专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
专利下载VIP
公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
更多 »
专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
更多 »
钻瓜专利网为您找到相关结果4295106个,建议您升级VIP下载更多相关专利
  • [发明专利]显示面板-CN202211272822.6有效
  • 黄嘉辉;江志雄;王强;弓程;余明爵;蔡志辉 - 广州华星光电半导体显示技术有限公司
  • 2022-10-18 - 2023-03-24 - H01L27/12
  • 本申请提供一种显示面板,包括薄膜晶体管,薄膜晶体管包括:栅极;源极和漏极;以及金属氧化层,对应栅极设置,包括:下金属氧化层,下金属氧化层包括铟的氧化以及镧系元素的氧化;以及上金属氧化层,与下金属氧化层叠置且位于下金属氧化层靠近源极和所述漏极的表面上,源极和漏极与上金属氧化层连接,上金属氧化层包括铟的氧化以及镧系元素的氧化,上金属氧化层包括多晶相。金属氧化层包括下金属氧化层和上金属氧化层,下金属氧化层包括铟的氧化以及镧系元素的氧化,有利于包括下金属氧化层的薄膜晶体管实现高迁移率,上金属氧化层包括多晶相,有利于提高包括上金属氧化层的薄膜晶体管稳定性
  • 显示面板
  • [发明专利]用于太阳能电池的糊料、太阳能电池及其制造方法-CN202080084323.7在审
  • 鲁维尼·达马达萨;萨德·德鲁费尔 - 伯特薄膜有限责任公司
  • 2020-12-11 - 2022-09-09 - C03C8/02
  • 用于使太阳能电池(12)金属化的糊料(32)包含有机载体(44)以及含铜颗粒(46)、含金属氧化的纳米颗粒(50)和不同于所述含金属氧化的纳米颗粒(50)的第二氧化颗粒(52)的混合。第二氧化颗粒(52)包括金属氧化的颗粒(42),并且当加热时金属氧化金属能够将含金属氧化的纳米颗粒(50)中的至少一些还原为金属。经由所述有机载体的分解,有机载体(44)能够将第二氧化颗粒(52)的金属氧化还原。糊料(32)包含有机载体(44)中的颗粒(42)的混合,颗粒(42)包括金属铜颗粒(46)、纳米颗粒(50)、和金属氧化颗粒(52)。纳米颗粒(50)包括镍氧化、铜氧化、钴氧化、锰氧化和铅氧化中的至少一者。金属氧化颗粒(52)的金属氧化具有比纳米颗粒(50)中的至少一种氧化中的金属氧化更负的生成吉布斯自由能。
  • 用于太阳能电池糊料及其制造方法
  • [发明专利]混合组分材料及其制备方法-CN201710558040.1有效
  • 陈山虎;陈耀强;刘屿剑;李大成;王金凤;程永香;李云;陈启章 - 中自环保科技股份有限公司
  • 2017-07-10 - 2020-07-21 - B01J23/10
  • 本发明描述了一种混合组分材料,包括底层材料颗粒组分和外层材料颗粒组分,具有分层结构;所述底层材料颗粒组分是:铈、镨、镧等稀土金属氧化、含锆氧化、铝氧化、碱土金属氧化、碱金属金属氧化、钛氧化、硅氧化、过渡金属氧化中的一种或多种以上组分的复合组分氧化;所述外层材料颗粒组分至少有一层;所述外层材料组分是:铈、镨、镧等稀土金属氧化、锆氧化、碱土金属氧化、碱金属氧化、钛氧化、硅氧化、过渡金属氧化中的一种或多种以上组分的复合组分氧化。该混合组分材料的储氧量较高,抗老化性能好,可作为排气污染净化的功能催化材料。
  • 混合组分材料及其制备方法
  • [发明专利]形成金属氧化层图案的方法及制造半导体装置的方法-CN200810127783.4无效
  • 朴玟俊;姜昌珍;金东贤 - 三星电子株式会社
  • 2008-02-15 - 2008-11-12 - H01L21/311
  • 本发明公开了形成金属氧化层图案的方法及制造半导体装置的方法。在基板上形成金属氧化层图案的方法包括:在基板上提供初步金属氧化层;蚀刻该初步金属氧化层以提供初步金属氧化层图案,其线宽在垂直向下的方向上逐渐增加;以降低该初步金属氧化层图案的下部线宽的方式蚀刻该初步金属氧化层图案,形成金属氧化层图案。制造半导体装置的方法包括在基板上形成金属氧化层和第一导电层;蚀刻该金属氧化层以提供初步金属氧化层图案,其线宽在垂直向下的方向上逐渐增加;蚀刻该第一导电层以提供第一导电层图案;和以降低该初步金属氧化层图案的下部线宽的方式蚀刻该初步金属氧化层图案,以提供金属氧化层图案。
  • 形成金属氧化物图案方法制造半导体装置
  • [发明专利]一种金属氧化叠层场效应电极-CN201810695140.3有效
  • 吕正红;张涛;王登科 - 云南大学
  • 2018-06-29 - 2019-09-06 - H01L51/52
  • 本发明公开了一种金属氧化叠层场效应电极。该金属氧化叠层场效应电极包括多个金属条和金属氧化叠层薄膜,金属氧化叠层薄膜的第一金属氧化薄膜材料的禁带宽度小于3eV;第二金属氧化薄膜材料的禁带宽度大于3eV;第三金属氧化薄膜材料的禁带宽度小于3eV;第二金属氧化薄膜材料的禁带宽度与第一金属氧化薄膜材料的禁带宽度的差值大于1eV;第二金属氧化薄膜材料的禁带宽度与第三金属氧化薄膜材料的禁带宽度的差值大于1eV;第一金属氧化薄膜、所述第二金属氧化薄膜和所述第三金属氧化薄膜的厚度小于或等于采用本发明的金属氧化叠层场效应电极,具有光透过率高、场致导电性能好的优点。
  • 金属氧化物薄膜金属氧化物禁带电极场效应叠层叠层薄膜导电性能光透过率金属条场致
  • [发明专利]金属氧化膜结构-CN201480038097.3有效
  • 金沃律;金沃珉 - 株式公司品维斯;金沃律;金沃珉
  • 2014-07-11 - 2018-04-10 - C23C30/00
  • 本发明涉及形成于基材表面的金属氧化膜结构,涉及由于组成金属氧化膜的金属元素的原子个数和氧元素的原子个数呈现出非化学计量的特性,从而使金属氧化膜的密度致密地形成为涂敷前的金属氧化密度的90%~100%,且无裂痕及气孔的金属氧化膜结构,本发明提供金属氧化膜结构,形成于基材的表面,上述金属氧化膜结构的特征在于,当由XaYb标记的金属氧化形成为金属氧化膜结构时,上述金属氧化膜结构金属元素原子百分比大于{a/(a+b)}×100(%),其中,X为金属元素,Y为氧元素,a为金属元素原子个数,b为氧元素原子个数,上述金属氧化膜结构包含纳米结晶质粒子和纳米非结晶质粒子,用于构成上述金属氧化膜结构的粒子不伴随基于热的生长及基于热而变为结晶质,上述金属氧化膜结构无裂痕及气孔。
  • 金属氧化物膜结构

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top