|
钻瓜专利网为您找到相关结果 1837个,建议您 升级VIP下载更多相关专利
- [发明专利]半导体器件-CN202310319970.7在审
-
名渊雄太;下村彰宏
-
瑞萨电子株式会社
-
2023-03-29
-
2023-10-27
-
H01L27/088
- 本公开涉及一种半导体器件。公开了一种改进的具有超结结构的功率MOSFET。改进的功率MOSFET包括多个单位单元UC,并且多个单位单元UC中的每个单位单元UC包括柱状区域PC1、柱状区域PC2、在X方向上形成在柱状区域PC1和PC2之间的一对沟槽TR以及经由栅极绝缘膜(GI)而形成在一对沟槽TR中的一对栅极电极GE。在平面图中,一对沟槽TR和一对栅极电极GE在Y方向上延伸。多个柱状区域PC1被形成为沿着Y方向彼此间隔开,并且柱状区域PC1在Y方向上的宽度(L1)比柱状区域PC1在X方向上的宽度(L2)更宽。
- 半导体器件
- [发明专利]多堆叠半导体器件和制造其的方法-CN202310454111.9在审
-
白在职;洪炳鹤;黄寅灿;徐康一
-
三星电子株式会社
-
2023-04-25
-
2023-10-27
-
H01L27/088
- 提供了一种多堆叠半导体器件和制造其的方法。该多堆叠半导体器件包括:衬底;下纳米片晶体管,包括下沟道结构、围绕下沟道结构并包括栅极电介质层的下栅极结构、在下沟道结构两端的下源极/漏极区、以及将下源极/漏极区与下栅极结构隔离的至少一个下内部间隔物;在下纳米片晶体管上的上纳米片晶体管,包括上沟道结构、围绕上沟道结构并包括栅极电介质层的上栅极结构、在上沟道结构两端的上源极/漏极区、以及将上源极/漏极区与上栅极结构隔离的至少一个上内部间隔物;以及在下沟道结构和上沟道结构之间的隔离结构,其中包括与形成下内部间隔物或上内部间隔物的材料相同的材料的间隔物结构形成在隔离结构侧面。
- 堆叠半导体器件制造方法
- [发明专利]半导体装置-CN202310400077.7在审
-
闵宣基
-
三星电子株式会社
-
2023-04-14
-
2023-10-20
-
H01L27/088
- 一种半导体装置包括:有源图案,其在衬底上在平行于衬底的上表面的第一方向上延伸;栅极结构,其在有源图案上在与第一方向交叉的第二方向上延伸;源极/漏极区域,其设置在有源图案上的与栅极结构相邻的区域中;层间绝缘层,其覆盖栅极结构和源极/漏极区域;以及接触结构,其穿透层间绝缘层并接触源极/漏极区域。接触结构可包括接触插塞、围绕接触插塞的侧壁的绝缘衬垫、以及设置在绝缘衬垫和接触插塞之间并且设置在接触插塞的底表面上的导电屏障层。导电屏障层可具有从绝缘衬垫的下端向下延伸的屏障延伸部分。
- 半导体装置
- [发明专利]半导体器件及其制备方法-CN202310933965.5在审
-
孟令款;张志勇;彭练矛
-
北京元芯碳基集成电路研究院
-
2023-07-27
-
2023-10-20
-
H01L27/088
- 本发明涉及一种半导体器件及其制备方法,属于半导体技术领域,该器件包括:衬底,在衬底上具有沟道层、栅极结构以及位于所述栅极结构两侧的源极和漏极,所述栅极结构包括栅介质层和栅极,所述栅介质层同时覆盖于栅极结构以外的沟道层表面,且不覆盖于所述源极和所述漏极,覆盖于栅极结构以外的沟道层表面的栅介质层的厚度小于所述栅极结构下方栅介质层的厚度;在所述栅极结构和所述栅介质层上覆盖有介质阻挡层;所述源极和所述漏极包括源漏金属接触层和/或金属刻蚀阻挡层。本发明提供器件及其制备方法,可有效避免在形成源漏金属接触材料时,在栅极侧墙表面上沉积多余的金属;同时能够降低对源漏接触区的刻蚀损伤。
- 半导体器件及其制备方法
- [发明专利]多堆叠半导体器件-CN202310377089.2在审
-
权旭炫;洪炳鹤;朴修永;徐康一
-
三星电子株式会社
-
2023-04-07
-
2023-10-17
-
H01L27/088
- 本发明提供一种多堆叠半导体器件,该多堆叠半导体器件包括:衬底;下部场效应晶体管,包括下部沟道结构、围绕下部沟道结构的下部栅极结构、以及第一和第二源极/漏极区;以及在下部场效应晶体管上的上部场效应晶体管,包括上部沟道结构、围绕上部沟道结构的上部栅极结构、以及分别垂直位于第一和第二源极/漏极区上方的第三和第四源极/漏极区,其中第一源极/漏极区连接到正电压源和负电压源中的一个,第三源极/漏极区连接到正电压源和负电压源中的另一个,以及其中第二源极/漏极区的顶部和第四源极/漏极区的底部彼此连接。
- 堆叠半导体器件
|