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[发明专利]封装结构及其形成方法-CN202310696395.2在审
发明人：曾建富;吴伟诚;袁玉洁;叶德强;张宏宾;谢正贤;许立翰 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2023-06-13 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供一种通过结构以及其形成方法获得制造灵活性和效率，其中可以形成RDL接触特征并与硅通孔(TSV)对齐，而不管用于形成TSV的制造过程和形成接触特征的制造过程之间的相应关键尺寸(CD)存在任何潜在不匹配。提供了用于底层TSV的自对准曝光的各种工艺，而不需要额外的微影步骤。
封装结构及其形成方法

[发明专利]半导体器件及其形成方法-CN202310415915.8在审
发明人： 叶德强;史朝文;叶松峯;宋大豪;萧闵谦;郭峻江;林宗澍 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2023-04-18 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：提供了集成电路封装件及其形成方法。在实施例中，器件包括：第一集成电路管芯；第二集成电路管芯；间隙填充电介质，位于第一集成电路管芯的第一侧壁和第二集成电路管芯的第二侧壁之间；保护盖，与间隙填充电介质、第一集成电路管芯的第一侧壁和第二集成电路管芯的第二侧壁重叠；以及隔离层，位于保护盖周围，隔离层设置在第一集成电路管芯和第二集成电路管芯上。本申请的实施例还涉及半导体器件及其形成方法。
半导体器件及其形成方法

[发明专利]集成电路封装件及其形成方法-CN202310238069.7在审
发明人： 叶德强;叶松峯;洪建玮 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2023-03-13 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： H01L25/065 文献下载
摘要：在实施例中，一种集成电路封装件包括：第一集成电路管芯；以面对背的方式接合至第一集成电路管芯的第二集成电路管芯；与第二集成电路管芯相邻并且接合至第一集成电路管芯的伪半导体部件；附接至伪半导体部件和第二集成电路管芯的支撑衬底；沿着支撑衬底的顶表面、伪半导体部件的外侧壁、第一集成电路管芯的外侧壁和第一集成电路管芯的顶表面延伸的钝化层。本发明的实施例还提供了形成集成电路封装件的方法。
集成电路封装及其形成方法

[发明专利]制煤系统及工艺-CN202210009445.0有效
发明人：张海平;徐庆伟;陈明明;叶德强;周良斌;祝更新;李自仁 -专利权人：宝武集团鄂城钢铁有限公司
申请日： 2022-01-06 - 公布日： 2023-06-16 - 主分类号： B02C23/14 文献下载
摘要：本发明的实施例提供了一种制煤系统及工艺，涉及炼焦配煤领域。旨在缓解配合煤质量波动的问题。制煤系统包括主皮带、至少一个第一配煤斗、至少一个分皮带以及至少一个分计量称，至少一个第一配煤斗设置在主皮带的上方；至少一个分皮带设置在至少一个第一配煤斗与主皮带之间，且每个分皮带与一个第一配煤斗对应，分皮带用于将第一配煤斗配给的原料煤向主皮带输送；至少一个分计量称设置在分皮带上，且每个分计量称与一个分皮带对应。一种制煤工艺，用于制煤系统。第一配煤斗先下料到分皮带上，再下料到主皮带上，分皮带上设置分计量称，单独进行计量，第一配煤斗的下料波动只影响自身的计量而不影响主皮带其他位置的下料计量，减小波动的相互影响。
煤系工艺

[发明专利]形成封装结构及管芯的方法-CN202310107886.9在审
发明人：陈威宇;苏安治;叶德强;曾华伟;黄立贤;叶名世 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-05-08 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： H01L21/48 文献下载
摘要：本公开实施例提供一种形成封装结构的方法，包括形成管芯，在管芯侧边形成包封体，以包封且接触管芯的衬底和钝化层的侧壁。形成管芯包括形成第一接垫与第二接垫、钝化层以及连接件。形成连接件包括形成晶种层。晶种层包括第一晶种子层以及位于第一晶种子层上的第二晶种子层。执行第一刻蚀工艺以移除未被导电柱覆盖的晶种层，留下晶种层的第一晶种子层的第一宽度小于导电柱的第一宽度。执行第二刻蚀工艺以移除测试接垫，其中导电柱在第二刻蚀工艺期间被消耗，使得晶种层的基脚部侧向突出于导电柱的侧壁。
形成封装结构管芯方法

[发明专利]一种防止干燥机异常泄压导致干熄焦连锁停机的方法-CN202210737899.X在审
发明人：朱应军;鲍海燕;马辉;胡茂飞;黄为华;叶德强;褚博源 -专利权人：宝武集团鄂城钢铁有限公司
申请日： 2022-06-28 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： C10B39/02 文献下载
摘要：本发明是一种防止干燥机异常泄压导致干熄焦连锁停机的方法，包括以下步骤：1）在干燥机的排污主管上新增一台切断阀；2）将干熄焦仪表用压缩空气主管压力与干燥机排污主管上新增的切断阀联锁；3）摸索干燥机故障造成干熄焦联锁停机的压力变化，设定干熄焦仪表压缩空气的最低压力保护限值；4）在空压机控制系统中新增联锁程序，即主管压缩空气的压力达到步骤3）中设定的保护限值时，干燥机排污主管上的切断阀立即动作，关闭排污主管，避免设备故障造成的泄压；本发明有效地保护了仪表用压缩空气压力，避免了因干燥机仪表故障造成的设备联锁停机，维持干熄焦正常生产。
一种防止干燥机异常导致干熄焦连锁停机方法

[发明专利]半导体器件与其的制造方法-CN201610951558.7有效
发明人：陈英儒;苏安治;吴集锡;余振华;叶德强;陈宪伟 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2016-10-27 - 公布日： 2022-11-29 - 主分类号： H01L27/105 文献下载
摘要：一种半导体器件结构的制造方法包括在第一器件与第二器件之间形成结合体或接点。第一器件包括集成无源器件及设置在其上的第一接触垫。第二器件包括第二接触垫。第一接触垫具有带有第一横向范围的第一表面。第二接触垫具有带有第二横向范围的第二表面。第二横向范围的宽度小于第一横向范围的宽度。接点结构包括第一接触垫、第二接触垫以及夹置于第一接触垫与第二接触垫之间的焊料层。焊料层具有锥形侧壁，且锥形侧壁在从第一接触垫的第一表面远离而朝向第二接触垫的第二表面的方向上延伸。第一表面或第二表面中的至少一者实质上是平坦的。
半导体器件与其制造方法

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201710940635.3有效
发明人：余振华;苏安治;吴集锡;叶德强;陈宪伟;陈威宇 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-10-11 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： H01L21/50 文献下载
摘要：一种半导体装置及其形成方法包括：在载体上的第一半导体管芯及第一虚拟管芯、在载体上的第一模塑化合物层以及在第一模塑化合物层上的第一内连结构。第一半导体管芯的厚度大于第一虚拟管芯的厚度。第一模塑化合物层沿第一半导体管芯的侧壁及第一虚拟管芯的侧壁延伸。第一内连结构包括第一金属特征，第一金属特征电耦合到第一半导体管芯，且第一模塑化合物层形成在第一虚拟管芯与第一金属特征之间。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]集成电路封装、形成集成电路封装的方法及内连结构-CN201710992519.6有效
发明人：陈洁;余振华;叶德强;陈宪伟;陈英儒 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-10-23 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： H01L23/485 文献下载
摘要：本揭露实施例涉及一种集成电路封装、一种形成集成电路封装的方法及一种内连结构。本发明实施例公开一种具有提高的性能及可靠性的集成电路封装。所述集成电路封装包括集成电路管芯及布线结构。所述集成电路管芯包括具有周边边缘的导通孔。所述布线结构包括耦合到所述导通孔的导电结构。所述导电结构可包括顶盖区、布线区以及中间区。所述顶盖区可与所述导通孔的区域重叠。所述布线区可具有第一宽度，且所述中间区可沿所述导通孔的所述周边边缘具有第二宽度，其中所述第二宽度可大于所述第一宽度。所述中间区可被配置成将所述顶盖区连接到所述布线区。
集成电路封装形成方法结构

[发明专利]集成扇出封装件及其形成方法-CN202210868282.1在审
发明人：黄立贤;林岳霆;苏安治;叶名世;叶德强 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-07-02 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： H01L21/56 文献下载
摘要：方法包括将第一管芯和第二管芯附接至载体；在第一管芯和第二管芯之间形成模塑料；以及在第一管芯、第二管芯和模塑料上方形成再分布结构，再分布结构包括第一再分布区域；第二再分布区域；以及位于第一再分布区域和第二再分布区域之间的切割区域。该方法还包括在切割区域中形成第一开口和第二开口，第一开口和第二开口延伸穿过再分布结构并且暴露模塑料；以及从模塑料的第二侧朝向模塑料的第一侧通过切割穿过模塑料的与切割区域对准的部分来分离第一管芯和第二管芯，第二侧与第一侧相对。本发明实施例涉及集成扇出封装件及其形成方法。
集成封装及其形成方法

[实用新型]一种简易焦炉热态喷补装置-CN202221316057.9有效
发明人：赵红志;赵琳;朱应军;左红刚;黄为华;叶德强 -专利权人：宝武集团鄂城钢铁有限公司
申请日： 2022-05-30 - 公布日： 2022-10-11 - 主分类号： C10B29/06 文献下载
摘要：本实用新型是一种简易焦炉热态喷补装置，包括一个料罐，料罐顶端设有进料管，进料管上装有进料阀，进料管上端连接至装有预混喷补料的容器，料罐下端设有放料管，放料管上装有放料阀，放料管底端装有四通管，四通管左端连接有压缩空气管，压缩空气管连接至压缩空气源，四通管上端连接放料管，四通管右端连接有出料软管，出料软管外端装有可拆卸的喷枪，四通管下端设有排渣口；本实用新型结构简单，使用灵活、方便。
一种简易焦炉热态喷补装置

[发明专利]处理含氨尾气同时降低焦炉烟气氮氧化物的方法及系统-CN202210337344.6在审
发明人：李自仁;洪曙;叶德强;张海平;李志远;江胜勇;由立强 -专利权人：宝武集团鄂城钢铁有限公司
申请日： 2022-04-01 - 公布日： 2022-05-24 - 主分类号： C10B21/18 文献下载
摘要：本发明是处理含氨尾气同时降低焦炉烟气氮氧化物的方法，包括以下步骤：1）将煤气净化系统贮槽产生的含氨尾气收集后通过管道输送至酸洗塔进行酸洗；2）酸洗后的尾气通过管道送入碱洗塔进行碱洗，然后通过引风机输送到焦炉总管；3）将脱硫脱硝系统处理后的焦炉烟气通过管道输送到焦炉总管；4）含氨尾气与焦炉烟气在总管汇合后送入原有的焦炉助燃空气系统；本发明既能够处理煤气净化系统的含氨尾气，同时还能降低焦炉烟气的氮氧化物含量，一举两得，产生了明显的经济效益和环保效益。
处理尾气同时降低焦炉烟气氧化物方法系统

[发明专利]一种降低焦炭水分的湿熄焦工艺方法-CN202110433385.0有效
发明人：朱应军;鲍海燕;尚志彪;黄为华;叶德强;褚博源 -专利权人：宝武集团鄂城钢铁有限公司
申请日： 2021-04-22 - 公布日： 2022-04-08 - 主分类号： C10B39/06 文献下载
摘要：本发明是一种降低焦炭水分的湿熄焦工艺方法，采用熄焦塔及熄焦车进行湿熄焦操作，熄焦塔内设有喷淋系统；熄焦车包括矩形的车厢，车厢底部设有卸料斜面，熄焦车的车厢长度与分支管的跨度尺寸匹配，熄焦车的宽度与分支管的长度尺寸匹配；所有分支管上靠近所述卸料斜面上端的喷头的喷射角度倾斜向下；所述湿熄焦工艺方法具体包括以下步骤：1）熄焦车接焦时缓慢移动以保证车厢内焦炭上表面平整；2）根据熄焦车内的焦炭量估算喷淋系统的喷水量；3）根据熄焦车内焦炭分布情况调节各分支管的流量调节阀的开度；4）调节总阀的开启时间以匹配步骤2）中所述喷水量；本发明降低了湿熄焦工艺后焦炭的含水量，利于高炉运行，更节能环保。
一种降低焦炭水分湿熄焦工艺方法

[发明专利]包括嵌入式表面贴装器件的半导体封装件及其形成方法-CN202010404784.X有效
发明人：陈宪伟;陈英儒;邱铭彦;叶德强 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2014-04-22 - 公布日： 2022-03-29 - 主分类号： H01L25/16 文献下载
摘要：本发明的实施例包括半导体封装件及其形成方法。实施例是一种半导体封装件，其包括含有一个或多个管芯的第一封装件和通过第一组连接件接合至第一封装件的第一面的封装衬底。该半导体封装件还包括安装至第一封装件的第一面的表面贴装器件，该表面贴装器件基本由一个或多个无源器件构成。
包括嵌入式表面器件半导体封装及其形成方法

[发明专利]半导体结构及半导体结构形成方法-CN201910131889.X有效
发明人：余振华;苏安治;吴集锡;叶德强;吴仓聚;邱文智;叶名世 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-02-22 - 公布日： 2022-03-15 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种用于将垂直取向的组件的顶部电极耦合到衬底的高高宽比通孔，其中组件的顶部电极通过导电桥接件耦合到通孔，且其中组件的底部电极耦合到衬底。一些实施例通过组件晶片来安装组件且在将组件安装到衬底的同时将组件分离。一些实施例将各别的组件安装到衬底。
半导体结构形成方法

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