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- [发明专利]开关忆阻器及其制备方法-CN202210208347.X在审
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李黄龙;王昕鑫
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清华大学
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2022-03-03
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2023-09-15
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H10N70/20
- 本发明涉及一种开关忆阻器，包括底电极层；第一阻变层，设在所述底电极层上；第二阻变层，设在所述第一阻变层上；顶电极层，设在所述第二阻变层上；其中，在所述开关忆阻器处于低阻态的情况下，所述第一阻变层和所述第二阻变层中的空位缺陷在预设激励的作用下定向移动，使所述第一阻变层和所述第二阻变层中的一个的所述空位缺陷耗尽，所述第一阻变层和所述第二阻变层中的另一个为低阻态。本申请提供的忆阻器具有不应期的特点，可以模拟生物神经元的不应期，并适用于如脉冲时间编码方法的其他领域。
- 开关忆阻器及其制备方法
- [发明专利]陡坡晶体管器件及其制备方法-CN202210207748.3在审
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李黄龙;王昕鑫
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清华大学
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2022-03-03
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2023-09-12
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H01L29/786
- 本发明涉及一种陡坡晶体管器件及其制备方法，所述器件包括：栅氧层；沟道层，设置在所述栅氧层的上表层；介电层，部分所述介电层设置在所述栅氧层的上表层，部分所述介电层设置在所述沟道层的上表层；电极层，包括间隔设置的源极、栅极和漏极；其中，所述源极、所述栅极设置在所述介电层的上表层，且所述源极、所述栅极朝向所述栅氧层的正投影在落在所述沟道层，所述漏极设置在所述沟道层的上表层。采用本申请提供的陡坡晶体管器件可以在晶体管器件上复合一个阻态可变的阈值开关器件，阈值开关器件处于低阻态时使得晶体管器件的亚阈值摆幅显著减小，克服传统晶体管器件的波尔兹曼热力学局限。
- 陡坡晶体管器件及其制备方法
- [发明专利]非易失性可重构晶体管及制造方法-CN202210121720.8在审
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李黄龙;杨逸飞
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清华大学
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2022-02-09
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2023-08-18
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H01L29/45
- 本申请提供了一种非易失性可重构晶体管，包括栅电极，其上表面覆盖有绝缘层；绝缘层远离栅电极的表面内形成有沟道层、含碲源电极及含碲漏电极，含碲源电极及含碲漏电极位于沟道层的相对两侧且均与沟道层电连接；其中，通过在含碲源电极与含碲漏电极之间施加预设时间的预设激励电信号，使含碲源电极及含碲漏电极中的碲原子在电场作用下发生迁移，改变沟道层的极性，以使晶体管极性重构。上述非易失性可重构晶体管中，通过设置含碲源电极与含碲漏电极，在源电极与漏电极之间施加预设激励电信号时，使沟道层极性发生改变，且在撤去激励电信号时，沟道层仍然能够稳定的维持极性不变，从而实现晶体管在极性重构过程中的非易失特性。
- 非易失性可重构晶体管制造方法
- [发明专利]三态内容寻址存储器及操作方法-CN202210121723.1在审
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李黄龙;杨逸飞
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清华大学
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2022-02-09
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2023-08-18
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G11C16/04
- 本申请涉及一种三态内容寻址存储器，包括第一非易失性可重构晶体管、第二非易失性可重构晶体管、匹配线、第一写入线、第二写入线、第一查找线及第二查找线，其中，匹配线与第一非易失性可重构晶体管的源极及第二非易失性可重构晶体管的漏极均连接；第一写入线与第一非易失性可重构晶体管的漏极连接；第二写入线与第二非易失性可重构晶体管的源极及第一写入线均连接；第一查找线与第一非易失性可重构晶体管的栅极连接；第二查找线与第二非易失性可重构晶体管的栅极连接；通过控制第一写入线的电压与第二写入线的电压进行写入操作，通过控制第一查找线的电压与第二查找线的电压进行寻址操作，上述三态内容寻址存储器具备器件数量少、能耗低等优点。
- 三态内容寻址存储器操作方法
- [发明专利]异质结晶体管及制备方法-CN202210110063.7在审
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李黄龙;杨逸飞
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清华大学
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2022-01-29
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2023-08-08
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H01L29/06
- 本申请涉及一种异质结晶体管及制备方法。该晶体管包括：栅氧层，异质结，至少部分异质结设置在栅氧层的沟道区，异质结包括第一导电部和第二导电部，其中，第一导电部和第二导电部部分交叠形成交叠区域，且第一导电部和第二导电部的导电类型不同；电极部，包括源电极、漏电极和栅电极，其中，栅电极设置在栅氧层远离异质结的表面上；源电极设置在第一导电部远离交叠区域的一侧；漏电极设置在第二导电部远离交叠区域的一侧。通过这样的晶体管结构，能够产生独特的电学性质，沟道电流为非单调曲线，由于非单调曲线在输入信号过大或过小时都不能实现最大的输出，因此实现了异或逻辑的运算，从而能够同时兼具存储和运算的功能。
- 结晶体制备方法
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