献下载
摘要：本发明提供一种金属材料表面纳米级钝化膜的测试表征方法，所述金属材料表面纳米级钝化膜的测试表征方法包括以下步骤：S1、将金属材料表面钝化膜试样固定在双束显微镜系统的样品台上，采用电子束沉积第一铂保护层；S2、在第一铂保护层上采用离子束沉积第二铂保护层；S3、采用离子束在第二铂保护层的一侧挖槽切取截面；S4、对截面进行离子束抛光；S5、利用电子束成像对钝化膜进行测试与表征。本发明所述的金属材料表面纳米级钝化膜的测试表征方法，对于纳米级的金属材料表面钝化膜的膜层厚度，一是可以直观进行观察，二是测试过程较简单，三是误差小，能够准确、有效的对金属材料表面钝化膜实现保护、分辨和测量
一种金属材料表面纳米钝化测试表征方法

[发明专利]显示装置-CN201310175517.X有效
发明人：侯智元 -专利权人：业鑫科技顾问股份有限公司;新光电科技有限公司
申请日： 2013-05-14 - 公布日： 2014-11-05 - 主分类号： G02F1/1343 文献下载
摘要：本发明公开一种显示装置，该显示装置的阵列基板包括基板，薄膜晶体管，第一钝化层，金属导电层，公共电极，第二钝化层，像素电极。该薄膜晶体管设置于该基板之上。该第一钝化层覆盖该薄膜晶体管。该金属导电层包括第一部分，该第一部分位于该第一钝化层之上，且该金属导电层的膜厚小于。该公共电极覆盖于该金属导电层的该第一部分之上,且与该金属导电层的该第一部分直接接触并电性导通。该第二钝化层覆盖该第一钝化层和该公共电极。该像素电极位于该第二钝化层之上。由于该公共电极部分覆盖或完全覆盖膜厚小于的该金属导电层的第一部分，因此，该公共电极的阻抗值可被有效降低。
显示装置

[发明专利]芯片的钝化层及形成芯片的钝化层的方法-CN201710551912.1有效
发明人：蒙飞 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2017-07-07 - 公布日： 2019-06-28 - 主分类号： H01L21/56 文献下载
摘要：本发明提供了芯片的钝化层和形成芯片的钝化层的方法，包括第一层、第二层、第三层和第四层，所述第一层、第二层、第三层和第四层依次重叠以包覆所述芯片。所述芯片上形成有金属凸块；所述第一层覆盖所述芯片和所述金属凸块；所述第二层覆盖所述第一层，所述第二层包括平坦部和凸出部，所述凸出部的侧壁与所述金属凸块的侧壁构成一锐角。所述凸出部的侧壁与金属凸块的侧壁形成一斜坡，减少金属凸块侧壁与芯片表面的钝化层之间的挤压。所述芯片的钝化层和形成芯片的钝化层的方法有效的减小了金属凸块侧壁和芯片表面的钝化层内部的应力，减少了钝化层出现的针孔和裂纹的几率，提高了芯片的良率和使用寿命。
芯片钝化形成方法

[发明专利]半导体器件及其制备方法-CN202211485788.0在审
发明人：张磊;柴亚玲;陶永洪 -专利权人：湖南三安半导体有限责任公司
申请日： 2022-11-24 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：该半导体器件，包括：衬底；外延层，设置在衬底上；第一钝化介质层，设置在外延层上；第二钝化介质层，设置在外延层上且与第一钝化介质层并排设置，第一钝化介质层、第二钝化介质层和外延层之间被配置为用于容纳金属电极的第一凹陷区；金属电极，设置外延层上且在第一凹陷区内，金属电极的上表面与第一钝化介质层和第二钝化介质层的上表面平齐。该半导体器件的钝化介质层的弯折很小，分散了弯曲带来的剪切应力，从而有效降低了半导体器件在升温降温过程中开裂的概率，保障了半导体器件的质量，同时有效防止了钝化介质层开裂所导致的封装材料对芯片湿气保护能力丧失的问题
半导体器件及其制备方法

[实用新型]一种钝化槽-CN201820229962.8有效
发明人：白建军 -专利权人：四川兴荣科科技有限公司
申请日： 2018-02-08 - 公布日： 2018-11-13 - 主分类号： C23C22/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种钝化槽，包括上部设有开口的槽体,槽体上滑动连接有用于固定金属工件的固定装置，槽体下部设有用于使槽体内钝化液翻滚的翻滚装置，翻滚装置包括设置在槽体下部的多个旋流曝气机，多个旋流曝气机之间通过管道连接且呈蛇形分布，管道延伸至槽体外的端部设有用于向管道内输气的气泵，将金属工件浸泡于槽体内，打开气泵，使得气泵向管道内输气，带动多个旋流曝气机对槽体内的钝化液进行空气搅拌，使得槽体内的钝化液流动起来，进而使得槽体内各部分钝化液的浓度均匀，而且空气搅拌不会使槽体内形成沉积结晶，并且流动的钝化液可以加快钝化速度，使工件各部分充分钝化，从而提高了对金属元件的钝化效果。
钝化液体内旋流曝气槽体气泵槽体下部翻滚装置空气搅拌钝化槽钝化输气本实用新型钝化效果固定金属固定装置管道连接管道延伸滑动连接金属工件金属元件蛇形沉积流动翻滚浸泡开口

[发明专利]半导体结构及其制备方法-CN201911034899.8在审
发明人：朱德龙 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2019-10-29 - 公布日： 2021-04-30 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：半导体结构的制备方法通过离子注入精确控制沟槽中金属的钝化区域，进而降低沟槽中金属的形成速率，通过控制金属在钝化层的形成速率比种子层的慢，进而能够促进沟槽内金属充分沉积，在对高深宽比的沟槽进行填充时，可以避免产生缝隙同时，离子注入可直接定义反应区域，可以精确控制金属钝化层的形成区域，增强工艺制程的控制能力；并且，金属钝化层可以作为阻挡层，无需增加去除步骤，简化制备工艺。
半导体结构及其制备方法

[发明专利]半导体器件及其制作方法-CN201811124864.9在审
发明人：林信南;刘美华;刘岩军 -专利权人：深圳市晶相技术有限公司
申请日： 2018-09-26 - 公布日： 2019-02-15 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：其中，所述制作方法包括在半导体衬底上依次形成缓冲层、势垒层和钝化层；图案化所述钝化层和所述势垒层，以形成第一阳极接触孔；在所述钝化层上和所述第一阳极接触孔内形成第一金属层；图案化所述第一金属层、所述钝化层和所述势垒层，以形成第二阳极接触孔；在所述第一金属层上和所述第二阳极接触孔内形成第二金属层；图案化所述第二金属层、所述第一金属层和所述钝化层，以形成阴极接触孔；在所述第二金属层上和所述阴极接触孔内形成第三金属层，并图案化所述第三金属层、所述第二金属层和所述第一金属层以得到阴极和阳极。
第一金属层钝化层第二金属层阳极接触图案化半导体器件势垒层阴极阳极阴极接触金属层制作电场分布器件开关缓冲层衬底半导体

[发明专利]一种焊盘结构及其制备方法-CN201210261996.2在审
发明人：彭冰清 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2012-07-26 - 公布日： 2014-02-12 - 主分类号： H01L21/48 文献下载
摘要：本发明涉及一种焊盘结构及其制备方法，包括：提供具有顶部金属层和顶部通孔的叠层；在所述叠层上沉积第一钝化层；蚀刻所述第一钝化层，形成第一开口以露出所述顶部金属层；沉积焊盘金属层，通过所述第一开口与顶部金属层相连；平坦化所述焊盘金属层；蚀刻所述焊盘金属层的两侧部分，以露出所述第一钝化层；沉积第二钝化层；蚀刻所述第二钝化层形成第二开口，以露出所述焊盘金属层。本发明中在沉积焊盘金属材料层时，增加所述焊盘金属材料层的厚度，然后执行一平坦化步骤，使所述焊盘金属材料层的表面更加平整，在进行结合线焊接过程中，所述焊接线球与所述焊盘金属材料层表面的接触面积变大，粘合力更强
一种盘结及其制备方法

[发明专利]金属箔材料的安装结构及安装方法-CN201510227238.2有效
发明人：陆军;孟郁郁;倪翔;宋效文;周康;郭胜;周志骏;刘丰 -专利权人：金螳螂精装科技（苏州）有限公司
申请日： 2015-05-06 - 公布日： 2017-03-08 - 主分类号： E04F13/075 文献下载
摘要：本发明公开了一种金属箔材料的安装结构及安装方法，所述安装结构包括基材，所述基材上还贴附有金属箔层，所述金属箔层通过水性贴箔胶贴附在基材上，所述金属箔层上包覆有钝化层；所述安装方法包括如下步骤于pH值10‑14的条件下，将金属箔置于钝化液中，使金属箔外附着一钝化层；然后再基材上涂覆一层水性贴箔胶，得到贴附有水性贴箔胶的基材，然后将金属箔贴附在所述贴附有水性贴箔胶的基材上，得到贴附有金属箔的材料；再在所述贴附有金属箔的材料上喷涂通过在pH值10‑14的条件下，形成较好厚的钝化膜，并且能够使钝化膜与金属箔的附着力强，从而使金属箔不容易氧化，抗氧化性能好。
金属材料安装结构方法

[发明专利]一种锌镀层的环保型稀土金属盐钝化液及制备方法和应用-CN202310657151.3在审
发明人：沈喜训;朱闫绍佐;徐群杰 -专利权人：上海电力大学
申请日： 2023-06-05 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： C23C22/42 文献下载
摘要：本发明提供了一种锌镀层的环保型稀土金属盐钝化液，按重量份包括以下组分：主成膜剂10份‑40份，辅助成膜剂5份‑20份，复合氧化剂2份‑15份,络合剂2份‑12份，pH值缓冲剂2份‑10份，pH值调整剂2份‑8份，去离子水120份‑200份，其中，复合氧化剂为稳定型氧化剂，锌镀层的环保型稀土金属盐钝化液的pH值为1.5‑4.0。本发明还提供了一种锌镀层的环保型稀土金属盐钝化液的制备方法以及上述锌镀层的环保型稀土金属盐钝化液在对锌镀层进行钝化处理中的应用。本发明的钝化液制备简单，稳定性好，可长期保存，符合环保要求，并且钝化液钝化处理长效性高，环保无毒，成本低廉，钝化工艺简单，能够实现镀锌产品的大规模清洁生产，同时满足镀锌产品的耐蚀性要求。
一种镀层环保稀土金属钝化制备方法应用