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[发明专利]一种化学钝化硅片及制备方法和光伏电池片-CN202310837827.7在审
发明人： 梁宗存;旷宣飞 -专利权人：中山大学
申请日： 2023-07-10 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本申请属于光伏电池技术领域，尤其涉及一种化学钝化硅片及制备方法和光伏电池片；化学钝化硅片为在硅片表面依次生长氢化二氧化硅和二氧化钛氧化层的硅片，通过氢化二氧化硅和二氧化钛使表面原子有足够时间达到最佳能级，进而饱和悬挂键，增强少数载流子寿命，从而解决现有技术中缺乏表面钝化硅片，导致少数载流子寿命较短的技术问题。
一种化学钝化硅片制备方法电池

[发明专利]一种采用无掺杂发射极的太阳电池及其制备方法-CN202210806708.0在审
发明人：高平奇;蔡伦;徐杨兵;庞毅聪;陈甜;梁宗存;洪瑞江 -专利权人：中山大学
申请日： 2022-07-08 - 公布日： 2022-11-04 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明属于晶体硅光伏电池技术领域，具体涉及一种采用无掺杂发射极的太阳电池及其制备方法。本发明的电池结构中的发射极采用低温工艺实现，能耗低，能兼容薄硅片、不依赖于昂贵的管式扩散炉或PECVD装备，降本优势突出；电池结构中的发射极采用免掺杂的宽带隙化合物材料且置于电池背面，无需用到TCO薄膜，寄生性光学吸收较小，能够提升电池的短路电流密度。同时，电池的发射极无需掺杂，工艺大大简化，无需用到高活性金属以及易燃易爆的气体掺杂剂，有助于改善电池的整体稳定性和提升制备流程的安全性；本发明成功实现了电学优化与光学优化的解耦，能有效改善传统太阳电池结构电子选择性传输效果较差的弊端，提升电池转化效率。
一种采用掺杂发射极太阳电池及其制备方法

[发明专利]一种高效TOPCon太阳电池及其制备方法-CN202210806709.5在审
发明人：高平奇;蔡伦;徐杨兵;庞毅聪;陈甜;林豪;梁宗存 -专利权人：中山大学
申请日： 2022-07-08 - 公布日： 2022-10-21 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明属于晶体硅光伏电池技术领域，具体涉及一种高效TOPCon太阳电池及其制备方法。本发明在掺杂硅薄膜和金属电极之间插入了导电的、具有良好金属扩散阻挡效果的扩散阻挡层，从而大幅地降低了工业化TOPCon电池中掺杂硅薄膜的厚度，所述扩散阻挡层无需昂贵的PECVD装备，采用磁控溅射、热蒸发等方法即可制备，制备成本相对较低，也无需掺杂，工艺大大简化，且选用的材料具有较高的导电性，降低掺杂硅薄膜厚度的同时不会导致电学性能的恶化。此外，背面电极采用常规的铝浆及常规的丝印和烧结工艺实现，有效降低了TOPCon电池的背面硅薄膜的寄生性吸收和短路电流密度损失，并有效降低电池浆料的成本，提高电池的转化效率。
一种高效 topcon 太阳电池及其制备方法

[发明专利]一种晶体硅太阳电池-CN201910592187.1在审
发明人：沈辉;林文杰;梁宗存;吴伟梁;谢琦;刘宗涛;陈志明 -专利权人：中山大学
申请日： 2019-07-01 - 公布日： 2019-11-05 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶体硅太阳电池，包括至少一层碘化物薄膜，所述碘化物薄膜作为空穴载流子选择性接触和/或电子载流子选择性接触。本发明所述晶体硅太阳电池与HIT晶体硅太阳电池相比，具有低温、免掺杂、光电转换效率高、热稳定性能优异等特点，同时极大地简化硅基异质结太阳电池的制备工艺过程，成本低廉，节能环保，适合于大规模产业化生产。
晶体硅太阳电池选择性接触碘化物薄膜硅基异质结太阳电池光电转换效率制备工艺过程产业化生产电子载流子空穴载流子热稳定性能节能环保掺杂

[发明专利]一种硅基硫化锑异质结太阳电池及其制备方法-CN201910622847.6在审
发明人： 梁宗存;孟蓝翔;沈辉;姚志荣;张林坤;蔡伦 -专利权人：中山大学
申请日： 2019-07-10 - 公布日： 2019-11-05 - 主分类号： H01L31/074 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅基硫化锑异质结太阳电池，从上至下依次包括前电极、减反层、电子传输层、硅基体、空穴传输层和背电极；所述电子传输层的材料包含硫化锑，所述硅基体为p型单晶硅。本发明所述异质结太阳电池采用硫化锑作为电子传输层，硫化锑与p型硅能带结构能较好地匹配，有利于电子的传输，硫化锑的少子扩散长度大，可以获得较大的短路电流。本发明还公开了一种硅基硫化锑异质结太阳电池的制备方法，该方法工艺简单、低温、安全、环保、易实现，且成本优势显著，略去高温扩散p‑n结工艺，以及HIT电池制备中使用的危险气体等。
硫化锑异质结太阳电池电子传输层硅基硅基体制备空穴传输层成本优势从上至下电池制备短路电流高温扩散能带结构危险气体背电极减反层前电极少子匹配传输扩散环保安全

[发明专利]一种背接触晶体硅异质结太阳能电池及制备方法-CN201810011692.8在审
发明人：沈辉;林文杰;梁宗存;吴伟梁;包杰;刘宗涛;赵影文 -专利权人：中山大学
申请日： 2018-01-05 - 公布日： 2018-07-24 - 主分类号： H01L31/074 文献下载
摘要：本发明公开了一种背接触晶体硅异质结太阳能电池，所述太阳能电池包括：硅基体、第一钝化层、第二钝化层、减反射薄膜、金属氧化物反射极、金属电极、LiFx薄膜；第一钝化层沉积在所述硅基体上表面；减反射薄膜沉积在第一钝化层的上表面；第二钝化层沉积在所述硅基体下表面；金属氧化物反射极沉积在第二钝化层的下表面的一端，LiFx薄膜沉积在第二钝化层的下表面的另一端；金属电极蒸镀在所述金属氧化物反射极和LiFx薄膜的下表面；金属氧化物反射极和LiFx薄膜之间设置有空隙；金属氧化物反射极为太阳能电池的正极，金属电极为所述太阳能电池的负极。本发明通过设置金属氧化物反射极，避免了由发射极引起的寄生性吸收、俄歇复合和“死层”问题。
钝化层金属氧化物反射极下表面沉积太阳能电池硅基体薄膜异质结太阳能电池减反射薄膜金属电极背接触晶体硅上表面正极负极薄膜沉积俄歇复合发射极寄生性金属电反射死层蒸镀制备吸收

[发明专利]背接触异质结太阳电池及其发射极、太阳电池制备方法-CN201710369141.4在审
发明人：沈辉;吴伟梁;梁宗存;林文杰;包杰;刘宗涛;赵影文 -专利权人：中山大学
申请日： 2017-05-23 - 公布日： 2017-09-15 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明涉及太阳电池技术领域，公开了一种背接触异质结太阳电池的发射极，由上至下包括至少一层CrOx薄膜。本发明还公开了一种采用上述发射极的背接触异质结太阳电池及其制备方法。本发明可以大大提高太阳电池的效率。
接触异质结太阳电池及其发射极制备方法

[发明专利]一种尺寸可控的金属纳米颗粒的制备方法-CN201310704761.0有效
发明人：沈辉;赵晓霞;梁宗存 -专利权人：中山大学
申请日： 2013-12-20 - 公布日： 2014-04-02 - 主分类号： B22F9/00 文献下载
摘要：一种尺寸可控的金属纳米颗粒的制备方法：S1.在清洗过基底上平铺一层食盐细粒；S2.用物理或化学沉积方法在基底上沉积5-20nm厚金属薄膜；S3.将样品于惰性气氛中退火处理：280~300℃保温10~20min，升温至430~450℃保温10~20min，再升温至580~600℃保温10~20min，在惰性气氛中冷却至室温；S4.去离子水中超声处理30-60min；S5.将步骤S4所得在2500-6000rpm转速下离心分离，移去上层清液；之后进行洗涤：用去离子水洗涤，在2500-6000rpm的转速下离心分离，移走上层清液；重复洗涤3次以上；S6.将步骤S5所得沉淀物烘干：在55~65℃保温10~30min，升温至85~95℃保温10~30min，自然冷却至室温，即得。本方法环境友好、反应条件温和且尺寸均匀可控，对设备的精细度要求降低，且制备中因涉及较少种类化学物质因而目标产物纯度更高。
一种尺寸可控金属纳米颗粒制备方法

[发明专利]一种MWT晶体硅太阳能电池的制备方法-CN201310226645.2有效
发明人： 梁宗存;郑付成 -专利权人：中山大学
申请日： 2013-06-08 - 公布日： 2013-11-27 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种MWT晶体硅太阳能电池制备方法，含如下工序：采用激光在硅基体上制作导电通孔；采用酸或碱在开孔之后的硅基体前后表面制绒；磷或硼扩散，在硅基体前表面形成N+或P+发射极结构；在硅基体上下表面生长热二氧化硅；在硅基体的背面选择性印刷抗HF腐蚀掩膜浆料，在导电通孔周围形成抗HF腐蚀掩膜；采用HF清洗硅基体前后表面的二氧化硅；去除抗HF腐蚀掩膜层，露出导电通孔周围的二氧化硅；在硅基体前表面镀减反射膜作为受光面；丝网印刷灌孔浆料、背面铝浆、正面银浆、背面银浆，烧结形成MWT晶体硅太阳能电池，该方法制成的MWT太阳电池在增加光的吸收与提高组件效率的同时具有很好的背面钝化与隔离效果。
一种 mwt 晶体太阳能电池制备方法

[发明专利]一种交叉垂直发射极结构晶体硅太阳能电池的制备方法-CN201310226654.1无效
发明人： 梁宗存;郑付成 -专利权人：中山大学
申请日： 2013-06-08 - 公布日： 2013-10-09 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种交叉垂直发射极结构晶体硅太阳能电池的制备方法，含以下步骤：选取硅基体，预处理后，采用激光或采用化学湿法刻蚀方法在硅基体的前表面进行开槽，形成交叉垂直结构的开槽，对开槽后的硅基体清洗损伤后，在硅基体前表面和交叉垂直结构的开槽结构内进行制绒，形成减反射结构；进行磷或硼扩散，在前表面形成发射极结构；在前表面沉积钝化减反射膜；丝网印刷背面导电电极和背面电场，在前表面的横向槽或纵向槽上丝网印刷导电浆料制备细栅线，烧结形成金属电极与硅基体之间的欧姆接触，制成交叉垂直发射极结构的晶体硅太阳能电池。该方法工艺简单，与当前产业化生产线完全兼容，适合于大规模生产，具有很好的应用前景。
一种交叉垂直发射极结构晶体太阳能电池制备方法

[发明专利]一种适用于背接触晶体硅太阳电池的测试平台-CN201310227224.1有效
发明人： 梁宗存;郑付成;白路 -专利权人：中山大学
申请日： 2013-06-08 - 公布日： 2013-10-02 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种适用于背接触晶体硅太阳电池的测试平台，包括主支架平台、测试系统、吸附系统和温控系统，所述主支架平台作为背接触晶体硅太阳电池的载物台，所述测试系统、吸附系统和温控系统同时集成在所述主支架平台中。本发明测试平台适用于背接触晶体硅太阳电池的测试，包括MWT太阳电池，EWT太阳电池以及IBC太阳电池等，具有结构简单，功能齐全，测量成本低且操作简单的特点。
一种适用于接触晶体太阳电池测试平台

[发明专利]一体式多功能烧结炉温度巡检仪运载器-CN201210469022.3有效
发明人： 梁宗存;白路;沈辉;易施光 -专利权人：中山大学
申请日： 2012-11-19 - 公布日： 2013-02-27 - 主分类号： F27D21/00 文献下载
摘要：本发明属于一种烧结炉温度巡检仪载运装置。具体公开一种一体式多功能烧结炉温度巡检仪运载器，包括电池片架和仪器托盘，所述电池片架和仪器托盘上都固定连接有手柄，所述电池片架上横向地设置有若干用于支撑热电偶线头的支撑杆，所述电池片架的边框上还活动的铰接有若干用于支撑热电偶线头的转杆，所述支撑杆和转杆上均设有若干能在支撑杆上能滑动的用于压住热电偶线头的压块。该温度巡检仪运载器体积小，安装方便，使用寿命长，可实现烧结炉温度顺利在线检测，有效地解决了温度巡检仪在测量烧结炉温度过程中，硅片破碎后热电偶线头漏下，从而被输送网绞断的问题；同时还解决了晶体硅太阳电池片下表面温度不容易测到及温度巡检仪放置与收取不方便的问题。
体式多功能烧结炉温度巡检运载

[发明专利]一种发射极卷包晶体硅太阳能电池的制备方法-CN201110038480.7有效
发明人： 梁宗存;张为国;沈辉 -专利权人：中山大学
申请日： 2011-02-15 - 公布日： 2012-08-15 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种发射极卷包晶体硅太阳能电池的制备方法，该方法利用激光在硅片表面密集开孔或刻槽直至贯穿，随后进行表面清洗以及损伤层的处理，然后通过单步扩散法对其进行重掺杂，并在重掺杂硅片的上下表面孔或槽区域及附近通过丝网印刷高分子聚合物材料作为耐腐蚀阻挡层，硅片其余部分经过化学腐蚀变为轻掺杂或再经过进一步的腐蚀而抛光，随后除去耐腐蚀的阻挡层，即制备得选择性发射极卷包晶体硅太阳能电池。采用本发明方法制成的太阳能电池工艺步骤相对简单、且容易实现规模化生产，能够在不增加制作成本的情况下通过选择性发射极卷包结构提高电池以及组件的转换效率。
一种发射极晶体太阳能电池制备方法

[发明专利]一种太阳电池发射极腐蚀方法-CN201110038476.0无效
发明人： 梁宗存;曾飞;沈辉 -专利权人：中山大学
申请日： 2011-02-15 - 公布日： 2012-08-15 - 主分类号： C23F1/24 文献下载
摘要：本发明公开一种对太阳电池的发射极的处理工艺，特别是一种太阳电池发射极腐蚀方法，其以氢氟酸和硝酸的混合溶液为基本腐蚀液，并至少添加入亚硝酸或者亚硝酸盐或者硫酸或者硫酸盐或者磷酸或者磷酸盐的一种或者以上的任意组合，优化腐蚀溶液的配比、温度、时间、添加剂的加入量等因素，可以均匀、可控地去除发射极表面的高杂质浓度区域，然后经过清洗，制备出低表面杂质浓度的太阳电池，或者结合掩模的印制工艺制备选择性发射极太阳电池。
一种太阳电池发射极腐蚀方法

[发明专利]一种具有激光开槽正面电极的晶体硅太阳电池的制作方法-CN201210091683.7有效
发明人：班群;沈辉;梁宗存 -专利权人：中山大学
申请日： 2012-03-30 - 公布日： 2012-08-01 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有激光开槽正面电极的晶体硅太阳电池的制作方法，包括镀氮化硅减反射膜工序，还含有以下工序：采用激光对晶体硅片正面的氮化硅减反射层和发射区进行激光开槽，再经后续含印刷正面银电极、背面银电极和背电场工序，烧结后获得具有激光开槽正面电极的晶体硅太阳电池。该方法能够克服银浆与氮化硅需要发生反应才能穿透SiNx层的缺陷，通过简化银浆制备工艺，简化银浆的配方，并降低银浆使用量从而减少制备太阳电池的成本。
一种具有激光开槽正面电极晶体太阳电池制作方法

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