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[发明专利]高压隔离结构及其制造方法-CN202111092769.7在审
发明人：房子荃 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2021-09-17 - 公布日： 2022-01-11 - 主分类号： H01L21/265 文献下载
摘要：方法包括：提供基底层的第一导电类型衬底；以第一注入能量进行第一导电类型离子注入形成第一导电类型埋层A部；以第二注入能量进行第一导电类型离子注入，形成第一导电类型埋层B部初级结构，使得第一导电类型埋层B部初级结构向下与第一导电类型埋层A部接触；第一注入能量高于第二注入能量；在第一导电类型衬底上生长第二导电类型外延层，第一导电类型埋层B部初级结构向第二导电类型外延层中扩展，形成第一导电类型埋层B部；通过第一导电类型离子注入，形成第一导电类型阱区，使得第一导电类型阱区向下与第一导电类型埋层B部接触。
高压隔离结构及其制造方法

[发明专利]闩锁测试结构-CN202110903890.7在审
发明人：许杞安 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2021-08-06 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：本发明提供一种闩锁测试结构，包括：第一导电类型的衬底；第一导电类型的第一阱区，位于第一导电类型的衬底内；第一导电类型的第一掺杂区，位于第一导电类型的第一阱区内；第二导电类型的第一掺杂区，位于第一导电类型的第一阱区内；于第一导电类型的衬底内间隔排布的第一导电类型的第二掺杂区、第二导电类型的第二掺杂区、第一导电类型的第三掺杂区及第二导电类型的第三掺杂区，第一导电类型的第二掺杂区、第二导电类型的第二掺杂区、第一导电类型的第三掺杂区及第二导电类型的第三掺杂区均位于第二导电类型的第一掺杂区远离第一导电类型的第一掺杂区的一侧上述闩锁测试结构可在一定外界条件下触发闩锁，以提取电学参数，改善半导体结构设计。
测试结构

[发明专利]ESD保护器件及芯片-CN202110770173.1有效
发明人：胡伟佳;张航 -专利权人：珠海市杰理科技股份有限公司
申请日： 2021-07-08 - 公布日： 2021-10-15 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本申请涉及一种ESD保护器件及芯片。其中，ESD保护器件包括括衬底、MOS管、第一导电类型的第一扩散区、第二导电类型的第一扩散区、第二导电类型的第二扩散区和第二导电类型的第三扩散区；衬底内形成有第一导电类型的阱区和第二导电类型的阱区；第一导电类型的阱区设于第二导电类型的阱区内；MOS管位于第一导电类型的阱区；第二导电类型的第一扩散区位于第一导电类型的阱区；第一导电类型的第一扩散区、第二导电类型的第二扩散区和第二导电类型的第三扩散区位于第二导电类型的阱区；第二导电类型的第二扩散区与第一导电类型的第一扩散区电连接；第二导电类型的第三扩散区连接MOS管的漏极；第二导电类型的第一扩散区用于连接衬底的PAD引脚。
esd 保护器件芯片

[发明专利]闩锁测试结构-CN202110902708.6在审
发明人：许杞安 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2021-08-06 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：本发明涉及一种闩锁测试结构，包括：第一导电类型的衬底；第二导电类型的第一阱区，位于第一导电类型的衬底内；第一导电类型的第一掺杂区，位于第二导电类型的第一阱区内；第二导电类型的第一掺杂区，位于第二导电类型的第一阱区内；于第一导电类型的衬底内间隔排布的第一导电类型的第二掺杂区、第二导电类型的第二掺杂区、第一导电类型的第三掺杂区及第二导电类型的第三掺杂区，第一导电类型的第二掺杂区、第二导电类型的第二掺杂区、第一导电类型的第三掺杂区及第二导电类型的第三掺杂区均位于第一导电类型的第一掺杂区远离第二导电类型的第一掺杂区一侧上述闩锁测试结构可在一定外界条件下触发闩锁，以提取电学参数，改善半导体结构设计。
测试结构

[发明专利]一种超结MOSFET器件及其制造方法-CN201310408434.0有效
发明人：朱袁正;李宗清 -专利权人：无锡新洁能股份有限公司
申请日： 2013-09-06 - 公布日： 2013-12-25 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开一种超结MOSFET器件及其制造方法，在第一导电类型漂移层内设置紧邻第二导电类型体区的第一导电类型的第一缓冲层及紧邻第二导电类型第二柱的第一导电类型的第二缓冲层；第二导电类型体区与第一导电类型漂移层被所述第一导电类型的第一缓冲层隔离，第二导电类型第二柱与第一导电类型第一柱被所述第一导电类型的第二缓冲层隔离；第一导电类型的第一缓冲层和第一导电类型的第二缓冲层的杂质浓度大于第一导电类型漂移层及第一导电类型第一柱的杂质浓度。
一种 mosfet 器件及其制造方法

[实用新型]一种超结MOSFET器件-CN201320553995.5有效
发明人：朱袁正;李宗清 -专利权人：无锡新洁能股份有限公司
申请日： 2013-09-06 - 公布日： 2014-02-26 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本实用新型公开一种超结MOSFET器件，在第一导电类型漂移层内设置紧邻第二导电类型体区的第一导电类型的第一缓冲层及紧邻第二导电类型第二柱的第一导电类型的第二缓冲层；第二导电类型体区与第一导电类型漂移层被所述第一导电类型的第一缓冲层隔离，第二导电类型第二柱与第一导电类型第一柱被所述第一导电类型的第二缓冲层隔离；第一导电类型的第一缓冲层和第一导电类型的第二缓冲层的杂质浓度大于第一导电类型漂移层及第一导电类型第一柱的杂质浓度。
一种 mosfet 器件

[发明专利]一种门极换流晶闸管-CN202310953328.4在审
发明人：陈芳林;郭雅迪;武思捷;陈勇民 -专利权人：国网智能电网研究院有限公司;株洲中车时代电气股份有限公司
申请日： 2023-07-31 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H01L29/745 文献下载
摘要：本发明公开了一种门极换流晶闸管，包括：依次设置的第一导电类型导电层、第二导电类型基区以及第一导电类型基区，第二导电类型基区包括位于中心的凸起部和位于凸起部外围的水平部，凸起部贯穿第一导电类型基区；设置在第一导电类型基区内的多个第二导电类型短路发射区，第二导电类型短路发射区背对第一导电类型导电层的第一表面未被第一导电类型基区覆盖；设置在第二导电类型短路发射区第一表面的至少一个放大门极；设置在第一导电类型基区背对第一导电类型导电层的第一表面以及第一导电类型导电层背对第二导电类型基区的第一表面的晶闸管功能层
一种换流晶闸管

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN202010304041.5在审
发明人：李理 -专利权人：深圳方正微电子有限公司
申请日： 2020-04-17 - 公布日： 2020-08-25 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体器件及其制造方法：第一导电类型衬底；第一导电类型外延层，位于所述第一导电类型衬底上方；沟槽，位于所述第一导电类型外延层内；第一导电类型扩散区，位于所述第一导电类型外延层内，且位于所述沟槽外围；第二导电类型外延层，位于所述沟槽内；第二导电类型第一注入区，位于所述第一导电类型外延层内，且位于所述第一导电类型扩散区远离所述沟槽的两侧；第一导电类型注入区，位于对应的所述第二导电类型第一注入区内靠近所述第一导电类型扩散区的一侧通过在第一导电类型外延层内形成第二导电类型外延层，在该多层外延的结构基础上形成两组横向二极管并联结构，降低了寄生电容。
半导体器件及其制造方法

[实用新型]图像传感器-CN201220258198.X有效
发明人：赵立新;李文强;蒋珂玮 -专利权人：格科微电子(上海)有限公司
申请日： 2012-06-01 - 公布日： 2013-01-16 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种图像传感器。图像传感器包括像素阵列，像素阵列的一个或多个像素单元包括一个源跟随晶体管。源跟随晶体管是结型场效应晶体管，包括：第一导电类型衬底；第二导电类型阱，位于第一导电类型衬底中；第二导电类型淀积掺杂层，位于第一导电类型衬底表面外并至少部分位于第二导电类型阱上；第一导电类型源区，位于第二导电类型阱中；第一导电类型漏区，位于第一导电类型衬底中和/或第二导电类型阱中；第一导电类型掺杂层，至少部分位于第二导电类型阱与第二导电类型淀积掺杂层之间，以使得第一导电类型源区与第一导电类型漏区电连接，并在其与第二导电类型阱之间以及其与第二导电类型淀积掺杂层之间分别形成
图像传感器

[发明专利]一种具有部分埋层的SJ-LDMOS器件-CN201810570242.2在审
发明人：高巍;宋炳炎;胡玉芳;任敏;李泽宏;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2018-06-05 - 公布日： 2018-11-06 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供一种具有部分埋层的SJ‑LDMOS器件，第一导电类型半导体轻掺杂外延层中具有y方向交替排列的第二导电类型半导体柱和第一导电类型半导体柱；第二导电类型半导体体区横贯于第二导电类型半导体柱和第一导电类型半导体柱之中，第二导电类型半导体衬底一侧顶部具有第一导电类型埋层，第一导电类型半导体漏区在贯穿第二导电类型半导体柱和第一导电类型半导体柱，第一导电类型半导体柱下方具有第一导电类型埋层；本发明通过第二导电类型半导体柱和第一导电类型半导体柱实现电荷平衡减弱x方向电场，以实现更低的导通电阻，同时由于第二导电类型半导体衬底的辅助耗尽使得柱间电荷不平衡，此时通过交替部分第一导电类型埋层改善柱间电荷平衡。
第一导电类型导电类型半导体半导体柱埋层电荷平衡衬底轻掺杂外延层半导体漏区导通电阻方向电场交替排列电荷耗尽体区半导体横贯贯穿

[发明专利]一种超结IGBT器件结构及其制造方法-CN201811251706.X在审
发明人：李菲;李欣;禹久赢;任留涛;刘铁川 -专利权人：上海超致半导体科技有限公司
申请日： 2018-10-25 - 公布日： 2019-02-01 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种超结IGBT器件，包括：第一导电类型衬底；设置在所述第一导电型衬底上的第二导电类型外延层；设置在所述第二导电类型外延层内的第一导电类型柱形扩散区；第一导电类型阱区，所述第一导电类型阱区与所述第一导电类型柱形扩散区通过一浮空区隔离；设置在所述第一导电类型阱区内的第一导电类型重掺杂区；第二导电类型重掺杂区；以及栅极。
第一导电类型导电类型外延层重掺杂区扩散区超结衬底柱形阱区导电类型导电型浮空隔离制造

[实用新型]一种超结IGBT器件结构-CN201821740353.5有效
发明人：李菲;李欣;禹久赢;任留涛;刘铁川 -专利权人：上海超致半导体科技有限公司
申请日： 2018-10-25 - 公布日： 2019-05-03 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种超结IGBT器件结构，包括：第一导电类型衬底；设置在所述第一导电型衬底上的第二导电类型外延层；设置在所述第二导电类型外延层内的第一导电类型柱形扩散区；第一导电类型阱区，所述第一导电类型阱区与所述第一导电类型柱形扩散区通过一浮空区隔离；设置在所述第一导电类型阱区内的第一导电类型重掺杂区；第二导电类型重掺杂区；以及栅极。
第一导电类型导电类型外延层重掺杂区扩散区超结衬底柱形阱区本实用新型导电类型导电型浮空隔离

[发明专利]超级结器件及其制造方法-CN202110587413.4在审
发明人：李昊 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2021-05-27 - 公布日： 2021-12-03 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：该超级结器件包括多个第一导电类型柱和多个第二导电类型柱，多个第一导电类型柱和多个第二导电类型柱交替布置。多个第一导电类型柱中的第一导电类型柱与多个第二导电类型柱中的相邻第二导电类型柱之间的界面为平面。多个第一导电类型柱中的第一导电类型柱与多个第二导电类型柱中的相邻第二导电类型柱之间的PN结为陡结。
超级器件及其制造方法

[发明专利]一种功率半导体器件的结终端结构-CN202111228971.8在审
发明人：刘江;高明超;孙琬茹 -专利权人：全球能源互联网研究院有限公司;国家电网有限公司
申请日： 2021-10-21 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种功率半导体器件的结终端结构，包括：金属化阴极层、第一导电类型半导体区层、第一导电类型半导体漂移区层、第二导电类型半导体区层、金属化阳极层，第一导电类型半导体漂移区和所述金属化阴极分别位于第一导电类型半导体区的正面和背面，第二导电类型半导体区位于第一导电类型半导体漂移区的上部左侧；第三导电类型半导体层及其中的若干沟槽单元和第一导电类型截止环；第三导电类型半导体层位于第一导电类型半导体漂移区上部且与第二导电类型半导体区层横向对接，第一导电类型截止环位于第一导电类型半导体漂移区上部的右侧，沟槽单元的分布密度从第一导电类型半导体区层向第一导电类型截止环的纵长方向逐渐增多。
一种功率半导体器件终端结构

[发明专利]门极换流晶闸管及其制备方法-CN202310645829.6有效
发明人：刘佳鹏;吴锦鹏;曾嵘;张君明;余占清;屈鲁;陈政宇 -专利权人：清华大学
申请日： 2023-06-02 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： H01L29/74 文献下载
摘要：本发明提供一种门极换流晶闸管及其制备方法。该门极换流晶闸管包括：第一导电类型基区；设置在第一导电类型基区上的第二导电类型基区；第二导电类型基区包括设置在第一导电类型基区上的第二导电类型第三基区、设置在第二导电类型第三基区上的第二导电类型第二基区和设置在第二导电类型第二基区上的第二导电类型第一基区；覆盖第二导电类型第一基区部分上表面的具有凸台结构的第一导电类型发射极；以及位于第二导电类型第一基区和第二导电类型第二基区两侧的第二导电类型掺杂区域。
换流晶闸管及其制备方法

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