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[发明专利]一种缓解隧道入口段黑洞效应的彩色路面设计方法-CN202310917446.X在审
发明人：林志;王江华;刘超铭;吴逸飞;杨红运;蒋恩贵;陈相;陈梦婷;王尉宇 -专利权人：重庆交通大学;重庆奉建高速公路有限公司
申请日： 2023-07-24 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： G06F30/13 文献下载
摘要：本方案属于公路隧道照明技术领域，具体涉及一种缓解隧道入口段黑洞效应的彩色路面设计方法。包括如下步骤：S10：测量模块测量彩色沥青路面试块在隧道内不同位置的反射比，通过DIALux仿真模拟软件建立多种路面颜色的隧道入口段照明环境模型，S20：通过缩尺试验和实车试验测量驾驶员在隧道入口段不同颜色路面条件下的反应时间和障碍物发现距离；S30：执行模块基于已经获得的评价指标和层次分析法原理，构建公路隧道入口段彩色路面行车安全与节能效应综合评价体系，结合获得的指标数据计算各路面颜色方案的总评价值，从而给出隧道入口段的彩色路面铺设方案。本方案降低了隧道的建设运营成本且兼顾安全与舒适的指标，提高了隧道入口段的安全节能效应。
一种缓解隧道入口黑洞效应彩色路面设计方法

[发明专利]一种基于人眼适应曲线的遮阳棚透光率渐变过渡及长度设计方法-CN202310917439.X在审
发明人：林志;蒋恩贵;尹恒;刘超铭;吴逸飞;王江华;陈梦婷;陈相;王尉宇 -专利权人：重庆交通大学;重庆奉建高速公路有限公司
申请日： 2023-07-24 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： G06F30/13 文献下载
摘要：本方案属于公路隧道交通安全设施技术领域，具体涉及一种基于人眼适应曲线的遮阳棚透光率渐变过渡及长度设计方法。包括如下步骤：S10:判断光学隧道；S20:确定隧道洞内外环境亮度均值和行车速度；S30:基于驾驶员视觉安全舒适负荷设计透光材料透光率方案；S40:基于驾驶人的视觉安全舒适负荷设计遮阳棚长度方案；S50:透光率材料选择；S60:设计遮阳棚渐变段落数。本方案通过人眼视觉适应曲线，对遮阳棚长度范围内进行五段过渡设计，使驾驶人通过遮阳棚路段人眼适应情况符合适应曲线变化，降低了建设和运营成本，提高了实际使用效果。
一种基于适应曲线遮阳透光率渐变过渡长度设计方法

[发明专利]一种基于Pyraformer模型的二极管可靠性分析方法-CN202310773439.7在审
发明人：芮二明;刘沛;付琬月;刘超铭;霍明学;高乐 -专利权人：中国航天标准化研究所
申请日： 2023-06-27 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： G06F30/20 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于Pyraformer模型的二极管可靠性分析方法，属于微电子技术领域；选择反向漏电流、正向导通电流和正向导通压降作为特征数据；对特征数据进行异常值的处理；对特征数据进行降噪处理；对特征数据进行特征缩放处理；对特征数据进行集合划分；扩大训练集的规模；建立Pyrafomer模型；获得高精度Pyraformer模型；判断高精度Pyraformer模型是否建立完成；将后续采集的正向导通电流和正向导通压降作为高精度Pyraformer模型的输入，输出二极管的反向漏电流，后续根据反向漏电流实现对二极管可靠性的分析；本发明提高了模型的计算效率和精度，减少可靠性计算成本，同时解决传统建模方法在处理复杂和非线性关系时的困难。
一种基于 pyraformer 模型二极管可靠性分析方法

[发明专利]一种SRAM存储器空间服役故障分类失效检测方法-CN202010378931.0有效
发明人：霍明学;齐春华;张延清;王天琦;王新胜;刘超铭;马国亮 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2020-05-07 - 公布日： 2022-07-12 - 主分类号： G06F11/34 文献下载
摘要：本发明提出一种SRAM存储器空间服役故障分类失效检测方法，本发明采用故障特征检测诊断空间服役失效故障，通过分析特定核心器件在太空环境或异常环境中的特征参数电源电流的变化，依托神经网络进行故障状态的判断和分类。本发明可用于监控空间服役状态SRAM存储器的特征参数，并在地面计算出SRAM存储器故障失效概率。本发明可结合SRAM存储器空间服役环境，确定故障失效的薄弱环境，可为空间SRAM存储器长寿命服役提供技术支持。
一种 sram 存储器空间服役故障分类失效检测方法

[发明专利]基于深层离子注入方式的PIN二极管抗位移辐照加固方法-CN201910219155.7有效
发明人： 刘超铭;李何依;王天琦;张延清;齐春华;马国亮;霍明学 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2019-03-21 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： H01L29/868 文献下载
摘要：本发明一种基于深层离子注入方式的PIN二极管抗位移辐照加固方法涉及半导体器件领域，目的是为了克服PIN二极管受空间辐照效应，导致本征区的载流子被辐射缺陷俘获造成正向特性的退化的问题，具体方法为：步骤一、通过PIN二极管的结构参数和需注入PIN二极管的离子类型，计算离子注入所述PIN二极管的离子注入深度D和与离子注入深度D所对应的离子能量E；步骤二、计算离子注入量Ф；步骤三、通过所述离子能量E计算离子源电压值V；步骤四、通过所述离子注入量Ф确定离子注入时间t，并计算离子束电流值I；步骤五、根据所述离子注入深度D、离子源电压值V、离子束电流值I和离子注入时间t，向PIN二极管的本征区注入离子。
基于深层离子注入方式 pin 二极管位移辐照加固方法

[发明专利]基于太阳电池低温低光强综合试验装置及试验方法-CN202111579626.9在审
发明人：霍明学;张延清;刘超铭;王天琦;齐春华;马国亮;周佳明 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2021-12-22 - 公布日： 2022-04-01 - 主分类号： H02S50/15 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于太阳电池低温低光强综合试验装置以及试验方法，该装置包括光源、低温恒温舱、无油分子泵、风冷压缩机、温度控制仪以及电学测试系统；其试验方法包括：根据电池服役环境，确定温度光照条件；整理装置，安装衰减片；样品放置，检查光路与测试线路；打开无油分子泵将低温恒温舱抽成真空环境；打开风冷压缩机对冷头降温至额定温度；校准太阳模拟器；测试样品光特性。该发明能在地面模拟出空间环境中低温低光强的试验装置的试验方法。
基于太阳电池低温低光强综合试验装置试验方法

[发明专利]一种太阳电池低温量子效率试验装置及其方法-CN202111546467.2在审
发明人：张延清;刘超铭;王天琦;周佳明;霍明学;齐春华;马国亮 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2021-12-16 - 公布日： 2022-03-25 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种太阳电池低温量子效率试验装置及其方法，该装置包括：恒温真空舱、光源控制单元、氙灯光源、测试单元和控制模块；方法包括以下步骤：S1.氙灯光源产生入射光；入射光包括单色光和偏置光；S2.将恒温真空舱横向放置，舱头部的光学窗口正对单色光下方，确保单色光和偏置光入射至待测电池表面，通过探针连接待测电池电极，并通过测试线将探针与测试单元相连，确认无断触后关闭舱门；S3.将恒温真空舱抽成真空；S4.达到真空度要求后进行降温；S5.通过测试单元进行量子效率性能测试得到量子效率曲线，根据量子效率曲线获取短路电流密度，以及半导体材料在当前温度下的带隙。本发明为深空太阳电池低温量子效率测试提供了试验条件。
一种太阳电池低温量子效率试验装置及其方法

[发明专利]基于深层离子注入的氧化镓肖特基二极管抗位移辐照方法-CN201910774716.X有效
发明人：王天琦;张延清;齐春华;马国亮;刘超铭;王新胜;李何依;周佳明;霍明学 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2019-08-21 - 公布日： 2022-03-25 - 主分类号： H01L21/425 文献下载
摘要：一种基于深层离子注入的氧化镓肖特基二极管抗位移辐照方法，属于二极管微电子技术领域。本发明针对现有氧化镓肖特基二极管在带电粒子辐照环境中抗位移辐照能力差，易造成其正向及反向特性退化的问题。它根据原Ga2O3肖特基二极管的结构参数，确定离子的待注入位置，并模拟确定所述离子的能量和射程；再模拟获得离子注入后Ga2O3肖特基二极管正向及反向目标特性变化曲线，记录目标特性变化曲线的变化量小于原Ga2O3肖特基二极管正向及反向特性变化曲线10％时的离子注入量；再计算离子注入机的离子源电压、离子束电流和离子注入时间；设置离子注入机，对原Ga2O3肖特基二极管进行离子注入并进行退火处理。本发明用于氧化镓肖特基二极管的加固。
基于深层离子注入氧化镓肖特基二极管位移辐照方法

[发明专利]基于低温辐照试验装置的太阳电池低温原位辐射试验方法-CN202111546474.2在审
发明人： 刘超铭;张延清;王天琦;霍明学;齐春华;马国亮;周佳明 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2021-12-16 - 公布日： 2022-03-22 - 主分类号： H02S50/15 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于低温辐照试验装置的太阳电池低温原位辐射试验方法，通过在恒温真空舱内搭建低温测试台的方式来实现太阳电池的低温辐照同步测量和原位表征。本发明低温辐照试验装置通过无油分子泵抽真空来模拟太空真空环境，同时保护了器件不受空气中的水汽影响；通过风冷压缩机降温来模拟太空低温环境；通过电子加速器发出的电子来模拟太空中的电子辐照；使用太阳模拟器发射光源进行光特性测试，从而为太阳电池空间可靠性的测试提供了低温、低光强、辐照的试验条件。
基于低温辐照试验装置太阳电池原位辐射试验方法

[发明专利]一种同时产生电离和位移缺陷信号的器件及其制备方法-CN201810136624.4有效
发明人：李兴冀;杨剑群;刘超铭;刘勇 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2018-02-09 - 公布日： 2022-03-04 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供一种表征不同类型粒子辐照诱导电离和位移缺陷形成与退火状态的一种同时产生电离和位移缺陷信号的器件及其制备方法，属于核科学与技术领域。本发明包括集电区、基区、n个发射区、发射极、基极和集电极；集电区的掺杂浓度小于1E15/cm3；基区外边缘的长边距集电区外边缘的距离d范围为0.1～300μm，基区外边缘的宽边距集电区外边缘的距离e的范围为0.1～300μm；基区掺杂浓度为1E15/cm3～1E17/cm3；发射区的长边a与宽边b的比值在500:1～1:500范围内，扩散结深度在0.1μm至3.0μm之间；相邻两个发射区的间距不小于a/2、不大于5a；发射区掺杂浓度为5E15/cm3～1E20/cm3。
一种同时产生电离位移缺陷信号器件及其制备方法

[发明专利]一种用于在深空探测温度范围内可控辐照的终端设备及其使用方法-CN202111301296.7在审
发明人：王天琦;霍明学;齐春华;张延清;孙雪丹;刘超铭;马国亮;蔡勖升;张正良 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2021-11-04 - 公布日： 2022-01-28 - 主分类号： G01N23/00 文献下载
摘要：一种用于在深空探测温度范围内可控辐照的终端设备及其使用方法，它涉及温度可控的辐照终端设备，本发明要解决当前在深空探测中航天航空器件遇到的极端温度，没有相应的平台对深空探测中航天航空器件进行评估问题。本发明的设备包括粒子加速器、真空腔室和温度控制系统；真空腔室内放置高低温样品台和束流探测器，温度控制系统对高低温样品台进行温度控制，粒子加速器对真空腔室发射粒子，束流探测器进行探测。
一种用于探测温度范围内可控辐照终端设备及其使用方法

[发明专利]双极器件异种辐照源电离损伤等效评价试验方法-CN201810135807.4有效
发明人：李兴冀;杨剑群;刘超铭;吕钢 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2018-02-09 - 公布日： 2021-11-19 - 主分类号： G06F30/367 文献下载
摘要：双极器件异种辐照源电离损伤等效评价试验方法，涉及材料和器件的辐照试验，属于核科学与技术领域，为了实现对不同类型粒子辐照条件下双极晶体管的性能退化特征的预测。本发明基于一种辐照源建立性能退化模型等效模拟其他辐照源辐射损伤的地面等效模拟试验方法，其应用对象包括双极晶体管及其他类型的双极工艺器件；仅通过选择某一特定种能量和种类的带电粒子，在合适的辐照通量条件下进行辐照试验，就可建立双极器件性能退化模型；结合Monte Carlo方法计算分析其他类型辐照源的损伤能力，即可将不同类型辐照源的辐射损伤进行归一化，达到预测在轨性能退化的目的。有益效果为准确地预测双极晶体管在轨电离损伤性能退化规律，步骤简单，易于操作。
器件辐照电离损伤等效评价试验方法

[发明专利]基于杂化泛函计算β-三氧化二镓电荷转移的方法-CN201810136598.5有效
发明人：李兴冀;杨剑群;刘超铭;魏轶聃;吕钢;董尚利 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2018-02-09 - 公布日： 2021-11-09 - 主分类号： G06F30/20 文献下载
摘要：基于杂化泛函计算β‑三氧化二镓电荷转移的方法，本发明涉及计算β‑三氧化二镓电荷转移的方法。本发明目的是为了解决现有基于杂化泛函的方法计算含有缺陷的超胞电荷转移的准确率低的问题。过程为：得到β‑Ga2O3的晶格参数和禁带宽度；得到β‑Ga2O3能量最低点的晶格参数和禁带宽度；根据晶格参数和禁带宽度得到模拟结果和实验结果一致；计算含有缺陷的β‑Ga2O3的电子在空间中的分布；通过VESTA软件读取A和B，并对二者在电子在空间中的分布做差，得到差分电荷。本发明用于计算β‑Ga2O3电荷转移的领域。
基于杂化泛函计算氧化电荷转移方法

[发明专利]双极器件位移损伤引起的性能退化的等效评价方法-CN201810135800.2有效
发明人：李兴冀;杨剑群;刘超铭;董尚利 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2018-02-09 - 公布日： 2021-10-01 - 主分类号： G06F30/367 文献下载
摘要：双极器件位移损伤引起的性能退化的等效评价方法，涉及在轨双极器件的性能退化评价技术，为了满足针对不同类型辐照源的双极器件辐射损伤进行等效评价的需求。基于地面异种粒子辐照源，确定位移损伤引起的性能退化与位移吸收剂量的函数关系曲线；针对特定轨道和任务要求计算该轨道下的电离吸收剂量DI和位移吸收剂量DD，当双极器件以位移损伤为主时，根据函数关系曲线找到该位移吸收剂量DD所对应的性能退化情况，完成在轨双极器件的性能退化评价。本发明适用于等效评价在轨双极器件的性能退化情况。
器件位移损伤引起性能退化等效评价方法

[发明专利]基于深层离子注入方式的肖特基二极管抗位移辐照加固方法-CN201910110228.9有效
发明人： 刘超铭;王天琦;张延清;齐春华;马国亮;霍明学;李何依;魏轶聃 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2019-02-11 - 公布日： 2021-07-20 - 主分类号： H01L21/265 文献下载
摘要：本发明的基于深层离子注入方式的肖特基二极管抗位移辐照加固方法涉及半导体器件的制造或处理领域，目的是为了克服肖特基二极管受到位移辐射造成的缺陷导致正向特性退化的问题，具体步骤为计算离子源电压值V、离子束电流值I、离子注入深度D和离子注入时间t，对肖特基二极管的有源区进行离子注入。本发明的有益效果是：本发明通过深层离子注入的方式，在肖特基二极管内部的一定深度范围内通过离子注入的方式人为地引入缺陷陷阱，可以对由位移辐射造成的缺陷产生复合作用，使器件内部的位移辐射缺陷保持稳定，不因辐射注量的增大而明显变化，从而提高肖特基二极管的抗辐照能力。
基于深层离子注入方式肖特基二极管位移辐照加固方法

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