[发明专利]一种具有终端结构的氧化镓基结势垒肖特基二极管有效
| 申请号： | 202110317471.5 | 申请日： | 2021-03-25 |
| 公开（公告）号： | CN113066870B | 公开（公告）日： | 2022-05-24 |
| 发明（设计）人： | 罗小蓉;魏雨夕;鲁娟;杨可萌;魏杰;蒋卓林;王元刚;吕元杰;冯志红 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学;中国电子科技集团公司第十三研究所 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/267;H01L29/06 |
| 代理公司： | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 | 代理人： | 孙一峰 |
| 地址： | 611731 四川省*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明属于功率半导体技术领域，涉及一种具有终端结构的氧化镓基结势垒肖特基二极管。本发明针对氧化镓材料P型掺杂困难且器件边缘电场集中的问题，提出一种兼具肖特基结、异质PN结以及含有变掺杂分布氟离子的钝化层终端的二极管。正向导通时，低势垒的肖特基结使器件具有低正向导通压降；反向阻断时，异质PN结屏蔽高电场，变掺杂分布的氟离子终端结构缓解电场集中效应，从而减小反向泄漏电流并增大击穿电压。本发明在钝化介质层中而不是氧化镓材料中注入氟离子，减少氧化镓材料晶格损伤对正向导通特性的影响。本发明的有益效果为，本发明的器件兼具正向压降小、泄漏电流小和反向击穿电压高的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 终端 结构 氧化 镓基结势垒肖特基 二极管 | ||
【主权项】：
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